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3)為：將造粒粉均勻填滿模具，進行模壓成型，成型壓強為120mpa，保壓時間為50s，脫模得到***預制坯。對比例8對比例8的碳化硅陶瓷的制備過程與實施例2的碳化硅陶瓷的制備過程相似，區(qū)別在于：步驟(3)為：將造粒粉置入真空包裝袋中，抽真空，然后置于等靜壓機中等靜壓成型，成型壓力為300mpa，保壓時間為120s，得到***預制坯。對比例9對比例9的碳化硅陶瓷的制備過程與實施例2的碳化硅陶瓷的制備過程相似，區(qū)別在于：步驟(7)中，燒結溫度為1300℃。對比例10對比例10的碳化硅陶瓷的制備過程與實施例2的碳化硅陶瓷的制備過程相似，區(qū)別在于：步驟(7)中，燒結溫度為1900℃。對比例11...

塑膠材料項目投資立項申請報告.***章項目基本情況一、項目概況（一）項目名稱塑膠材料項目（二）項目選址某某產(chǎn)業(yè)示范園區(qū)項目屬于相關制造行業(yè)，投資項目對其生產(chǎn)工藝流程、設施布置等都有較為嚴格的標準化要求，為了更好地發(fā)揮其經(jīng)濟效益并綜合考慮環(huán)境等多方面的因素，根據(jù)項目選址的一般原則和項目建設地的實際情況，該項目選址應遵循以下基本原則的要求。（三）項目用地規(guī)模項目總用地面積（折合約）。（四）項目用地控制指標該工程規(guī)劃建筑系數(shù)，建筑容積率，建設區(qū)域綠化覆蓋率，固定資產(chǎn)投資強度。（五）土建工程指標項目凈用地面積，建筑物基底占地面積，總建筑面積，其中規(guī)劃建設主體工程，項目規(guī)劃綠化面積。（六）設備選...

采用此技術方案，有助于減少**基準塊和第二基準塊的變形。作為推薦，所述抓數(shù)治具的表面粗糙度設置在。采用此技術方案，表面光滑便于使用，以提升半導體零件的抓數(shù)精度。本實用新型的有益效果是：設計新穎，結構簡單、合理，能夠通過設置的**基準面和第二基準面定位半導體零件的位置，并通過設置的圓弧基準臺的切邊抓取半導體零件的倒角以及崩口的尺寸，以剔除不良的半導體零件；且同一治具上設置有多個抓數(shù)治具，有助于批量檢測。上述說明*是本實用新型技術方案的概述，為了能夠更清楚了解本實用新型的技術手段，并可依照說明書的內(nèi)容予以實施，以下以本實用新型的較佳實施例并配合附圖詳細說明。本實用新型的具體實施方式由以下實...

從而能夠緩解定位平面311兩側的應力集中現(xiàn)象，提高了驅動軸3和驅動襯套2上應力分布的均勻性。并且，在本實施例中，兩圓柱面312與驅動襯套2套孔中的相應圓柱面相配合，能夠實現(xiàn)定位平面311的精確定位，保證定位平面311與驅動襯套2套孔中的平面緊密貼合，避免平面之間的空隙導致驅動軸3和驅動襯套2在傳動過程中相互碰撞、磨損。此外，兩定位平面311以驅動軸3的軸線為對稱中心對稱設置，使得驅動軸3與驅動襯套2通過平面?zhèn)鲃訒r受到的力矩也是中心對稱的，避免了驅動襯套2與驅動軸3的軸線之間發(fā)生偏移，保證了定位精度。為提高工藝盤組件結構的整體強度，推薦地，如圖6所示，驅動襯套2包括相互連接的***襯套部...

