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來源: 發(fā)布時(shí)間:2025-04-26

????隨著無缺陷結(jié)晶和缺陷控制等材料技術(shù)、晶體外誕生長技術(shù)和擴(kuò)散摻雜技術(shù)、耐壓氧化膜的制備技術(shù)、腐蝕和光刻技術(shù)的出現(xiàn)和發(fā)展,各種性能優(yōu)良的電子器件相繼出現(xiàn),電子元器件逐步從真空管時(shí)代進(jìn)入晶體管時(shí)代和大規(guī)模、超大規(guī)模集成電路時(shí)代。逐步形成作為高技術(shù)產(chǎn)業(yè)**的半導(dǎo)體工業(yè)。由于社會(huì)發(fā)展的需要,電子裝置變的越來越復(fù)雜,這就要求了電子裝置必須具有可靠性、速度快、消耗功率小以及質(zhì)量輕、小型化、成本低特點(diǎn)。自20世紀(jì)50年代提出集成電路的設(shè)想后,由于材料技術(shù)、器件技術(shù)和電路設(shè)計(jì)綜合技術(shù)的進(jìn)步,在20世紀(jì)60年代研制成功了***代集成電路。在半導(dǎo)體發(fā)展史上。電子元器件的發(fā)展歷史實(shí)際上就是電子工業(yè)的發(fā)展歷史。上??诒玫碾娮釉骷刀嗌馘X

上??诒玫碾娮釉骷刀嗌馘X,電子元器件

????大批量產(chǎn)生才能壓低單件成本。就是關(guān)稅。所以華為的光電子器件雖然采用的是國產(chǎn)的,不需要交關(guān)稅,但是產(chǎn)生的產(chǎn)品數(shù)量有限,而且前期投入的成本太高需要回收成本,所以造成元器件的成本高于進(jìn)口成本。華為P40元器件清單小米手機(jī)小米手機(jī)的元器件大都是美國的電子元器件組裝產(chǎn)品,芯片用的是美國高通的芯片,屏幕和攝像頭用的韓國高通的,內(nèi)存條用的是美國閃迪的。所以小米的手機(jī)基本是外國貨的組裝產(chǎn)品。其價(jià)格可以是很低,這也是小米主打性價(jià)比的**關(guān)鍵的原因。小米10電子元器件清單通過這一對(duì)比,我們不禁感慨,我們的科技實(shí)力以及產(chǎn)業(yè)化之路還遠(yuǎn)很遠(yuǎn)啊,希望我們這些科技人員繼往開來,早日實(shí)現(xiàn)光電子器件的產(chǎn)業(yè)化,讓我們的科技實(shí)力成為**水平。電子元器件是電子元件和小型的機(jī)器、儀器的組成部分,其本身常由若干零件構(gòu)成,可以在同類產(chǎn)品中通用;常指電器、無線電、儀表等工業(yè)的某些零件,是電容、晶體管、游絲、發(fā)條電子器件的總稱。常見的有二極管。上??诒玫碾娮釉骷刀嗌馘X大批量產(chǎn)生才能壓低單件成本。

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電子元器件發(fā)展史其實(shí)就是一部濃縮的電子發(fā)展史。電子技術(shù)是十九世紀(jì)末、二十世紀(jì)初開始發(fā)展起來的新興技術(shù),二十世紀(jì)發(fā)展**迅速,應(yīng)用*****,成為近代科學(xué)技術(shù)發(fā)展的一個(gè)重要標(biāo)志。電子元器件1906年,美國發(fā)明家德福雷斯特(DeForestLee)發(fā)明了真空三極管(電子管)。***代電子產(chǎn)品以電子管為**。四十年代末世界上誕生了***只半導(dǎo)體三極管,它以小巧、輕便、省電、壽命長特點(diǎn),很快地被各國應(yīng)用起來,在很大范圍內(nèi)取代了電子管。五十年代末期,世界上出現(xiàn)了***塊集成電路,它把許多晶體管電子元件集成在一塊硅芯片上,使電子產(chǎn)品向更小型化發(fā)展。

????與此相對(duì),對(duì)于SRAM來說,只要電源不切斷,記憶就繼續(xù)保持。沒有必要像DRAM那樣進(jìn)行“再存入”操作,因此使用方便,速度也快。無論是DRAM還是SRAM,都屬于易失性存儲(chǔ)器,電源一旦切斷,記憶的內(nèi)容就會(huì)失掉。與此相對(duì),即使電源切斷,內(nèi)容仍能保持的非易失性存儲(chǔ)器為ROM。通常,單提到ROM,是指“掩模ROM”,其記憶的內(nèi)容在IC制作時(shí)即已存入,以后不能更改,故只能進(jìn)行“讀出動(dòng)作”,為只讀性存儲(chǔ)器。與此相對(duì),EPROM在IC制造時(shí)處于“白紙”狀態(tài),必要的信息可以在以后記入。而且,經(jīng)紫外線照射可消除記入的信息,但與DRAM相比要慢得多,消除時(shí)全部信息同時(shí)失掉。在RAM中又有DRAM和SRAM之分。

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????集成電路從小規(guī)模集成電路迅速發(fā)展到大規(guī)模集成電路和超大規(guī)模集成電路,從而使電子產(chǎn)品向著高效能低消耗、高精度、高穩(wěn)定、智能化的方向發(fā)展。由于,電子計(jì)算機(jī)發(fā)展經(jīng)歷的四個(gè)階段恰好能夠充分說明電子技術(shù)發(fā)展的四個(gè)階段的特性,所以下面就從電子計(jì)算機(jī)發(fā)展的四個(gè)時(shí)代來說明電子技術(shù)發(fā)展的四個(gè)階段的特點(diǎn)。在20世紀(jì)出現(xiàn)并得到飛速發(fā)展的電子元器件工業(yè)使整個(gè)世界和人們的工作、生活習(xí)慣發(fā)生了翻天覆地的變化。電子元器件的發(fā)展歷史實(shí)際上就是電子工業(yè)的發(fā)展歷史。1906年美國人德福雷斯特發(fā)明真空三極管,用來放大電話的聲音電流。此后,人們強(qiáng)烈地期待著能夠誕生一種固體器件,用來作為質(zhì)量輕、價(jià)廉和壽命長的放大器和電子開關(guān)。近年來出現(xiàn)了快閃存儲(chǔ)器。江西有口碑的電子元器件價(jià)格便宜

而后者即使切斷電源已存儲(chǔ)的信息也繼續(xù)保持。上??诒玫碾娮釉骷刀嗌馘X

存儲(chǔ)器按功能可分為易失性存儲(chǔ)器(隨機(jī)存儲(chǔ)器)和不易失性存儲(chǔ)器(只讀存儲(chǔ)器)兩大類:前者切斷電源則已存儲(chǔ)的信息全部失掉;而后者即使切斷電源已存儲(chǔ)的信息也繼續(xù)保持。易失性存儲(chǔ)器稱為RAM(RandomAccessMemory:隨機(jī)存取存儲(chǔ)器),這種存儲(chǔ)器可以隨時(shí)寫入或者隨時(shí)讀出新的信息。在RAM中又有DRAM和SRAM之分。在DRAM(DynamicRAM:動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)中存儲(chǔ)的信息,即使電源不切斷,經(jīng)過一定的時(shí)間,記憶內(nèi)容也會(huì)失掉。為此,在DRAM中,每經(jīng)過一定的時(shí)間需要重復(fù)進(jìn)行“再存入”(修復(fù)動(dòng)作)操作。上??诒玫碾娮釉骷刀嗌馘X

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