公司嚴格執(zhí)行 ISO9001:2008 質(zhì)量管理體系與 8S 現(xiàn)場管理標準,通過工藝革新與設(shè)備升級實現(xiàn)生產(chǎn)過程的低污染、低能耗。注塑廢氣、噴涂廢氣經(jīng)多級凈化處理后達標排放,生活污水經(jīng)預(yù)處理后納入市政管網(wǎng),冷卻水循環(huán)利用率達 100%。危險廢物(如廢機油、含油抹布)均委托專業(yè)機構(gòu)安全處置,一般工業(yè)固廢(如邊角料、廢包裝材料)則通過回收或再生利用實現(xiàn)資源循環(huán)。
公司持續(xù)研發(fā)環(huán)保型材料,例如開發(fā)水性感光膠替代傳統(tǒng)油性產(chǎn)品,降低有機溶劑使用量;優(yōu)化錫膏助焊劑配方,減少焊接過程中的煙霧與異味。此外,其 BGA 助焊膏采用低溫固化技術(shù),在提升焊接效率的同時降低能源消耗。通過與科研機構(gòu)合作,公司還在探索生物基材料在半導(dǎo)體封裝中的應(yīng)用,為行業(yè)低碳發(fā)展提供新路徑。
水性感光膠推薦吉田 JT-1200,水油兼容配方,鋼片加工精度 ±5μm!河南水性光刻膠
? 化學(xué)反應(yīng):
? 正性膠:曝光后光敏劑(如重氮醌DQN)分解,生成羧酸,在堿性顯影液中溶解;
? 負性膠:曝光后光敏劑引發(fā)交聯(lián)劑與樹脂形成不溶性網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)。
5. 顯影(Development)
? 顯影液:
? 正性膠:堿性水溶液(如0.26N四甲基氫氧化銨TMAH),溶解曝光區(qū)域;
? 負性膠:有機溶劑(如二甲苯、醋酸丁酯),溶解未曝光區(qū)域。
? 方法:噴淋顯影(PCB)或沉浸式顯影(半導(dǎo)體),時間30秒-2分鐘,需控制顯影液濃度和溫度。
6. 后烘(Post-Bake)
? 目的:固化膠膜,提升耐蝕刻性和熱穩(wěn)定性。
? 條件:
? 溫度:100-150℃(半導(dǎo)體用正性膠可能更高,如180℃);
? 時間:15-60分鐘(厚膠或高耐蝕需求時延長)。
7. 蝕刻/離子注入(后續(xù)工藝)
? 蝕刻:以膠膜為掩膜,通過濕法(酸堿溶液)或干法(等離子體)刻蝕基板材料(如硅、金屬、玻璃);
? 離子注入:膠膜保護未曝光區(qū)域,使雜質(zhì)離子只能注入曝光區(qū)域(半導(dǎo)體摻雜工藝)。
8. 去膠(Strip)
? 方法:
? 濕法去膠:強氧化劑(如硫酸+雙氧水)或有機溶劑(如N-甲基吡咯烷酮NMP);
? 干法去膠:氧等離子體灰化(半導(dǎo)體領(lǐng)域,無殘留)。
甘肅負性光刻膠價格吉田質(zhì)量管控與認證壁壘。
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正性光刻膠(如 YK-300)
應(yīng)用場景:用于芯片的精細圖案化,如集成電路(IC)、分立器件(二極管、三極管)的制造。
特點:高分辨率(可達亞微米級),適用于多層光刻工藝,確保芯片電路的高精度與可靠性。
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負性光刻膠(如 JT-1000)
應(yīng)用場景:用于功率半導(dǎo)體(如 MOSFET、IGBT)的制造,以及傳感器(如 MEMS)的微結(jié)構(gòu)成型。
特點:抗蝕刻能力強,適合復(fù)雜圖形的轉(zhuǎn)移,尤其在深寬比要求較高的工藝中表現(xiàn)優(yōu)異。
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納米壓印光刻膠(JT-2000)
應(yīng)用場景:第三代半導(dǎo)體(GaN、SiC)芯片、量子點器件及微流控芯片的制造。特點:耐高溫(250℃)、耐酸堿,支持納米級精度圖案復(fù)制,降低芯片的制造成本。
? 正性光刻膠
? YK-300:適用于半導(dǎo)體制造,具備高分辨率(線寬≤10μm)、耐高溫(250℃)、耐酸堿腐蝕特性,主要用于28nm及以上制程的晶圓制造,適配UV光源(365nm/405nm)。