***漿料中的金屬元素的氯化物在環(huán)氧丙烷的作用下沉淀。步驟s116：將第二漿料進行噴霧，然后在真空條件、700℃～900℃下進行加熱處理，得到預處理顆粒。具體地，在閉式噴霧塔中將第二漿料進行噴霧。步驟s116中加熱處理的時間為1h～4h。將第二漿料噴霧后再進行加熱處理，使得稀土元素或鍶元素的氯化物轉化為氧化物且均勻分布在碳化硅表面。采用上述步驟能夠使稀土元素或鍶元素均勻沉降在碳化硅顆粒的表面，在后續(xù)處理過程中，稀土元素或鍶元素會存在于晶界處，具有促進燒結、降低氣孔率的作用，從而提高碳化硅陶瓷的抗彎強度等力學性能。而傳統(tǒng)的碳化硅陶瓷的制備過程中，通常將金屬元素的氧化物作為助燒劑直接與碳化...

步驟s160：將第二預制坯以℃/min～℃/min的速率升溫至900℃，保溫2h～4h，進行排膠。對第二預制坯進行排膠能夠將第二預制坯中的第二碳源轉化為碳，從而在后續(xù)步驟中與液態(tài)硅反應得到碳化硅。步驟s170：將第二預制坯和硅粉進行反應燒結，得到碳化硅陶瓷。其中，反應燒結的溫度為1400℃～1800℃，反應燒結的時間為1h～5h。第二預制坯和硅粉的質量比為1∶(～4)。進一步地，反應燒結的溫度為1700℃～1800℃。具體地，步驟s170在真空高溫燒結爐中進行。將第二預制坯和硅粉進行反應燒結，第二預制坯中的碳與滲入的硅反應，生成鋅的碳化硅，并與原有的顆粒碳化硅相結合，游離硅填充了氣孔，...

驅動襯套2包括***襯套部210和第二襯套部220，從而在驅動軸3與驅動襯套2連接時，驅動連接部310與***襯套部210中的驅動通孔211匹配；在驅動襯套2與工藝盤轉軸1連接時，工藝盤轉軸1的安裝孔與第二襯套部220的側面相配合。即，本實用新型的實施例中工藝盤轉軸1與驅動襯套2之間的配合面以及驅動襯套2與驅動軸3之間的配合面是軸向錯開的。如圖10、圖12所示，三者連接在一起后，工藝盤轉軸1與驅動襯套2的***襯套部210之間存在空隙，驅動軸3與驅動襯套2的第二襯套部220之間存在空隙，從而在三者進行裝配時，驅動通孔211過緊時***襯套部210可以向其外側的縫隙膨脹，安裝孔過緊時第二...

圖8是本實用新型提供的工藝盤組件中驅動襯套與驅動軸連接前的位姿關系示意圖；圖9是本實用新型提供的工藝盤組件中驅動襯套與驅動軸連接后的局部剖面示意圖；圖10是本實用新型提供的工藝盤組件中工藝盤轉軸與驅動襯套和驅動軸連接后的結構示意圖；圖11是本實用新型提供的工藝盤組件中工藝盤轉軸與驅動襯套和驅動軸連接前的位姿關系示意圖；圖12是本實用新型提供的工藝盤組件中工藝盤轉軸與驅動襯套和驅動軸連接后的局部剖面示意圖；圖13是本實用新型提供的工藝盤組件中傳動筒的結構示意圖；圖14是本實用新型提供的工藝盤組件中傳動筒與驅動軸固定連接前的位姿關系示意圖；圖15是本實用新型提供的工藝盤組件中傳動筒與驅動軸...

嚴格控制在國家規(guī)定的排放標準內(nèi)，項目建設不會對區(qū)域生態(tài)環(huán)境產(chǎn)生明顯的影響。（九）項目總投資及資金構成項目預計總投資，其中固定資產(chǎn)投資，占項目總投資的；流動資金，占項目總投資的。（十）資金籌措該項目現(xiàn)階段投資均由企業(yè)自籌。（十一）項目預期經(jīng)濟效益規(guī)劃目標預期達產(chǎn)年營業(yè)收入，總成本費用，稅金及附加，利潤總額，利稅總額，稅后凈利潤，達產(chǎn)年納稅總額；達產(chǎn)年投資利潤率，投資利稅率，投資回報率，全部投資回收期，提供就業(yè)職位470個。（十二）進度規(guī)劃本期工程項目建設期限規(guī)劃12個月。項目承辦單位要在技術準備、人員配備、施工機械、材料供應等方面給予充分保證。二、項目評價1、本期工程項目符合國家產(chǎn)業(yè)發(fā)展...

