Polos光刻機與德國Lab14集團、弗勞恩霍夫研究所等機構(gòu)合作，推動光子集成與半導體封裝技術(shù)發(fā)展。例如，Quantum X align系統(tǒng)的高對準精度（100 nm）為光通信芯片提供可靠解決方案，彰顯德國精密制造與全球產(chǎn)業(yè)鏈整合的優(yōu)勢。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù)，用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件，開發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟高效的 MLL 系統(tǒng)。通過與計算機輔助設計軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光。該系統(tǒng)占用空間小，非常適合研究實驗室，并broad應用于微流體、電子學和納/微機械系統(tǒng)等各個領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟高效性使其優(yōu)勢擴展到大學研究實驗室以外的領(lǐng)域，為半導體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機會。光束引擎高速掃描：SPS POLOS μ單次寫入400 μm區(qū)域，壓電驅(qū)動提升掃描速度。河南PSP光刻機光源波長405微米

細胞培養(yǎng)芯片需根據(jù)不同細胞類型設計表面微結(jié)構(gòu)，傳統(tǒng)光刻依賴掩模庫，難以滿足個性化需求。Polos 光刻機支持 STL 模型直接導入，某干細胞研究所在 24 小時內(nèi)完成了神經(jīng)干細胞三維培養(yǎng)支架的定制加工。其制造的微柱陣列間距可精確控制在 5-50μm，適配不同分化階段的細胞黏附需求。實驗顯示，使用該支架的神經(jīng)細胞軸突生長速度提升 30%，為神經(jīng)再生機制研究提供了高效工具，相關(guān)技術(shù)已授權(quán)給生物芯片企業(yè)實現(xiàn)量產(chǎn)。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù)，用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件，開發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟高效的 MLL 系統(tǒng)。通過與計算機輔助設計軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光。該系統(tǒng)占用空間小，非常適合研究實驗室，并broad應用于微流體、電子學和納/微機械系統(tǒng)等各個領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟高效性使其優(yōu)勢擴展到大學研究實驗室以外的領(lǐng)域，為半導體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機會。重慶POLOSBEAM光刻機MAX基材尺寸4英寸到6英寸無掩模技術(shù)優(yōu)勢：摒棄傳統(tǒng)掩模，圖案設計實時調(diào)整，研發(fā)成本直降 70%。

某基因treatment團隊采用 Polos 光刻機開發(fā)了微米級 DNA 遞送載體。通過 STL 模型直接導入，在生物可降解聚合物表面刻制出 1-5μm 的蜂窩狀微孔結(jié)構(gòu)，載體的 DNA 負載量達 200μg/mg，較傳統(tǒng)電穿孔法提升 5 倍。動物實驗顯示，該載體在肝臟靶向遞送中，基因轉(zhuǎn)染效率達 65%，且免疫原性降低 70%。其無掩模特性支持根據(jù)不同細胞表面受體定制載體形貌，在 CAR-T 細胞treatment中，CAR 基因?qū)胄蕪?30% 提升至 75%，相關(guān)技術(shù)已申請國際patent。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù)，用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件，開發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟高效的 MLL 系統(tǒng)。通過與計算機輔助設計軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光。該系統(tǒng)占用空間小，非常適合研究實驗室，并broad應用于微流體、電子學和納/微機械系統(tǒng)等各個領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟高效性使其優(yōu)勢擴展到大學研究實驗室以外的領(lǐng)域，為半導體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機會。

某集成電路實驗室利用 Polos 光刻機開發(fā)了基于相變材料的存算一體芯片。其激光直寫技術(shù)在二氧化硅基底上實現(xiàn)了 100nm 間距的電極陣列，器件的讀寫速度達 10ns，較傳統(tǒng) SRAM 提升 100 倍。通過在電極間集成 20nm 厚的 Ge2Sb2Te5 相變材料，芯片實現(xiàn)了計算與存儲的原位融合，能效比達 1TOPS/W，較傳統(tǒng)馮?諾依曼架構(gòu)提升 1000 倍。該技術(shù)被用于邊緣計算設備，使圖像識別延遲從 50ms 縮短至 5ms，相關(guān)芯片已進入小批量試產(chǎn)階段。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù)，用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件，開發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟高效的 MLL 系統(tǒng)。通過與計算機輔助設計軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光。該系統(tǒng)占用空間小，非常適合研究實驗室，并broad應用于微流體、電子學和納/微機械系統(tǒng)等各個領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟高效性使其優(yōu)勢擴展到大學研究實驗室以外的領(lǐng)域，為半導體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機會。電子學應用：2μm 線寬光刻能力，第三代半導體器件研發(fā)效率提升 3 倍。

SPS POLOS μ以桌面化設計降低設備投入成本，無需掩膜制備費用。其光束引擎通過壓電驅(qū)動快速掃描，單次寫入?yún)^(qū)域達400 μm，支持光刻膠如AZ5214E的高效曝光。研究案例顯示，該設備成功制備了間距3 μm的微圖案陣列和叉指電容器，助力納米材料與柔性電子器件的快速原型驗證。無掩模光刻技術(shù)可以隨意進行納米級圖案化，無需使用速度慢且昂貴的光罩。這種便利對于科研和快速原型制作非常有用。POL0S@ Beam XL在性能上沒有任何妥協(xié)的情況下，將該技術(shù)帶到了桌面上，進一步提升了其優(yōu)勢。客戶認可：全球 500 + 客戶滿意度達 98%，復購率 75%，技術(shù)支持響應時間 < 2 小時。河南PSP光刻機光源波長405微米

納 / 微機械：亞微米級結(jié)構(gòu)加工，微型齒輪精度達 ±50nm，推動微機電系統(tǒng)創(chuàng)新。河南PSP光刻機光源波長405微米

某材料科學研究中心在探索新型納米復合材料的性能時，需要在材料表面構(gòu)建特殊的納米圖案。德國 Polos 光刻機成為實現(xiàn)這一目標的得力工具。研究人員利用其無掩模激光光刻技術(shù)，在不同的納米材料表面制作出各種周期性和非周期性的圖案結(jié)構(gòu)。經(jīng)過測試發(fā)現(xiàn)，帶有特定圖案的納米復合材料，其電學、光學和力學性能發(fā)生了remarkable改變。例如，一種原本光學性能普通的納米材料，在經(jīng)過 Polos 光刻機處理后，對特定波長光的吸收率提高了 30%，為開發(fā)新型光電器件和光學傳感器提供了新的材料選擇和設計思路 。河南PSP光刻機光源波長405微米