航瑞智能助力維尚家具打造自動(dòng)倉(cāng)儲(chǔ)系統(tǒng),實(shí)現(xiàn)成品物流智能化升級(jí)
航瑞智能:準(zhǔn)確把握倉(cāng)儲(chǔ)痛點(diǎn),打造多樣化智能倉(cāng)儲(chǔ)方案
高度集成化自動(dòng)化立體倉(cāng)庫(kù):開啟高效物流新時(shí)代_航瑞智能
探秘倉(cāng)儲(chǔ)物流中心:輸送機(jī)與RGV打造高效智能物流體系
共享裝備攜手航瑞智能打造砂芯智能倉(cāng)儲(chǔ),實(shí)現(xiàn)倉(cāng)儲(chǔ)物流智能化升級(jí)
桁架機(jī)械手與輸送機(jī):打造高效智能流水線
?采用WMS倉(cāng)庫(kù)管理系統(tǒng)能夠給企業(yè)帶來哪些好處?
?航瑞智能:精細(xì)把握倉(cāng)儲(chǔ)痛點(diǎn),打造多樣化智能倉(cāng)儲(chǔ)方案
往復(fù)式提升機(jī):垂直輸送系統(tǒng)的智能化解決方案
航瑞智能:準(zhǔn)確把握倉(cāng)儲(chǔ)痛點(diǎn),打造多樣化智能倉(cāng)儲(chǔ)方案
c)b0c臺(tái)系IC設(shè)計(jì)業(yè)者指出,由于大尺寸智能型手機(jī)市場(chǎng)需求持續(xù)被看好,造成需求量向來比較大的中小尺寸平板電腦出貨量持續(xù)走弱,因此業(yè)界普遍不看好2015年平板電腦相關(guān)芯片的訂單量。9q"g`/O1K3c:[3T2~、低階智能型手機(jī)及平板電腦出貨疲軟造成沖擊,近期又開始擔(dān)心蘋果Watch與MacBookAir等新品,是否再次造成市場(chǎng)需求旋風(fēng),一旦蘋果新品出貨再度告捷,勢(shì)必將再次侵蝕臺(tái)系IC設(shè)計(jì)業(yè)者2015年運(yùn)營(yíng)市場(chǎng)利潤(rùn)。臺(tái)系NB相關(guān)IC設(shè)計(jì)業(yè)者指出,相較于Watch卡位新興應(yīng)用的智能可穿戴式裝備市場(chǎng),MacBookAir幾乎是在全球NB市場(chǎng)猛搶市占率,讓W(xué)intel陣營(yíng)不僅面臨全球NB市場(chǎng)需求量下滑壓力,在產(chǎn)品平均單價(jià)持續(xù)重挫下,亦將沖擊臺(tái)系NB相關(guān)芯片供應(yīng)商,2015年運(yùn)營(yíng)成長(zhǎng)目標(biāo)恐大打折扣。目前臺(tái)系IC設(shè)計(jì)業(yè)者所苦等的傳統(tǒng)旺季效應(yīng),業(yè)者預(yù)期恐怕得再拖到第3季中旬過后,避開蘋果新品鋒頭后,市場(chǎng)銷售氣氛才有機(jī)會(huì)加溫。專業(yè)提供測(cè)試探針卡多少錢。河北選擇測(cè)試探針卡公司
IC測(cè)試主要分為晶圓探針卡測(cè)以及廢品測(cè)試,其主要功用為檢測(cè)出IC在制造過程中所發(fā)作的瑕疵并找出其中基本緣由,以確保產(chǎn)品良率正常及提供測(cè)試材料作為IC設(shè)計(jì)及IC制造剖析之用。晶圓探針卡測(cè)是針對(duì)整個(gè)芯片上的完好晶粒,以探針的方式扎在每顆晶粒上的焊墊停止檢測(cè),用來挑選芯片上晶粒之良品與不良品,另外在內(nèi)存晶圓測(cè)試時(shí),可針對(duì)可修護(hù)之晶粒予以雷射修補(bǔ),以進(jìn)步芯片的良率;但是,如何減少測(cè)試時(shí)間與降低測(cè)試時(shí)所發(fā)作的誤宰,則是晶圓針測(cè)中的瓶頸。