并實現(xiàn)對工藝盤的角度進行調整，進一步推薦地，當采用上述配合面軸向錯開的設計時，驅動通孔211與驅動連接部310之間為過盈配合，第二襯套部220的圓柱面與安裝孔之間為過盈配合。在本實用新型的實施例中，設置工藝盤轉軸1、驅動襯套2與驅動軸3之間均為過盈配合，從而使得工藝盤轉軸1和驅動襯套2能夠在安裝后保持與驅動軸3之間的同軸度。并且，*通過調整驅動軸3的朝向即可微調工藝盤轉軸1的角度，并**終實現(xiàn)對工藝盤的角度進行調整。為避免驅動通孔211與驅動連接部310之間的配合面尺寸的偏差導致零件損壞，推薦地，如圖6所示，驅動通孔211的內(nèi)壁上形成有避讓槽211a，避讓槽211a與驅動通孔211內(nèi)壁...

所述第二基準塊與**基準塊一體成型；所述**基準塊的一側設置有**基準面，所述第二基準塊上設置有第二基準面，所述第二基準面垂直于**基準面，所述**基準面和第二基準面的連接處設置有與**基準塊和第二基準塊連接的圓弧避讓槽；所述**基準塊和第二基準塊遠離圓弧避讓槽的一側設置有圓弧基準臺，所述圓弧基準臺的圓心位于**基準面與第二基準面的連接處。采用此技術方案，設置的**基準面和第二基準面有助于半導體零件的貼合；設置的圓弧避讓槽不*有助于抓數(shù)治具的加工，而且有助于半導體零件的貼合；設置的圓弧基準臺有助于通過圓弧的切邊抓數(shù)以計算或抓取半導體零件的尺寸以及導角的尺寸。作為推薦，所示抓數(shù)治具還設置...

以避免軸承座10與工藝腔碰撞導致傳送組件精度下降。為進一步提高傳動筒4的穩(wěn)定性，避免外界物質進入軸承座10，推薦地，如圖3、圖4所示，工藝盤組件還包括密封襯套5，密封襯套5環(huán)繞設置在傳動筒4的外壁上。需要說明的是，密封襯套5與軸承座之間為固定連接關系，如圖4所示，推薦地，密封襯套5的內(nèi)壁上還設置有用于容納密封圈的密封圈槽，在傳動筒4轉動時，與軸承座固定連接的密封襯套5持續(xù)地與傳動筒4摩擦。為提高密封襯套5的耐磨性能，推薦地，密封襯套5為不銹鋼材料。在實驗研究中，發(fā)明人還發(fā)現(xiàn)，現(xiàn)有的半導體設備工藝效果不佳的原因在于，個別軸套類部件上的密封件在傳動機構的運動過程中會逐漸沿軸向移動，偏離預定...

并實現(xiàn)對工藝盤的角度進行調整，進一步推薦地，當采用上述配合面軸向錯開的設計時，驅動通孔211與驅動連接部310之間為過盈配合，第二襯套部220的圓柱面與安裝孔之間為過盈配合。在本實用新型的實施例中，設置工藝盤轉軸1、驅動襯套2與驅動軸3之間均為過盈配合，從而使得工藝盤轉軸1和驅動襯套2能夠在安裝后保持與驅動軸3之間的同軸度。并且，*通過調整驅動軸3的朝向即可微調工藝盤轉軸1的角度，并**終實現(xiàn)對工藝盤的角度進行調整。為避免驅動通孔211與驅動連接部310之間的配合面尺寸的偏差導致零件損壞，推薦地，如圖6所示，驅動通孔211的內(nèi)壁上形成有避讓槽211a，避讓槽211a與驅動通孔211內(nèi)壁...

