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濺鍍（SputteringDeposition）所謂濺射是用高速粒子（如氬離子等）撞擊固體表面，將固體表面的原子撞擊出來，利用這一現(xiàn)象來形成薄膜的技術(shù)即讓等離子體中的離子加速，撞擊原料靶材，將撞擊出的靶材原子淀積到對面的基片表面形成薄膜。濺射法與真...

熱CVD(HotCVD)/(thermalCVD)此方法生產(chǎn)性高，梯狀敷層性佳(不管多凹凸不平，深孔中的表面亦產(chǎn)生反應(yīng)，及氣體可到達(dá)表面而附著薄膜)等，故用途極廣。膜生成原理，例如由揮發(fā)性金屬鹵化物(MX)及金屬有機(jī)化合物(MR)等在高溫中氣相化學(xué)...

Wide-IO技術(shù)目前已經(jīng)到了第二代，可以實(shí)現(xiàn)較多512bit的內(nèi)存接口位寬，內(nèi)存接口操作頻率比較高可達(dá)1GHz，總的內(nèi)存帶寬可達(dá)68GBps，是靠前的的DDR4接口帶寬(34GBps)的兩倍。Wide-IO在內(nèi)存接口操作頻率并不高，其主要目標(biāo)市場...

濺鍍（SputteringDeposition）所謂濺射是用高速粒子（如氬離子等）撞擊固體表面，將固體表面的原子撞擊出來，利用這一現(xiàn)象來形成薄膜的技術(shù)即讓等離子體中的離子加速，撞擊原料靶材，將撞擊出的靶材原子淀積到對面的基片表面形成薄膜。濺射法與真...

探針卡的發(fā)展也應(yīng)該堅(jiān)持結(jié)合國內(nèi)的實(shí)際現(xiàn)狀,不能盲目跟從國外的發(fā)展,技術(shù)也可以引進(jìn),但是創(chuàng)新能力是無法引進(jìn)的,必須依靠自身的積聚,才能使探針卡能更好的走下去。探針卡廠家要轉(zhuǎn)變生產(chǎn)、管理模式,順應(yīng)信息、網(wǎng)絡(luò)新環(huán)境。探針卡要想發(fā)展,就要堅(jiān)持自己的創(chuàng)新,在...

晶圓探針卡的制造方法測試母板包含一個(gè)凹穴形成于下表且向內(nèi)凹入；填充緩沖物形成于凹穴內(nèi)吸收待測待測物外力；軟性電路基板位于測試母板朝向待測物面；垂直探針形成于軟件電路板上；絕緣材質(zhì)固定垂直探針；硬性件導(dǎo)電材質(zhì)包覆垂直探針加強(qiáng)其硬度，增強(qiáng)其抗形變力，進(jìn)...

探針卡的探針個(gè)數(shù)越來越多,探針間的pitch越來越小,對探針卡的質(zhì)量要求越來越高。保證晶圓測試成品率,減少探針卡測試問題,防止探針卡的異常損壞,延長探針卡的使用壽命,降低測試成本,提高測試良率和測試結(jié)果的穩(wěn)定性和準(zhǔn)確性,成為晶圓測試中重要的技術(shù)。因...

據(jù)IHS統(tǒng)計(jì)，2015年全球半導(dǎo)體營收3670億美元，預(yù)計(jì)2016年增長，達(dá)到3730億美元。中國半導(dǎo)體市場約1520億美元，預(yù)計(jì)2019年達(dá)到1790億美元，五年復(fù)合增長。中國占全球半導(dǎo)體市場比例未來幾年維持在43%左右。與國內(nèi)行業(yè)協(xié)會口徑有差異...

什么是probecard？probecard翻譯過來其實(shí)就是探針卡。探針卡是一種測試接口,主要對裸芯進(jìn)行測試,通過連接測試機(jī)和芯片,通過傳輸信號,對芯片參數(shù)進(jìn)行測試。目前我國探針卡市場發(fā)展迅速，產(chǎn)品產(chǎn)出持續(xù)擴(kuò)張，國家產(chǎn)業(yè)政策鼓勵(lì)探針卡產(chǎn)業(yè)向高技術(shù)產(chǎn)...

懸臂探針卡有多種探針尺寸，多元探針材質(zhì)；懸臂探針卡的擺針形式靈活，單層，多層皆可；懸臂探針卡的造價(jià)低廉，可以更換單根探針；懸臂探針卡用于大電流測試。懸臂探針卡是先將探針按一定角度，長度彎曲后，再用環(huán)氧樹脂固定，針位較穩(wěn)定。懸臂探針卡的主要設(shè)計(jì)參數(shù)：針位：+/-...