在測(cè)試消費(fèi)線上,昂貴的測(cè)試機(jī)臺(tái)為主要的消費(fèi)設(shè)備,機(jī)臺(tái)折舊為主要的營(yíng)運(yùn)本錢,也就是說機(jī)臺(tái)閑置一個(gè)小時(shí)就有一個(gè)小時(shí)的折舊損失,因而,機(jī)臺(tái)的產(chǎn)能應(yīng)用率就關(guān)系到一個(gè)測(cè)試廠的營(yíng)運(yùn)情況。機(jī)臺(tái)若能不時(shí)地正常消費(fèi),這也表率著機(jī)臺(tái)以及產(chǎn)能應(yīng)用率的提升;因而,要是在消費(fèi)過程當(dāng)中有不正常的異常情況發(fā)作時(shí),如何能有效地剖析問題并即時(shí)找到相對(duì)應(yīng)的預(yù)防措施是十分重要的。在晶圓探針測(cè)試當(dāng)中,常會(huì)由于測(cè)試環(huán)境或是針測(cè)機(jī)臺(tái)參數(shù)的改動(dòng),使得針痕不正常偏移并打出開窗區(qū),形成測(cè)試時(shí)的誤宰,因此形成公司的損失,本文湊合晶圓針測(cè)中,由于不正常針痕偏移問題討論停止剖析與研討。 尋找測(cè)試探針卡銷售測(cè)試探針卡那些廠家。
真空蒸發(fā)法( Evaporation Deposition )采用電阻加熱或感應(yīng)加熱或者電子束等加熱法將原料蒸發(fā)淀積到基片上的一種常用的成膜方法。蒸發(fā)原料的分子(或原子)的平均自由程長(zhǎng)( 10 -4 Pa 以下,達(dá)幾十米),所以在真空中幾乎不與其他分子碰撞可直接到達(dá)基片。到達(dá)基片的原料分子不具有表面移動(dòng)的能量,立即凝結(jié)在基片的表面,所以,在具有臺(tái)階的表面上以真空蒸發(fā)法淀積薄膜時(shí),一般,表面被覆性(覆蓋程度)是不理想的。但若可將Crambo真空抽至超高真空( <10 – 8 torr ),并且控制電流,使得欲鍍物以一顆一顆原子蒸鍍上去即成所謂分子束磊晶生長(zhǎng)( MBE : Molecular Beam Epitaxy )。
懸臂探針卡有多種探針尺寸,多元探針材質(zhì);懸臂探針卡的擺針形式靈活,單層,多層皆可;懸臂探針卡的造價(jià)低廉,可以更換單根探針;懸臂探針卡用于大電流測(cè)試。懸臂探針卡是先將探針按一定角度,長(zhǎng)度彎曲后,再用環(huán)氧樹脂固定,針位較穩(wěn)定。懸臂探針卡的主要設(shè)計(jì)參數(shù):針位:+/-0.25mil水平:+/-0.25mil針壓:2-3g/mil+/-20%漏電流:10nA/5V接觸電阻:3/20mA懸臂探針卡有多種探針尺寸,多元探針材質(zhì);懸臂探針卡的擺針形式靈活,單層,多層皆可;懸臂探針卡的造價(jià)低廉,可以更換單根探針;懸臂探針卡用于大電流測(cè)試。懸臂探針卡是先將探針按一定角度,長(zhǎng)度彎曲后,再用環(huán)氧樹脂固定,針位較穩(wěn)定蘇州矽利康測(cè)試探針卡多少錢。
退火處理,然后用HF去除SiO2層。10、干法氧化法生成一層SiO2層,然后LPCVD沉積一層氮化硅。此時(shí)P阱的表面因SiO2層的生長(zhǎng)與刻蝕已低于N阱的表面水平面。這里的SiO2層和氮化硅的作用與前面一樣。接下來的步驟是為了隔離區(qū)和柵極與晶面之間的隔離層。11、利用光刻技術(shù)和離子刻蝕技術(shù),保留下柵隔離層上面的氮化硅層。12、濕法氧化,生長(zhǎng)未有氮化硅保護(hù)的SiO2層,形成PN之間的隔離區(qū)。13、熱磷酸去除氮化硅,然后用HF溶液去除柵隔離層位置的SiO2,并重新生成品質(zhì)更好的SiO2薄膜,作為柵極氧化層。