2.汽車光電子市場。目前汽車防撞雷達已在很多***車上得到了實用，將來肯定會越來越普及。汽車防撞雷達一般工作在毫米波段，所以肯定離不開砷化鎵甚至磷化銦，它的中頻部分才會用到鍺硅。由于全球汽車工業(yè)十分龐大，因此這是一個必定會并發(fā)的巨大市場。3.半導體照明技術的迅猛發(fā)展。基于半導體發(fā)光二極管（LED）的半導體光源具有體積小、發(fā)熱量低、耗電量小、壽命長、反應速度快、環(huán)保、耐沖擊不易破、廢棄物可回收，沒有污染，可平面封裝、易開發(fā)成輕薄短小產(chǎn)品等優(yōu)點，具有重大的經(jīng)濟技術價值和市場前景。特別是基于LED的半導體照明產(chǎn)品具有高效節(jié)能、綠色環(huán)保優(yōu)點，在全球能源資源有限和保護環(huán)境可持續(xù)發(fā)展的雙重背景下，...

以糠醛與聚碳硅烷的混合物為***碳源和預處理顆粒在該溶液中均勻分散，再以聚乙烯醇、丙烯酸及聚乙烯醇縮丁醛的混合物為粘接劑加入其中，進行球磨，球磨過程中的轉速為300轉/分，球磨時間為1h，得到第三漿料，將第三漿料在噴霧造粒塔中噴霧，得到平均尺寸為80微米的造粒粉。(3)將造粒粉均勻填滿模具，進行模壓成型，成型壓強為170mpa，保壓時間為10s，脫模得，然后置入真空包裝袋中，抽真空，再置于等靜壓機中等靜壓成型，成型壓力為400mpa，保壓時間為180s，得到***預制坯。(4)將***預制坯放置于真空排膠爐中，以每分鐘1℃的速度升溫至900℃，保溫4h，得到排膠后的***預制坯。(5)...

半導體是1種介于導電與不導電之間的1種材料，是可用來制作半導體器件以及集成電路的材料。在現(xiàn)在社會中半導體材料的利用很***，下面小編簡單介紹下半導體材料的利用吧。半導體材料的利用不同的半導體器件對于半導體材料有不同的形態(tài)請求，包含單晶的切片、磨片、拋光片、薄膜等。半導體材料的不同形態(tài)請求對于應不同的工藝。經(jīng)常使用的半導體材料工藝有提純、單晶的以及薄膜外延生長。半導體材料所有的半導體材料都需要對于原料進行提純，請求的純度在六個“九”以上，**高達一一個“九”以上。提純的法子分兩大類，1類是不扭轉材料的化學組成進行提純，稱為物理提純;另外一類是把元素先變?yōu)榛衔镞M行提純，再將提純后的化合物...

***漿料中的金屬元素的氯化物在環(huán)氧丙烷的作用下沉淀。步驟s116：將第二漿料進行噴霧，然后在真空條件、700℃～900℃下進行加熱處理，得到預處理顆粒。具體地，在閉式噴霧塔中將第二漿料進行噴霧。步驟s116中加熱處理的時間為1h～4h。將第二漿料噴霧后再進行加熱處理，使得稀土元素或鍶元素的氯化物轉化為氧化物且均勻分布在碳化硅表面。采用上述步驟能夠使稀土元素或鍶元素均勻沉降在碳化硅顆粒的表面，在后續(xù)處理過程中，稀土元素或鍶元素會存在于晶界處，具有促進燒結、降低氣孔率的作用，從而提高碳化硅陶瓷的抗彎強度等力學性能。而傳統(tǒng)的碳化硅陶瓷的制備過程中，通常將金屬元素的氧化物作為助燒劑直接與碳化...

