長期以來，進(jìn)行變壓器/電抗器OLTC的測(cè)試一直采用直流方法測(cè)試，所獲取的波形與OLTC制造商例行測(cè)試波形進(jìn)行比對(duì)，對(duì)OLTC現(xiàn)場(chǎng)測(cè)試起到了一定作用。由于OLTC制造商在車間例行測(cè)試是對(duì)裸開關(guān)進(jìn)行測(cè)試，現(xiàn)場(chǎng)是變壓器帶繞組進(jìn)行的測(cè)試，兩者差異很大。直流方法測(cè)試受測(cè)試技術(shù)方法和技術(shù)能力限制，現(xiàn)場(chǎng)OLTC測(cè)試有時(shí)會(huì)出現(xiàn)波形無法判讀等問題，各方面工程技術(shù)人員爭(zhēng)議很大，表現(xiàn)在以下幾個(gè)方面：2.2.1直流測(cè)試法*適用于繞組中性點(diǎn)處并有中性點(diǎn)抽出的OLTC測(cè)試，對(duì)繞組中性點(diǎn)以外其它位置(線端、中部等)處的OLTC及單相變壓器OLTC不能測(cè)試。2.2.2直流測(cè)試由于其測(cè)試原理、技術(shù)能力等原因，有時(shí)測(cè)試獲取的波形與制造商給出的波形差異較大，無法給出準(zhǔn)確分析結(jié)論，OLTC反復(fù)吊出檢查與測(cè)試，影響新設(shè)備、大修后設(shè)備投運(yùn)。為防止OLTC事故，甚至將無法判定OLTC是否存在缺陷的變壓器改做無載調(diào)壓變壓器運(yùn)行。2.2.3部分直流測(cè)試波形異常無法判定OLTC動(dòng)作特性正常，以制造商質(zhì)量承諾投入運(yùn)行，不能保證OLTC的安全運(yùn)行。2.2.4變壓器設(shè)計(jì)上新技術(shù)采用，以及電抗式、真空斷路器式等的OLTC使用，直流測(cè)試方法無法完全滿足現(xiàn)場(chǎng)測(cè)試需要。2.3交流測(cè)試法的特點(diǎn)絕緣材料老化引發(fā)局部放電，有新型絕緣材料能有效抵抗老化及局部放電嗎？超高頻局部放電分類算法

多層固體絕緣系統(tǒng)憑借其優(yōu)良的絕緣性能在高壓設(shè)備中廣泛應(yīng)用，但它也存在隱患。沿著多層固體絕緣系統(tǒng)的界面，因不同絕緣材料的特性差異以及安裝時(shí)界面貼合不緊密等原因，容易出現(xiàn)氣隙或雜質(zhì)。這些氣隙或雜質(zhì)的存在改變了電場(chǎng)分布，當(dāng)電場(chǎng)強(qiáng)度達(dá)到一定程度，就會(huì)引發(fā)局部放電。比如在變壓器繞組的絕緣包扎中，若各層絕緣紙之間有氣泡或未壓實(shí)的部位，在長期運(yùn)行的高電場(chǎng)環(huán)境下，界面處就會(huì)率先發(fā)生局部放電。局部放電產(chǎn)生的帶電粒子會(huì)沿著界面移動(dòng)，加速絕緣材料的老化，降低界面的絕緣性能，為設(shè)備運(yùn)行埋下安全隱患。振蕩波局部放電濕度要求操作不當(dāng)引發(fā)局部放電，操作流程的標(biāo)準(zhǔn)化對(duì)減少此類問題的作用有多大？

三、技術(shù)參數(shù)1、AE/AA監(jiān)測(cè)通道AE：接觸式超聲傳感器；AA：非接觸式超聲傳感器；將傳感器貼在被試品外殼表面，適用于GIS、HGIS、GIL、變壓器、環(huán)網(wǎng)柜的局部放電監(jiān)測(cè)，能有效檢出絕緣缺陷，主要技術(shù)參數(shù)：監(jiān)測(cè)頻率：20k～200kHz（可根據(jù)需求而定制）；測(cè)量范圍：0-30mV；靈敏度：≤5Pc。2、UHF監(jiān)測(cè)通道將傳感器置于盆式絕緣子處，適用于GIS、HGIS、GIL的局部放電監(jiān)測(cè),主要技術(shù)參數(shù)：監(jiān)測(cè)頻率：300M～1500MHz；等效高度≥10mm（可根據(jù)需求而定制）；靈敏度：≤1PC（實(shí)驗(yàn)室環(huán)境）

GIS設(shè)備和主變壓器的局放檢測(cè)過程通常包括以下步驟：

準(zhǔn)備工作：確保檢測(cè)設(shè)備處于良好狀態(tài)，并進(jìn)行校準(zhǔn)。對(duì)GIS設(shè)備和主變進(jìn)行清潔，確保無塵土和異物影響檢測(cè)結(jié)果。斷開與設(shè)備相關(guān)的負(fù)載，確保在無負(fù)荷或低負(fù)荷條件下進(jìn)行檢測(cè)。