產(chǎn)品可用性EVG目前正在接受該系統(tǒng)的訂單，產(chǎn)品演示現(xiàn)已在位于公司總部的EVG的NILPhotonics?能力中心提供。有關(guān)EVG7300自動化SmartNIL納米壓印和晶圓級光學(xué)系統(tǒng)的更多信息，請?jiān)L問。3、EVG參加SPIEAR/VR/MR2022...

c)b0c臺系IC設(shè)計(jì)業(yè)者指出，由于大尺寸智能型手機(jī)市場需求持續(xù)被看好，造成需求量向來比較大的中小尺寸平板電腦出貨量持續(xù)走弱，因此業(yè)界普遍不看好2015年平板電腦相關(guān)芯片的訂單量。9q"g`/O1K3c:[3T2~、低階智能型手機(jī)及平板電腦出貨疲軟造成沖擊，近...

熱CVD(HotCVD)/(thermalCVD)此方法生產(chǎn)性高，梯狀敷層性佳(不管多凹凸不平，深孔中的表面亦產(chǎn)生反應(yīng)，及氣體可到達(dá)表面而附著薄膜)等，故用途極廣。膜生成原理，例如由揮發(fā)性金屬鹵化物(MX)及金屬有機(jī)化合物(MR)等在高溫中氣相化學(xué)...

鍵合焊區(qū)的損壞與共面性有關(guān)，共面性差將導(dǎo)致探針卡的過度深入更加嚴(yán)重，會產(chǎn)生更大的力并在器件鍵合焊區(qū)位置造成更大的劃痕。共面性由兩部分決定：彈簧探針的自然共面性（受與晶圓距離的影響）以及探針卡和客戶系統(tǒng)的相關(guān)性。傾斜造成斜率X、距離Y。當(dāng)測試300m...

本公司是專業(yè)提供FLASH晶圓（晶粒）測試、分類、各類IC成品測試以及其它與測試相關(guān)的加工服務(wù)型工廠。我們擁有專業(yè)的晶圓測試設(shè)備，及專業(yè)的工程技術(shù)人員,可隨時(shí)為您提供質(zhì)量的產(chǎn)品服務(wù)。在晶圓制造完成之后，是一步非常重要的測試。這步測試是晶圓生產(chǎn)過程的...

退火處理，然后用HF去除SiO2層。10、干法氧化法生成一層SiO2層，然后LPCVD沉積一層氮化硅。此時(shí)P阱的表面因SiO2層的生長與刻蝕已低于N阱的表面水平面。這里的SiO2層和氮化硅的作用與前面一樣。接下來的步驟是為了隔離區(qū)和柵極與晶面之間的...

從IC器件角度看，2016年邏輯類ASIC/ASSP芯片占全部半導(dǎo)體市場比例位22%；較好的手機(jī)、平板電腦市場推動了高容量NAND閃存的需求；DRAM供不應(yīng)求的現(xiàn)象持續(xù)到15年底，但隨著各大廠的新產(chǎn)能陸續(xù)投產(chǎn)，16年將再度出現(xiàn)供過于求的現(xiàn)象；智能手...

晶圓制造工藝1、表面清洗晶圓表面附著一層大約2um的Al2O3和甘油混合液保護(hù)之,在制作前必須進(jìn)行化學(xué)刻蝕和表面清洗。2、初次氧化有熱氧化法生成SiO2緩沖層，用來減小后續(xù)中Si3N4對晶圓的應(yīng)力氧化技術(shù)：干法氧化Si(固)+O2àSiO2(固)和...

當(dāng)前，我國超大規(guī)模和極大規(guī)模集成電路處于快速發(fā)展時(shí)期，隨著集成電路技術(shù)從深亞微米向90-65-45納米技術(shù)推進(jìn)，大幅度提高芯片測試準(zhǔn)確性和測試效率是集成電路生產(chǎn)中迫切需要解決的問題。本項(xiàng)目研發(fā)的超高速、超高頻芯片測試探針卡是實(shí)現(xiàn)集成電路超高速、超高...

EVGroup企業(yè)技術(shù)總監(jiān)ThomasGlinsner表示：“憑借20多年的納米壓印技術(shù)經(jīng)驗(yàn)，EVGroup繼續(xù)開拓這一關(guān)鍵領(lǐng)域，開發(fā)創(chuàng)新解決方案，以滿足客戶不斷變化的需求?！薄拔覀冝┬峦瞥龅募{米壓印解決方案系列EVG7300將我們的SmartNI...

探針卡的探針個(gè)數(shù)越來越多,探針間的pitch越來越小,對探針卡的質(zhì)量要求越來越高。保證晶圓測試成品率,減少探針卡測試問題,防止探針卡的異常損壞,延長探針卡的使用壽命,降低測試成本,提高測試良率和測試結(jié)果的穩(wěn)定性和準(zhǔn)確性,成為晶圓測試中重要的技術(shù)。因...