圖8是本實用新型提供的工藝盤組件中驅動襯套與驅動軸連接前的位姿關系示意圖；圖9是本實用新型提供的工藝盤組件中驅動襯套與驅動軸連接后的局部剖面示意圖；圖10是本實用新型提供的工藝盤組件中工藝盤轉軸與驅動襯套和驅動軸連接后的結構示意圖；圖11是本實用新型提供的工藝盤組件中工藝盤轉軸與驅動襯套和驅動軸連接前的位姿關系示意圖；圖12是本實用新型提供的工藝盤組件中工藝盤轉軸與驅動襯套和驅動軸連接后的局部剖面示意圖；圖13是本實用新型提供的工藝盤組件中傳動筒的結構示意圖；圖14是本實用新型提供的工藝盤組件中傳動筒與驅動軸固定連接前的位姿關系示意圖；圖15是本實用新型提供的工藝盤組件中傳動筒與驅動軸...

以避免軸承座10與工藝腔碰撞導致傳送組件精度下降。為進一步提高傳動筒4的穩(wěn)定性，避免外界物質進入軸承座10，推薦地，如圖3、圖4所示，工藝盤組件還包括密封襯套5，密封襯套5環(huán)繞設置在傳動筒4的外壁上。需要說明的是，密封襯套5與軸承座之間為固定連接關系，如圖4所示，推薦地，密封襯套5的內(nèi)壁上還設置有用于容納密封圈的密封圈槽，在傳動筒4轉動時，與軸承座固定連接的密封襯套5持續(xù)地與傳動筒4摩擦。為提高密封襯套5的耐磨性能，推薦地，密封襯套5為不銹鋼材料。在實驗研究中，發(fā)明人還發(fā)現(xiàn)，現(xiàn)有的半導體設備工藝效果不佳的原因在于，個別軸套類部件上的密封件在傳動機構的運動過程中會逐漸沿軸向移動，偏離預定...

從而能夠緩解定位平面311兩側的應力集中現(xiàn)象，提高了驅動軸3和驅動襯套2上應力分布的均勻性。并且，在本實施例中，兩圓柱面312與驅動襯套2套孔中的相應圓柱面相配合，能夠實現(xiàn)定位平面311的精確定位，保證定位平面311與驅動襯套2套孔中的平面緊密貼合，避免平面之間的空隙導致驅動軸3和驅動襯套2在傳動過程中相互碰撞、磨損。此外，兩定位平面311以驅動軸3的軸線為對稱中心對稱設置，使得驅動軸3與驅動襯套2通過平面?zhèn)鲃訒r受到的力矩也是中心對稱的，避免了驅動襯套2與驅動軸3的軸線之間發(fā)生偏移，保證了定位精度。為提高工藝盤組件結構的整體強度，推薦地，如圖6所示，驅動襯套2包括相互連接的***襯套部...

塑膠材料項目投資立項申請報告.***章項目基本情況一、項目概況（一）項目名稱塑膠材料項目（二）項目選址某某產(chǎn)業(yè)示范園區(qū)項目屬于相關制造行業(yè)，投資項目對其生產(chǎn)工藝流程、設施布置等都有較為嚴格的標準化要求，為了更好地發(fā)揮其經(jīng)濟效益并綜合考慮環(huán)境等多方面的因素，根據(jù)項目選址的一般原則和項目建設地的實際情況，該項目選址應遵循以下基本原則的要求。（三）項目用地規(guī)模項目總用地面積（折合約）。（四）項目用地控制指標該工程規(guī)劃建筑系數(shù)，建筑容積率，建設區(qū)域綠化覆蓋率，固定資產(chǎn)投資強度。（五）土建工程指標項目凈用地面積，建筑物基底占地面積，總建筑面積，其中規(guī)劃建設主體工程，項目規(guī)劃綠化面積。（六）設備選...

