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    uv光催化氧化設(shè)備單板面積的選擇。單板面積過(guò)小,則板片數(shù)目多,占地面積大,阻力降減小;反之,單板面積過(guò)大,則板片數(shù)目少,占地面積小,阻力降增大,但是難以保證適當(dāng)?shù)陌彘g流速。因此一般單板面積可按角孔流速為6m/s左右考慮。板間流速的選取。流體在板間的流速,影響換熱性能和壓力降。流速高,傳熱系數(shù)高,阻力降也增大:反之,則相反。一般取板間流速為0、2-0、8m/s,且盡量使兩種流體板問(wèn)速度一致。流速小于0、2m/s時(shí),流體達(dá)不到湍流狀態(tài),且會(huì)形成較大的死角區(qū);流速過(guò)高會(huì)導(dǎo)致阻力降劇增,氣體板間流速一般不大于10m/s。uv光催化氧化設(shè)備消耗了功使排氣溫度升高。象山uv光催化氧化價(jià)格行情uv光催化氧化...