收音機(jī)終只要其中的上包絡(luò)信號(hào)，下包絡(luò)信號(hào)不用，中間的高頻載波信號(hào)也不需要。2．電路中各元器件作用說(shuō)明如表9-43所示是元器件作用解說(shuō)。表9-43元器件作用解說(shuō)3．檢波電路工作原理分析檢波電路主要由檢波二極管VD1構(gòu)成。在檢波電路中，調(diào)幅信號(hào)加到檢波二極管的正極，這時(shí)的檢波二極管工作原理與整流電路中的整流二極管工作原理基本一樣，利用信號(hào)的幅度使檢波二極管導(dǎo)通，如圖9-49所示是調(diào)幅波形展開后的示意圖。圖9-49調(diào)幅波形時(shí)間軸展開示意圖從展開后的調(diào)幅信號(hào)波形中可以看出，它是一個(gè)交流信號(hào)，只是信號(hào)的幅度在變化。這一信號(hào)加到檢波二極管正極，正半周信號(hào)使二極管導(dǎo)通，負(fù)半周信號(hào)使二極管截止，這樣相當(dāng)于整流電路工作一樣，在檢波二極管負(fù)載電阻R1上得到正半周信號(hào)的包絡(luò)，即信號(hào)的虛線部分，見(jiàn)圖中檢波電路輸出信號(hào)波形（不加高頻濾波電容時(shí)的輸出信號(hào)波形）。檢波電路輸出信號(hào)由音頻信號(hào)、直流成分和高頻載波信號(hào)三種信號(hào)成分組成，詳細(xì)的電路分析需要根據(jù)三種信號(hào)情況進(jìn)行展開。這三種信號(hào)中，重要的是音頻信號(hào)處理電路的分析和工作原理的理解。1）所需要的音頻信號(hào)，它是輸出信號(hào)的包絡(luò)，如圖9-50所示，這一音頻信號(hào)通過(guò)檢波電路輸出端電容C2耦合。利用這一特性，在電路中作為限幅元件，可以把信號(hào)幅度限制在一定范圍內(nèi)。中國(guó)香港進(jìn)口二極管模塊大概價(jià)格多少

高功率二極管模塊的封裝技術(shù)直接影響散熱性能和可靠性：?芯片互連?：銅帶鍵合替代鋁線，載流能力提升50%（如賽米控的SKiN技術(shù)）；?基板材料?：氮化硅（Si3N4）陶瓷基板抗彎強(qiáng)度達(dá)800MPa，適合高機(jī)械應(yīng)力場(chǎng)景；?散熱設(shè)計(jì)?：直接水冷模塊的熱阻可低至0.06℃/W（傳統(tǒng)風(fēng)冷為0.5℃/W）。例如，富士電機(jī)的6DI300C-12模塊采用雙面散熱結(jié)構(gòu)，通過(guò)上下銅底板同時(shí)導(dǎo)熱，使結(jié)溫降低20℃，允許輸出電流提升15%。此外，銀燒結(jié)工藝（燒結(jié)溫度250℃）替代傳統(tǒng)焊錫，可提升高溫循環(huán)壽命3倍以上。上海進(jìn)口二極管模塊生產(chǎn)廠家當(dāng)不存在外加電壓時(shí)，由于PN結(jié)兩邊載流子濃度差引起的擴(kuò)散電流和自建電場(chǎng)引起的漂移電流處于電平衡狀態(tài)。

快恢復(fù)二極管（FRD）模塊是高頻電源設(shè)計(jì)的**器件，其反向恢復(fù)時(shí)間（trr）和軟度因子（S-factor）直接影響EMI與效率。以光伏優(yōu)化器的Boost電路為例，采用trr=35ns的FRD模塊可將開關(guān)頻率提升至500kHz，電感體積縮小60%。設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)包括：1）降低導(dǎo)通壓降（VF）與trr的折衷優(yōu)化——通過(guò)鉑擴(kuò)散或電子輻照工藝，使trr從200ns縮短至20ns，同時(shí)VF穩(wěn)定在1.5V；2）抑制關(guān)斷振蕩，模塊內(nèi)部集成RC緩沖電路或采用低電感封裝（寄生電感＜5nH）。英飛凌的HybridPACK Drive模塊將FRD與IGBT并聯(lián)，高頻工況下?lián)p耗降低30%。

圖9-403只普通二極管構(gòu)成的簡(jiǎn)易直流穩(wěn)壓電路1．電路分析思路說(shuō)明分析一個(gè)從沒(méi)有見(jiàn)過(guò)的電路工作原理是困難的，對(duì)基礎(chǔ)知識(shí)不全的初學(xué)者而言就更加困難了。關(guān)于這一電路的分析思路主要說(shuō)明如下。1）從電路中可以看出3只二極管串聯(lián)，根據(jù)串聯(lián)電路特性可知，這3只二極管如果導(dǎo)通會(huì)同時(shí)導(dǎo)通，如果截止會(huì)同時(shí)截止。2）根據(jù)二極管是否導(dǎo)通的判斷原則分析，在二極管的正極接有比負(fù)極高得多的電壓，無(wú)論是直流還是交流的電壓，此時(shí)二極管均處于導(dǎo)通狀態(tài)。從電路中可以看出，在VD1正極通過(guò)電阻R1接電路中的直流工作電壓+V，VD3的負(fù)極接地，這樣在3只串聯(lián)二極管上加有足夠大的正向直流電壓。由此分析可知，3只二極管VD1、VD2和VD3是在直流工作電壓+V作用下導(dǎo)通的。3）從電路中還可以看出，3只二極管上沒(méi)有加入交流信號(hào)電壓，因?yàn)樵赩D1正極即電路中的A點(diǎn)與地之間接有大容量電容C1，將A點(diǎn)的任何交流電壓旁路到地端。2．二極管能夠穩(wěn)定直流電壓原理說(shuō)明電路中，3只二極管在直流工作電壓的正向偏置作用下導(dǎo)通，導(dǎo)通后對(duì)這一電路的作用是穩(wěn)定了電路中A點(diǎn)的直流電壓。眾所周知，二極管內(nèi)部是一個(gè)PN結(jié)的結(jié)構(gòu)，PN結(jié)除單向?qū)щ娞匦灾膺€有許多特性，其中之一是二極管導(dǎo)通后其管壓降基本不變。目前，市場(chǎng)上有光伏防反二極管模塊與普通二極管模塊兩種類型可供選擇。