本實用新型涉及半導體設備領域，具體地，涉及一種半導體設備中的工藝盤組件，以及一種包括該工藝盤組件的半導體設備。背景技術：半導體設備通常由工藝腔和設置在工藝腔內(nèi)的工藝盤組成，工藝盤用于承載待加工的工件，工件與工藝腔中通入的工藝氣體發(fā)生化學反應或者由工藝氣體形成沉積物沉積在工件表面，完成晶片的外延等半導體工藝。為了保證工藝盤上熱量的均勻性，通常采用電機等設備驅動工藝盤旋轉，目前的工藝盤驅動機構通常包括滑動軸、襯套和石英轉軸。其中，石英轉軸用于驅動工藝盤旋轉，襯套套設在滑動軸上，石英轉軸套設在襯套上，且滑動軸、襯套和石英轉軸三者軸線重合，襯套通過貼合面之間的摩擦作用將滑動軸的扭矩傳遞至石英轉...

采用此技術方案，有助于減少**基準塊和第二基準塊的變形。作為推薦，所述抓數(shù)治具的表面粗糙度設置在。采用此技術方案，表面光滑便于使用，以提升半導體零件的抓數(shù)精度。本實用新型的有益效果是：設計新穎，結構簡單、合理，能夠通過設置的**基準面和第二基準面定位半導體零件的位置，并通過設置的圓弧基準臺的切邊抓取半導體零件的倒角以及崩口的尺寸，以剔除不良的半導體零件；且同一治具上設置有多個抓數(shù)治具，有助于批量檢測。上述說明*是本實用新型技術方案的概述，為了能夠更清楚了解本實用新型的技術手段，并可依照說明書的內(nèi)容予以實施，以下以本實用新型的較佳實施例并配合附圖詳細說明。本實用新型的具體實施方式由以下實...

驅動襯套2包括***襯套部210和第二襯套部220，從而在驅動軸3與驅動襯套2連接時，驅動連接部310與***襯套部210中的驅動通孔211匹配；在驅動襯套2與工藝盤轉軸1連接時，工藝盤轉軸1的安裝孔與第二襯套部220的側面相配合。即，本實用新型的實施例中工藝盤轉軸1與驅動襯套2之間的配合面以及驅動襯套2與驅動軸3之間的配合面是軸向錯開的。如圖10、圖12所示，三者連接在一起后，工藝盤轉軸1與驅動襯套2的***襯套部210之間存在空隙，驅動軸3與驅動襯套2的第二襯套部220之間存在空隙，從而在三者進行裝配時，驅動通孔211過緊時***襯套部210可以向其外側的縫隙膨脹，安裝孔過緊時第二...

PbS）很早就用于無線電檢波，氧化亞銅（Cu2O）用作固體整流器，閃鋅礦（ZnS）是熟知的固體發(fā)光材料，碳化硅（SiC）的整流檢波作用也較早被利用。硒（Se）是**早發(fā)現(xiàn)并被利用的元素半導體，曾是固體整流器和光電池的重要材料。元素半導體鍺（Ge）放大作用的發(fā)現(xiàn)開辟了半導體歷史新的一頁，從此電子設備開始實現(xiàn)晶體管化。中國的半導體研究和生產(chǎn)是從1957年***制備出高純度（～）的鍺開始的。采用元素半導體硅（Si）以后，不僅使晶體管的類型和品種增加、性能提高，而且迎來了大規(guī)模和超大規(guī)模集成電路的時代。以砷化鎵（GaAs）為**的Ⅲ－Ⅴ族化合物的發(fā)現(xiàn)促進了微波器件和光電器件的迅速發(fā)展。半導體材...

企業(yè)優(yōu)勢竭誠并努力為客戶提供質量服務獲得更多客戶信賴專業(yè)現(xiàn)有設備CNC加工中心近百余臺，具有專業(yè)的技術團隊誠信公司實行現(xiàn)代化企業(yè)管理，導入ISO2000生產(chǎn)管理系統(tǒng)創(chuàng)新追求***、迅速改善、誠信經(jīng)營；追求優(yōu)品質、高效率的服務宗旨走進博杰利恩攜手共創(chuàng)美好的明天WalkintoBojielien企業(yè)文化榮譽資質設備展示公司成立于2010年,主要以生產(chǎn)電腦、手機、醫(yī)療器械等設備的金屬、塑膠零件及配套產(chǎn)品加工、自動化配件的加工、昆山CNC加工、上海CNC加工、蘇州CNC加工以及各類治具的設計和加工。公司實行現(xiàn)代化企業(yè)管理，導入ISO2000生產(chǎn)管理系統(tǒng)，現(xiàn)有設備CNC加工中心近百余臺，具有專業(yè)...

