如:Nvidia顯卡芯片公司平均每個月會升級顯卡驅(qū)動程序2-3次。驅(qū)動程序是硬件的一部分,當(dāng)你安裝新硬件時,驅(qū)動程序是一項不可或缺的重要元件。凡是安裝一個原本不屬于你電腦中的硬件設(shè)備時,系統(tǒng)就會要求你安裝驅(qū)動程序,將新的硬件與電腦系統(tǒng)連接起來。驅(qū)動程序扮演溝通的角色,把硬件的功能告訴電腦系統(tǒng),并且也將系統(tǒng)的指令傳達給硬件,讓它開始工作。當(dāng)你在安裝新硬件時總會被要求放入“這種硬件的驅(qū)動程序”,很多人這時就開始***。不是找不到驅(qū)動程序的盤片,就是找不到文件的位置,或是根本不知道什么是驅(qū)動程序。這種放大作用確保了信號具有足夠的能量去控制其他電子器件,如電機、LED顯示屏、傳感器等。普陀區(qū)本地驅(qū)動電路生產(chǎn)企業(yè)
驅(qū)動電路(Drive Circuit),位于主電路和控制電路之間,用來對控制電路的信號進行放大的中間電路(即放大控制電路的信號使其能夠驅(qū)動功率晶體管),稱為驅(qū)動電路。驅(qū)動電路的作用:將控制電路輸出的PWM脈沖放大到足以驅(qū)動功率晶體管—開關(guān)功率放大作用?;救蝿?wù)驅(qū)動電路的基本任務(wù),就是將信息電子電路傳來的信號按照其控制目標的要求,轉(zhuǎn)換為加在電力電子器件控制端和公共端之間,可以使其開通或關(guān)斷的信號。對半控型器件只需提供開通控制信號,對全控型器件則既要提供開通控制信號,又要提供關(guān)斷控制信號,以保證器件按要求可靠導(dǎo)通或關(guān)斷。浦東新區(qū)本地驅(qū)動電路量大從優(yōu)驅(qū)動電路的設(shè)計通常需要考慮負載的電流、電壓要求,以及控制信號的特性。
led驅(qū)動電路是一種用于可控硅調(diào)光器的電路,分為兩類AC/ DC轉(zhuǎn)換和DC/ DC轉(zhuǎn)換兩類,又根據(jù)驅(qū)動原理的不同,可以分為線性驅(qū)動電路和開關(guān)驅(qū)動電路。LED在具體的使用時,要注意驅(qū)動電路的選用。LED 驅(qū)動電路除了要滿足安全要求外,另外的基本功能應(yīng)有兩個方面:根據(jù)能量來源的不同,LED驅(qū)動電路總體上可分為兩類,一是AC/ DC轉(zhuǎn)換,能量來自交流電,二是DC/ DC轉(zhuǎn)換,能量來自干電池、可充電電池、蓄電池等。根據(jù)LED驅(qū)動原理的不同,又可以分為線性驅(qū)動電路和開關(guān)驅(qū)動電路。
IGBT 的開關(guān)特性主要取決于IGBT的門極電荷及內(nèi)部和外部的電阻。圖1是IGBT 門極電容分布示意圖,其中CGE 是柵極-發(fā)射極電容、CCE 是集電極-發(fā)射極電容、CGC 是柵極-集電極電容或稱米勒電容(Miller Capacitor)。門極輸入電容Cies 由CGE 和CGC 來表示,它是計算IGBT 驅(qū)動器電路所需輸出功率的關(guān)鍵參數(shù)。該電容幾乎不受溫度影響,但與IGBT集電極-發(fā)射極電壓VCE 的電壓有密切聯(lián)系。在IGBT數(shù)據(jù)手冊中給出的電容Cies 的值,在實際電路應(yīng)用中不是一個特別有用的參數(shù),因為它是通過電橋測得的,在測量電路中,加在集電極上C 的電壓一般只有25V(有些廠家為10V),在這種測量條件下,所測得的結(jié)電容要比VCE=600V 時要大一些(如圖2)。以MOS管為例,當(dāng)柵極電壓達到一定的閾值時,MOS管會導(dǎo)通;
2)能向IGBT提供足夠的反向柵壓。在IGBT關(guān)斷期間,由于電路中其他部分的工作,會在柵極電路中產(chǎn)生一些高頻振蕩信號,這些信號輕則會使本該截止的IGBT處于微通狀態(tài),增加管子的功耗。重則將使調(diào)壓電路處于短路直通狀態(tài)。因此,比較好給處于截止?fàn)顟B(tài)的IGBT加一反向柵壓(幅值一般為5~15 V),使IGBT在柵極出現(xiàn)開關(guān)噪聲時仍能可靠截止。3)具有柵極電壓限幅電路,保護柵極不被擊穿。IGBT柵極極限電壓一般為+20 V,驅(qū)動信號超出此范圍就可能破壞柵極。4)由于IGBT多用于高壓場合。要求有足夠的輸入、輸出電隔離能力。所以驅(qū)動電路應(yīng)與整個控制電路在電位上嚴格隔離,一般采用高速光耦合隔離或變壓器耦合隔離。驅(qū)動電路是用于控制和驅(qū)動其他電路或設(shè)備的電路。上海推廣驅(qū)動電路哪家好
由單個電子元器件連接起來組成的驅(qū)動電路,多用于功能簡單的小功率驅(qū)動場合。普陀區(qū)本地驅(qū)動電路生產(chǎn)企業(yè)
門極驅(qū)動功率 PG = E · fSW = QG · [ VG(on) - VG(off) ] · fSW驅(qū)動器總功率 P = PG + PS(驅(qū)動器的功耗)平均輸出電流 IoutAV = PG / ΔUGE = QG · fSW比較高開關(guān)頻率 fSW max. = IoutAV(mA) / QG(μC)峰值電流IG MAX = ΔUGE / RG min = [ VG(on) - VG(off) ] / RG min其中的 RG min = RG extern + RG internfsw max. : 比較高開關(guān)頻率IoutAV :單路的平均電流QG : 門極電壓差時的 IGBT門極總電荷RG extern : IGBT 外部的門極電阻RG intern : IGBT 芯片內(nèi)部的門極電阻但是實際上在很多情況下,數(shù)據(jù)手冊中這個門極電荷參數(shù)沒有給出,門極電壓在上升過程中的充電過程也沒有描述。這時候比較好是按照 IEC 60747-9-2001 - Semiconductor devices -普陀區(qū)本地驅(qū)動電路生產(chǎn)企業(yè)
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