14、LPCVD沉積多晶硅層,然后涂敷光阻進(jìn)行光刻,以及等離子蝕刻技術(shù),柵極結(jié)構(gòu),并氧化生成SiO2保護(hù)層。15、表面涂敷光阻,去除P阱區(qū)的光阻,注入砷(As)離子,形成NMOS的源漏極。用同樣的方法,在N阱區(qū),注入B離子形成PMOS的源漏極。16、利用PECVD沉積一層無摻雜氧化層,保護(hù)元件,并進(jìn)行退火處理。17、沉積摻雜硼磷的氧化層。含有硼磷雜質(zhì)的SiO2層,有較低的熔點(diǎn),硼磷氧化層(BPSG)加熱到800oC時(shí)會(huì)軟化并有流動(dòng)特性,可使晶圓表面初級(jí)平坦化。18、濺鍍前面的層金屬利用光刻技術(shù)留出金屬接觸洞,濺鍍鈦+氮化鈦+鋁+氮化鈦等多層金屬膜。離子刻蝕出布線結(jié)構(gòu)。 矽利康測(cè)試探針卡企業(yè)。湖南測(cè)試探針卡制造
蘇州矽利康測(cè)試探針卡銷售。河北選擇測(cè)試探針卡公司
探針卡的探針個(gè)數(shù)越來越多,探針間的pitch越來越小,對(duì)探針卡的質(zhì)量要求越來越高。保證晶圓測(cè)試成品率,減少探針卡測(cè)試問題,防止探針卡的異常損壞,延長(zhǎng)探針卡的使用壽命,降低測(cè)試成本,提高測(cè)試良率和測(cè)試結(jié)果的穩(wěn)定性和準(zhǔn)確性,成為晶圓測(cè)試中重要的技術(shù)。因此,開展探針卡使用問題的分析和研究具有重要的實(shí)用價(jià)值。論文的主要工作和成果如下:1.本文總結(jié)和分析了影響探針卡壽命的各種因素,并針對(duì)65納米的晶圓測(cè)試中,PM7540探針卡遇到的針尖易氧化和針跡易外擴(kuò)引起的探針消耗過快問題,提出了改進(jìn)方法。2.研究表明影響探針卡壽命的因素有機(jī)臺(tái)硬件和參數(shù)的設(shè)定、晶圓自身的影響、探針卡本身的問題、人員操作問題和測(cè)試程序的問題。并結(jié)合PM754065nm晶圓測(cè)試過程中的遇到實(shí)際問題,通過實(shí)驗(yàn)和分析,找到了造成探針卡針尖氧化和針跡外擴(kuò)的原因。3.通過對(duì)有可能造成探針卡針尖氧化原因進(jìn)行羅列、歸納和分析,探針在高溫下時(shí)間越長(zhǎng),氧化越嚴(yán)重,確定了高溫測(cè)試是造成針尖氧化的原因。4.通過對(duì)收集的實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)分析,證明了承載臺(tái)水平異常是造成針跡外擴(kuò)的主要原因。解決探針卡的針尖氧化和針跡外擴(kuò)的問題,可以更好地保護(hù)和使用探針卡,延長(zhǎng)使用壽命,進(jìn)而提高晶圓測(cè)試的穩(wěn)定性和測(cè)試成品率。 河北選擇測(cè)試探針卡公司
蘇州矽利康測(cè)試系統(tǒng)有限公司致力于儀器儀表,是一家生產(chǎn)型公司。公司業(yè)務(wù)涵蓋探針卡,探針,設(shè)備等,價(jià)格合理,品質(zhì)有保證。公司秉持誠(chéng)信為本的經(jīng)營(yíng)理念,在儀器儀表深耕多年,以技術(shù)為先導(dǎo),以自主產(chǎn)品為重點(diǎn),發(fā)揮人才優(yōu)勢(shì),打造儀器儀表良好品牌。蘇州矽利康秉承“客戶為尊、服務(wù)為榮、創(chuàng)意為先、技術(shù)為實(shí)”的經(jīng)營(yíng)理念,全力打造公司的重點(diǎn)競(jìng)爭(zhēng)力。