半導體材料的應用半導體材料的早期應用：半導體的***個應用就是利用它的整流效應作為檢波器，就是點接觸二極管（也俗稱貓胡子檢波器，即將一個金屬探針接觸在一塊半導體上以檢測電磁波）。除了檢波器之外，在早期，半導體還用來做整流器、光伏電池、紅外探測器等，半導體的四個效應都用到了。從1907年到1927年，美國的物理學家研制成功晶體整流器、硒整流器和氧化亞銅整流器。1931年，蘭治和伯格曼研制成功硒光伏電池。1932年，德國先后研制成功硫化鉛、硒化鉛和碲化鉛等半導體紅外探測器，在二戰(zhàn)中用于偵測飛機和艦船。二戰(zhàn)時盟軍在半導體方面的研究也取得了很大成效，英國就利用紅外探測器多次偵測到了德國的飛機。...

從而能夠緩解定位平面311兩側的應力集中現(xiàn)象，提高了驅動軸3和驅動襯套2上應力分布的均勻性。并且，在本實施例中，兩圓柱面312與驅動襯套2套孔中的相應圓柱面相配合，能夠實現(xiàn)定位平面311的精確定位，保證定位平面311與驅動襯套2套孔中的平面緊密貼合，避免平面之間的空隙導致驅動軸3和驅動襯套2在傳動過程中相互碰撞、磨損。此外，兩定位平面311以驅動軸3的軸線為對稱中心對稱設置，使得驅動軸3與驅動襯套2通過平面?zhèn)鲃訒r受到的力矩也是中心對稱的，避免了驅動襯套2與驅動軸3的軸線之間發(fā)生偏移，保證了定位精度。為提高工藝盤組件結構的整體強度，推薦地，如圖6所示，驅動襯套2包括相互連接的***襯套部...

本實用新型涉及治具領域，尤其涉及一種針對半導體零件的抓數(shù)治具。背景技術：半導體零件即半導體晶體，晶體是脆性的，加工過程中會在邊緣形成碎石塊似的崩碎。如有較大應力加載到晶體的解理方向上，會造成很大的崩碎面積，破壞中間已加工好的表面。因此，在加工端面前，應對半導體晶體進行端面邊緣的倒角，使得在加工端面時，不容易產(chǎn)生破壞性的崩口。然而，在實際加工時，大部分的晶體多多少少的會發(fā)生不影響晶體性能的輕微崩口，以及極少部分會發(fā)生破壞性的崩口，為了防止破壞后的晶體被繼續(xù)使用，因此，我們需要制作一個治具，用于檢測晶體的崩口尺寸，將破壞嚴重的晶體剔除。技術實現(xiàn)要素：本實用新型的目的在于克服現(xiàn)有技術存在的以...

3)為：將造粒粉均勻填滿模具，進行模壓成型，成型壓強為120mpa，保壓時間為50s，脫模得到***預制坯。對比例8對比例8的碳化硅陶瓷的制備過程與實施例2的碳化硅陶瓷的制備過程相似，區(qū)別在于：步驟(3)為：將造粒粉置入真空包裝袋中，抽真空，然后置于等靜壓機中等靜壓成型，成型壓力為300mpa，保壓時間為120s，得到***預制坯。對比例9對比例9的碳化硅陶瓷的制備過程與實施例2的碳化硅陶瓷的制備過程相似，區(qū)別在于：步驟(7)中，燒結溫度為1300℃。對比例10對比例10的碳化硅陶瓷的制備過程與實施例2的碳化硅陶瓷的制備過程相似，區(qū)別在于：步驟(7)中，燒結溫度為1900℃。對比例11...