近年來，我們國家的經(jīng)濟(jì)實(shí)力以及建設(shè)事業(yè)實(shí)力不斷增強(qiáng)，與發(fā)達(dá)國家的差距也越來越小。這些都離不開探針卡等各行各業(yè)產(chǎn)品企業(yè)的不懈努力。同時(shí)，市場還在不斷發(fā)展，探針卡等產(chǎn)品行業(yè)更需不斷進(jìn)步以更好地推進(jìn)經(jīng)濟(jì)進(jìn)步。時(shí)間是在分分秒秒的流逝的，市場也是在不斷地變化的。探針卡等...

探針卡的發(fā)展也應(yīng)該堅(jiān)持結(jié)合國內(nèi)的實(shí)際現(xiàn)狀,不能盲目跟從國外的發(fā)展,技術(shù)也可以引進(jìn),但是創(chuàng)新能力是無法引進(jìn)的,必須依靠自身的積聚,才能使探針卡能更好的走下去。探針卡廠家要轉(zhuǎn)變生產(chǎn)、管理模式,順應(yīng)信息、網(wǎng)絡(luò)新環(huán)境。探針卡要想發(fā)展,就要堅(jiān)持自己的創(chuàng)新,在...

探針卡保管環(huán)境要求：1.探針卡的保管環(huán)境對針卡的壽命起到很大的作用，可以延長針卡的使用周期；2.在無塵室里面提供專門的針卡保管架；3.潔凈室的溫濕度控制可根據(jù)貴公司的溫濕度標(biāo)準(zhǔn)執(zhí)行。探針卡注意事項(xiàng)：1.嚴(yán)禁在濕度較大的地方存放；2.嚴(yán)禁在潔凈房以外...

測試探針材料的選用，必須搭配芯片焊區(qū)或凸點(diǎn)材質(zhì)來決定，一般常見的測試探針金屬選用鎢、鈸銅、鎢錸及鈀合金等。鎢具有較高的度，可以輕易刺破焊區(qū)與凸點(diǎn)氧化鋁層，降低接觸阻抗，但具有較強(qiáng)的破壞性，不適用于薄膜的測試場合；鈹銅合金一般應(yīng)用在鍍金的芯片焊區(qū)或凸點(diǎn)，提供比鎢...

整個(gè)科技行業(yè)是個(gè)倒金字塔，可以分為四個(gè)層次，較上面是軟件網(wǎng)絡(luò)等，第二層是單子系統(tǒng)，第三層芯片制造4000億美金，第四層芯片前端設(shè)備300-400億美元，年總投資>700億美元；反過來看，軟件網(wǎng)絡(luò)等公司有數(shù)百萬家，電子系統(tǒng)公司數(shù)十萬家，芯片制造公司只...

整個(gè)過程始于fab，在那里使用各種設(shè)備在晶片上處理芯片。晶圓廠的該部分稱為生產(chǎn)線前端（FEOL）。在混合鍵合中，在流動過程中要處理兩個(gè)或多個(gè)晶片。然后，將晶圓運(yùn)送到晶圓廠的另一部分，稱為生產(chǎn)線后端（BEOL）。使用不同的設(shè)備，晶圓在BEOL中經(jīng)歷了...

本公司是專業(yè)提供FLASH晶圓（晶粒）測試、分類、各類IC成品測試以及其它與測試相關(guān)的加工服務(wù)型工廠。我們擁有專業(yè)的晶圓測試設(shè)備，及專業(yè)的工程技術(shù)人員,可隨時(shí)為您提供質(zhì)量的產(chǎn)品服務(wù)。在晶圓制造完成之后，是一步非常重要的測試。這步測試是晶圓生產(chǎn)過程的...

探針卡是將探針卡上的探針直接與芯片上的焊墊或凸塊直接接觸，引出芯片訊號，再配合周邊測試儀器與軟件控制達(dá)到自動化量測的目的。探針卡應(yīng)用在IC尚未封裝前，針對裸晶系以探針做功能測試，篩選出不良品、再進(jìn)行之后的封裝工程。因此，探針卡是IC制造中對制造成本...

探針卡的發(fā)展也應(yīng)該堅(jiān)持結(jié)合國內(nèi)的實(shí)際現(xiàn)狀,不能盲目跟從國外的發(fā)展,技術(shù)也可以引進(jìn),但是創(chuàng)新能力是無法引進(jìn)的,必須依靠自身的積聚,才能使探針卡能更好的走下去。探針卡廠家要轉(zhuǎn)變生產(chǎn)、管理模式,順應(yīng)信息、網(wǎng)絡(luò)新環(huán)境。探針卡要想發(fā)展,就要堅(jiān)持自己的創(chuàng)新,在...