[4]二極管發(fā)光二極管發(fā)光二極管是一種將電能直接轉(zhuǎn)換成光能的半導(dǎo)體固體顯示器件，簡(jiǎn)稱LED(LightEmittingDiode)。和普通二發(fā)光二極管極管相似，發(fā)光二極管也是由一個(gè)PN結(jié)構(gòu)成。發(fā)光二極管的PN結(jié)封裝在透明塑料殼內(nèi)，外形有方形、矩形和圓形等。發(fā)光二極管的驅(qū)動(dòng)電壓低、工作電流小，具有很強(qiáng)的抗振動(dòng)和沖擊能力、體積小、可靠性高、耗電省和壽命長(zhǎng)等優(yōu)點(diǎn)，廣用于信號(hào)指示等電路中。[4]在電子技術(shù)中常用的數(shù)碼管，發(fā)光二極管的原理與光電二極管相反。當(dāng)發(fā)光二極管正向偏置通過(guò)電流時(shí)會(huì)發(fā)出光來(lái)，這是由于電子與空穴直接復(fù)合時(shí)放出能量的結(jié)果。它的光譜范圍比較窄，其波長(zhǎng)由所使用的基本材料而定。[4]二極管特性參數(shù)編輯用來(lái)表示二極管的性能好壞和適用范圍的技術(shù)指標(biāo)，稱為二極管的參數(shù)。不同類型的二極管有不同的特性參數(shù)。[4]二極管伏安特性二極管具有單向?qū)щ娦?，二極管的伏安特性曲線如圖所示[5]。二極管的伏安特性曲線在二極管加有正向電壓，當(dāng)電壓值較小時(shí)，電流極??；當(dāng)電壓超過(guò)，電流開始按指數(shù)規(guī)律增大，通常稱此為二極管的開啟電壓；當(dāng)電壓達(dá)到約，二極管處于完全導(dǎo)通狀態(tài)，通常稱此電壓為二極管的導(dǎo)通電壓，用符號(hào)UD表示[4]。對(duì)于鍺二極管，開啟電壓為。當(dāng)外界有正向電壓偏置時(shí)，外界電場(chǎng)和自建電場(chǎng)的互相抑消作用使載流子的擴(kuò)散電流增加引起了正向電流。中國(guó)香港進(jìn)口二極管模塊大概價(jià)格多少

P型半導(dǎo)體是在本征半導(dǎo)體（一種完全純凈的、結(jié)構(gòu)完整的半導(dǎo)體晶體）摻入少量三價(jià)元素雜質(zhì)，如硼等。中國(guó)香港進(jìn)口二極管模塊大概價(jià)格多少

外界電場(chǎng)和自建電場(chǎng)的互相抑消作用使載流子的擴(kuò)散電流增加引起了正向電流。當(dāng)外界有反向電壓偏置時(shí)，外界電場(chǎng)和自建電場(chǎng)進(jìn)一步加強(qiáng)，形成在一定反向電壓范圍內(nèi)與反向偏置電壓值無(wú)關(guān)的反向飽和電流。[5]當(dāng)外加的反向電壓高到一定程度時(shí)，PN結(jié)空間電荷層中的電場(chǎng)強(qiáng)度達(dá)到臨界值產(chǎn)生載流子的倍增過(guò)程，產(chǎn)生大量電子空穴對(duì)，產(chǎn)生了數(shù)值很大的反向擊穿電流，稱為二極管的擊穿現(xiàn)象。PN結(jié)的反向擊穿有齊納擊穿和雪崩擊穿之分。[5]二極管PN結(jié)形成原理P型半導(dǎo)體是在本征半導(dǎo)體（一種完全純凈的、結(jié)構(gòu)完整的半導(dǎo)體晶體）摻入少量三價(jià)元素雜質(zhì)，如硼等。P型和N型半導(dǎo)體因硼原子只有三個(gè)價(jià)電子，它與周圍的硅原子形成共價(jià)鍵，因缺少一個(gè)電子，在晶體中便產(chǎn)生一個(gè)空位，當(dāng)相鄰共價(jià)鍵上的電子獲得能量時(shí)就有可能填補(bǔ)這個(gè)空位，使硼原子成了不能移動(dòng)的負(fù)離子，而原來(lái)的硅原子的共價(jià)鍵則因缺少一個(gè)電子，形成了空穴，但整個(gè)半導(dǎo)體仍呈中性。這種P型半導(dǎo)體中以空穴導(dǎo)電為主，空穴為多數(shù)載流子，自由電子為少數(shù)載流子。[6]N型半導(dǎo)體形成的原理和P型原理相似。在本征半導(dǎo)體中摻入五價(jià)原子，如磷等。摻入后，它與硅原子形成共價(jià)鍵，產(chǎn)生了自由電子。在N型半導(dǎo)體中，電子為多數(shù)載流子。中國(guó)香港進(jìn)口二極管模塊大概價(jià)格多少