特高頻局放檢測(cè)：安裝特高頻局放檢測(cè)設(shè)備，通常包括傳感器、前置放大器和頻譜分析器。設(shè)置合適的檢測(cè)頻率范圍和閾值。對(duì)GIS設(shè)備和主變進(jìn)行掃描，記錄特高頻信號(hào)的強(qiáng)度和分布。分析記錄的數(shù)據(jù)，識(shí)別異常放電源。

超聲波局放檢測(cè)：使用超聲波探測(cè)器或聽音器，在設(shè)備周圍移動(dòng)以搜索放電聲。監(jiān)測(cè)和記錄超聲波信號(hào)，注意信號(hào)的強(qiáng)度和特征。分析超聲波信號(hào)的模式和來源，確定放電位置。對(duì)于發(fā)現(xiàn)的異常放電，進(jìn)行標(biāo)記以便進(jìn)一步分析和處理。

數(shù)據(jù)分析與評(píng)估：將特高頻和超聲波檢測(cè)的結(jié)果進(jìn)行綜合分析。根據(jù)放電的大小、類型和位置評(píng)估設(shè)備的健康狀況。確定是否需要立即采取維修措施或安排后續(xù)的詳細(xì)檢查。

報(bào)告編寫：編寫詳細(xì)的檢測(cè)報(bào)告，包括檢測(cè)方法、過程、結(jié)果和建議。報(bào)告應(yīng)提交給相關(guān)的維護(hù)和管理人員，作為設(shè)備維護(hù)和決策的依據(jù)。

后續(xù)行動(dòng)：根據(jù)檢測(cè)結(jié)果，制定維修計(jì)劃或預(yù)防性維護(hù)措施。對(duì)發(fā)現(xiàn)的問題進(jìn)行修復(fù)，并進(jìn)行必要的性能測(cè)試以確保修復(fù)質(zhì)量。 電應(yīng)力過載引發(fā)局部放電，電力系統(tǒng)的諧波對(duì)其有何影響，如何治理諧波？

為了降低電力設(shè)備的局部放電（Partial Discharge, PD），可以采取一系列的方法與實(shí)踐，包括設(shè)計(jì)優(yōu)化、材料選擇、制造工藝、運(yùn)行維護(hù)和環(huán)境控制等多個(gè)方面：設(shè)計(jì)優(yōu)化：優(yōu)化設(shè)備的幾何結(jié)構(gòu)，確保均勻的電場(chǎng)分布，避免高電場(chǎng)強(qiáng)度區(qū)域的形成。設(shè)計(jì)合理的絕緣間隙和爬電距離，以適應(yīng)不同的運(yùn)行條件和電壓等級(jí)。使用有限元分析等計(jì)算工具預(yù)測(cè)和優(yōu)化電場(chǎng)分布，預(yù)防局部放電的發(fā)生。材料選擇：選用高質(zhì)量的絕緣材料，具有良好的電氣性能和耐老化特性。對(duì)絕緣材料進(jìn)行干燥處理，減少水分含量，因?yàn)樗质蔷植糠烹姷闹匾T因之一。制造工藝：嚴(yán)格控制制造過程，確保絕緣件無缺陷，如氣泡、裂紋或夾雜物。對(duì)絕緣表面進(jìn)行光滑處理，減少表面粗糙度，降低表面放電的可能性。操作不當(dāng)引發(fā)局部放電，不同類型電力設(shè)備因操作不當(dāng)引發(fā)局部放電的風(fēng)險(xiǎn)是否相同？帶電局部放電監(jiān)測(cè)診斷報(bào)告

IEEE研究數(shù)據(jù)表明：中高壓系統(tǒng)故障中約80%與局部放電活動(dòng)密切相關(guān)。超高頻局部放電分類算法

研究方法通常包括實(shí)驗(yàn)室測(cè)試和數(shù)值模擬兩種：實(shí)驗(yàn)室測(cè)試：通過局部放電檢測(cè)設(shè)備（如UHF法、電氣法、聲學(xué)法等）對(duì)材料樣本進(jìn)行測(cè)試，評(píng)估材料在不同電壓、溫度和環(huán)境條件下的局部放電特性。數(shù)值模擬：使用有限元分析（FEA）等計(jì)算機(jī)模擬技術(shù)，模擬絕緣材料中的電場(chǎng)分布和局部放電行為，預(yù)測(cè)材料在實(shí)際運(yùn)行條件下的性能。通過這些研究，可以確定新型絕緣材料是否適合特定的應(yīng)用，并為其在高壓電力設(shè)備中的使用提供科學(xué)依據(jù)。此外，研究成果還可用于指導(dǎo)新型絕緣材料的設(shè)計(jì)和改良，以滿足智能電網(wǎng)對(duì)高性能絕緣材料的需求。超高頻局部放電分類算法