由于門極的測量電壓太低(VGE=0V )而不是門極的門檻電壓，在實(shí)際開關(guān)中存在的米勒效應(yīng)（Miller 效應(yīng)）在測量中也沒有被包括在內(nèi)，在實(shí)際使用中的門極電容Cin值要比IGBT 數(shù)據(jù)手冊中給出的電容Cies 值大很多。因此，在IGBT數(shù)據(jù)手冊中給出的電容Cies值在實(shí)際應(yīng)用中**只能作為一個(gè)參考值使用。確定IGBT 的門極電荷對于設(shè)計(jì)一個(gè)驅(qū)動器來說，**重要的參數(shù)是門極電荷QG(門極電壓差時(shí)的IGBT 門極總電荷)，如果在IGBT 數(shù)據(jù)手冊中能夠找到這個(gè)參數(shù)，那么我們就可以運(yùn)用公式計(jì)算出：門極驅(qū)動能量 E = QG · UGE = QG · [ VG(on) - VG(off) ]打印機(jī)驅(qū)動程序使計(jì)算機(jī)能夠識別和使用打印機(jī)。虹口區(qū)優(yōu)勢驅(qū)動電路生產(chǎn)企業(yè)

另外在IGBT驅(qū)動器選擇中還應(yīng)該注意的參數(shù)包括絕緣電壓Visol IO 和dv/dt 能力。Rlimit =10～100Ω,C=10～470μF,Creset=10nF.一、柵極電阻Rg的作用1、消除柵極振蕩絕緣柵器件(IGBT、MOSFET)的柵射（或柵源）極之間是容性結(jié)構(gòu)，柵極回路的寄生電感又是不可避免的，如果沒有柵極電阻，那柵極回路在驅(qū)動器驅(qū)動脈沖的激勵(lì)下要產(chǎn)生很強(qiáng)的振蕩，因此必須串聯(lián)一個(gè)電阻加以迅速衰減。2、轉(zhuǎn)移驅(qū)動器的功率損耗電容電感都是無功元件，如果沒有柵極電阻，驅(qū)動功率就將絕大部分消耗在驅(qū)動器內(nèi)部的輸出管上，使其溫度上升很多。奉賢區(qū)質(zhì)量驅(qū)動電路設(shè)計(jì)LED驅(qū)動電路：專門設(shè)計(jì)用于驅(qū)動LED，通常包括恒流源電路，以確保LED在安全的電流范圍內(nèi)工作。

表1 IGBT門極驅(qū)動條件與器件特性的關(guān)系由于IGBT的開關(guān)特性和安全工作區(qū)隨著柵極驅(qū)動電路的變化而變化，因而驅(qū)動電路性能的好壞將直接影響IGBT能否正常工作。為使IGBT能可靠工作。IGBT對其驅(qū)動電路提出了以下要求。1)向IGBT提供適當(dāng)?shù)恼驏艍?。并且在IGBT導(dǎo)通后。柵極驅(qū)動電路提供給IGBT的驅(qū)動電壓和電流要有足夠的幅度，使IGBT的功率輸出級總處于飽和狀態(tài)。瞬時(shí)過載時(shí)，柵極驅(qū)動電路提供的驅(qū)動功率要足以保證IGBT不退出飽和區(qū)。IGBT導(dǎo)通后的管壓降與所加?xùn)旁措妷河嘘P(guān)，在漏源電流一定的情況下，VGE越高，VDS值就越低，器件的導(dǎo)通損耗就越小，這有利于充分發(fā)揮管子的工作能力。但是， VGE并非越高越好，一般不允許超過20 V，原因是一旦發(fā)生過流或短路，柵壓越高，則電流幅值越高，IGBT損壞的可能性就越大。通常，綜合考慮取+15 V為宜。

在Windows 9x下，驅(qū)動程序按照其提供的硬件支持可以分為:聲卡驅(qū)動程序、顯卡驅(qū)動程序、鼠標(biāo)驅(qū)動程序、主板驅(qū)動程序、網(wǎng)絡(luò)設(shè)備驅(qū)動程序、打印機(jī)驅(qū)動程序、掃描儀驅(qū)動程序等等。為什么沒有CPU、內(nèi)存驅(qū)動程序呢？因?yàn)镃PU和內(nèi)存無需驅(qū)動程序便可使用，不僅如此，絕大多數(shù)鍵盤、鼠標(biāo)、硬盤、軟驅(qū)、顯示器和主板上的標(biāo)準(zhǔn)設(shè)備都可以用Windows自帶的標(biāo)準(zhǔn)驅(qū)動程序來驅(qū)動，當(dāng)然其它特定功能除外。如果你需要在Windows系統(tǒng)中的DOS模式下使用光驅(qū)，那么還需要在DOS模式下安裝光驅(qū)驅(qū)動程序。這些開關(guān)器件的開通和關(guān)斷狀態(tài)決定了主電路中的電流流向和大小，從而實(shí)現(xiàn)了對電子設(shè)備的精確控制。