? 技術(shù)優(yōu)勢:采用進口樹脂及光引發(fā)劑,絕緣阻抗高(>10^14Ω),滿足半導(dǎo)體器件對絕緣性的嚴苛要求。
? 負性光刻膠
? JT-1000:負性膠,主打優(yōu)異抗深蝕刻性能,分辨率達3μm,適用于功率半導(dǎo)體、MEMS器件制造,可承受氫氟酸(HF)、磷酸(H3PO4)等強腐蝕液處理。
? SU-3:經(jīng)濟型負性膠,性價比高,適用于分立器件及低端邏輯芯片,光源適應(yīng)性廣(248nm-436nm),曝光靈敏度≤200mJ/cm2。
2. 顯示面板光刻膠
? LCD正性光刻膠YK-200:專為TFT-LCD制程設(shè)計,具備高涂布均勻性(膜厚誤差±1%)、良好的基板附著力,用于彩色濾光片(CF)和陣列基板(Array)制造,支持8.5代線以上大規(guī)模生產(chǎn)。
? 水性感光膠JT-1200:環(huán)保型產(chǎn)品,VOC含量<50g/L,符合歐盟RoHS標準,適用于柔性顯示基板,可制作20μm以下精細網(wǎng)點,主要供應(yīng)京東方、TCL等面板廠商。
吉田半導(dǎo)體助力區(qū)域經(jīng)濟發(fā)展,推動產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同創(chuàng)新。
光伏電池(半導(dǎo)體級延伸)
? HJT/TOPCon電池:在硅片表面圖形化金屬電極,使用高靈敏度光刻膠(曝光能量≤50mJ/cm2),線寬≤20μm,降低遮光損失。
? 鈣鈦礦電池:用于電極圖案化和層間隔離,需耐有機溶劑(適應(yīng)溶液涂布工藝)。
納米壓印技術(shù)(下一代光刻)
? 納米壓印光刻膠:通過模具壓印實現(xiàn)10nm級分辨率,用于3D NAND存儲孔陣列(直徑≤20nm)、量子點顯示陣列等。
微流控與生物醫(yī)療
? 微流控芯片:制造微米級流道(寬度10-100μm),材料需生物相容性(如PDMS基材適配)。
? 生物檢測芯片:通過光刻膠圖案化抗體/抗原固定位點,精度≤5μm。
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吉田半導(dǎo)體:以技術(shù)革新驅(qū)動光刻膠產(chǎn)業(yè)升級。河南水性光刻膠
先進制程瓶頸突破
KrF/ArF光刻膠的量產(chǎn)能力提升直接推動7nm及以下制程的國產(chǎn)化進程。例如,恒坤新材的KrF光刻膠已批量供應(yīng)12英寸產(chǎn)線,覆蓋7nm工藝,其工藝寬容度較日本同類型產(chǎn)品提升30%。這使得國內(nèi)晶圓廠(如中芯國際)在DUV多重曝光技術(shù)下,能夠以更低成本實現(xiàn)接近EUV的制程效果,緩解了EUV光刻機禁運的壓力。此外,武漢太紫微的T150A光刻膠通過120nm分辨率驗證,為28nm成熟制程的成本優(yōu)化提供了新方案。
EUV光刻膠研發(fā)加速
盡管EUV光刻膠目前完全依賴進口,但國內(nèi)企業(yè)已啟動關(guān)鍵技術(shù)攻關(guān)。久日新材的光致產(chǎn)酸劑實現(xiàn)噸級訂單,科技部“十四五”專項計劃投入20億元支持EUV光刻膠研發(fā)。華中科技大學(xué)團隊開發(fā)的“雙非離子型光酸協(xié)同增強響應(yīng)”技術(shù),將EUV光刻膠的靈敏度提升至0.5mJ/cm2,較傳統(tǒng)材料降低20倍曝光劑量。這些突破為未來3nm以下制程的技術(shù)儲備奠定基礎(chǔ)。
新型光刻技術(shù)融合
復(fù)旦大學(xué)團隊開發(fā)的功能型光刻膠,在全畫幅尺寸芯片上集成2700萬個有機晶體管,實現(xiàn)特大規(guī)模集成(ULSI)水平。這種技術(shù)突破不僅拓展了光刻膠在柔性電子、可穿戴設(shè)備等新興領(lǐng)域的應(yīng)用,還為碳基芯片、量子計算等顛覆性技術(shù)提供了材料支撐。
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