非隔離驅(qū)動電路：不具有電氣隔離結(jié)構(gòu)，多采用電阻、二極管、三極管或非隔離型驅(qū)動芯片。按常見形式分類：直接驅(qū)動：由單個(gè)電子元器件（如二極管、三極管、電阻、電容等）連接起來組成的驅(qū)動電路，多用于功能簡單的小功率驅(qū)動場合。隔離驅(qū)動：電路包含隔離器件，常用的有光耦驅(qū)動、變壓器驅(qū)動以及隔離電容驅(qū)動等。**驅(qū)動集成芯片：在數(shù)字電源中應(yīng)用***，許多驅(qū)動芯片自帶保護(hù)和隔離功能。功率開關(guān)管常用驅(qū)動MOSFET驅(qū)動：MOSFET常用于中小功率數(shù)字電源，其驅(qū)動電壓范圍一般在-10~20V之間。MOSFET對驅(qū)動電路的功率要求不高，在低頻場合可利用三極管直接驅(qū)動，而在高頻場合多采用變壓器或**芯片進(jìn)行驅(qū)動。IGBT驅(qū)動電路分為正壓驅(qū)動和負(fù)壓驅(qū)動，負(fù)壓關(guān)斷可以避免誤導(dǎo)通風(fēng)險(xiǎn)，加快關(guān)斷速度，減小關(guān)斷損耗。閔行區(qū)國產(chǎn)驅(qū)動電路圖片

直接接地驅(qū)動：功率器件的接地端電位恒定，常用的有推挽驅(qū)動以及圖騰柱驅(qū)動等。虹口區(qū)優(yōu)勢驅(qū)動電路生產(chǎn)企業(yè)

優(yōu)良的驅(qū)動電路對變換器性能的影響驅(qū)動電路1.提高系統(tǒng)可靠性2.提高變換效率(開關(guān)器件開關(guān)、導(dǎo)通損耗)3.減小開關(guān)器件應(yīng)力(開/關(guān)過程中)4.降低EMI/EMC驅(qū)動電路為什么要采取隔離措施安規(guī)問題，驅(qū)動電路副邊與主電路有耦合關(guān)系，而驅(qū)動原邊是與控制電路連在一起， 主電路是一次電路，控制電路是ELV電路， 一次電路和ELV電路之間要做加強(qiáng)絕緣，實(shí)現(xiàn)絕緣要求一般就采取變壓器光耦等隔離措施。驅(qū)動電路采取隔離措施的條件需要隔離控制參考地與驅(qū)動信號參考地（e極） 同—驅(qū)動電路無需隔離；無需隔離控制參考地與驅(qū)動信號參考地（e極）不同—驅(qū)動電路應(yīng)隔離。虹口區(qū)優(yōu)勢驅(qū)動電路生產(chǎn)企業(yè)

祥盛芯城（上海）半導(dǎo)體有限公司是一家有著先進(jìn)的發(fā)展理念，先進(jìn)的管理經(jīng)驗(yàn)，在發(fā)展過程中不斷完善自己，要求自己，不斷創(chuàng)新，時(shí)刻準(zhǔn)備著迎接更多挑戰(zhàn)的活力公司，在上海市等地區(qū)的電子元器件中匯聚了大量的人脈以及**，在業(yè)界也收獲了很多良好的評價(jià)，這些都源自于自身的努力和大家共同進(jìn)步的結(jié)果，這些評價(jià)對我們而言是比較好的前進(jìn)動力，也促使我們在以后的道路上保持奮發(fā)圖強(qiáng)、一往無前的進(jìn)取創(chuàng)新精神，努力把公司發(fā)展戰(zhàn)略推向一個(gè)新高度，在全體員工共同努力之下，全力拼搏將共同祥盛芯城供應(yīng)和您一起攜手走向更好的未來，創(chuàng)造更有價(jià)值的產(chǎn)品，我們將以更好的狀態(tài)，更認(rèn)真的態(tài)度，更飽滿的精力去創(chuàng)造，去拼搏，去努力，讓我們一起更好更快的成長！