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來源: 發(fā)布時間:2025-04-19

(2)額定電壓,為在比較低環(huán)境溫度和額定環(huán)境溫度下可連續(xù)加在電容器的比較高直流電壓。如果工作電壓超過電容器的耐壓,電容器將被擊穿,造成損壞。在實際中,隨著溫度的升高,耐壓值將會變低。 [4] (3)絕緣電阻。直流電壓加在電容上,產生漏電電流,兩者之比稱為絕緣電阻。當電容較小時,其值主要取決于電容的表面狀態(tài);容量大于0.1μF時,其值主要取決于介質。通常情況,絕緣電阻越大越好。 [4] (4)損耗。電容在電場作用下,在單位時間內因發(fā)熱所消耗的能量稱做損耗。損耗與頻率范圍、介質、電導、電容金屬部分的電阻等有關。 [4]結構與紙質電容器相似,但用聚脂、聚苯乙烯等低損耗塑材作介質。松江區(qū)通用電容器銷售電話

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不過,這樣的情況是在沒有超過電容器的臨界電壓(擊穿電壓)的前提條件下的。我們知道,任何物質都是相對絕緣的,當物質兩端的電壓加大到一定程度后,物質都是可以導電的,我們稱這個電壓為擊穿電壓。電容也不例外,電容被擊穿后,就不是絕緣體了。不過在中學階段,這樣的電壓在電路中是見不到的,所以都是在擊穿電壓以下工作的,可以被當做絕緣體看。 [6] 但是,在交流電路中,因為電流的方向是隨時間成一定的函數(shù)關系變化的。而電容器充放電的過程是有時間的,這個時候,在極板間形成變化的電場,而這個電場也是隨時間變化的函數(shù)。實際上,電流是通過電場的形式在電容器間通過的。 [6徐匯區(qū)加工電容器服務熱線容量誤差大,泄漏電流大;普通的不適于在高頻和低溫下應用,不宜使用在25kHz以上頻率。

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國際上統(tǒng)一規(guī)定,給電容器外加1伏特直流電壓時,它所能儲存的電荷量,為該電容器的電容量(即單位電壓下的電量),用字母C表示。電容量的基本單位為法拉(F)。在1伏特直流電壓作用下,如果電容器儲存的電荷為1庫侖,電容量就被定為1法拉,法拉用符號F表示,1F=1Q/V。在實際應用中,電容器的電容量往往比1法拉小得多,常用較小的單位,如毫法(mF)、微法(μF)、納法(nF)、皮法(pF)等,它們的關系是:1微法等于百萬分之一法拉;1皮法等于百萬分之一微法,即: [5] 1法拉(F)=1000毫法(mF);1毫法(mF)=1000微法(μF);1微法(μF)=1000納法(nF);1納法(nF)=1000皮法(pF);即:1F=1000000μF;1μF=1000000pF。 [5]

●自舉:用在自舉電路中的電容器稱為自舉電容,常用的OTL功率放大器輸出級電路采用這種自舉電容電路,以通過正反饋的方式少量提升信號的正半周幅度。 [6] ●分頻:在分頻電路中的電容器稱為分頻電容,在音箱的揚聲器分頻電路中,使用分頻電容電路,以使高頻揚聲器工作在高頻段,中頻揚聲器工作在中頻段,低頻揚聲器工作在低頻段。 [6] ●負載電容:是指與石英晶體諧振器一起決定負載諧振頻率的有效外界電容。負載電容常用的標準值有16pF、20pF、30pF、50pF和100pF。負載電容可以根據具體情況作適當?shù)恼{整,通過調整一般可以將諧振器的工作頻率調到標稱值。 [不能做成大的容量,受振動會引起容量變化。

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(1)標稱電容量,為標志在電容器上的電容量。但電容器實際電容量與電容充電過程標稱電容量是有偏差的,精度等級與允許誤差有對應關系。一般電容器常用Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ級,電解電容器用Ⅳ、Ⅴ、Ⅵ級表示容量精度,根據用途選取。電解電容器的容值,取決于在交流電壓下工作時所呈現(xiàn)的阻抗,隨著工作頻率、溫度、電壓以及測量方法的變化,容值會隨之變化。電容量的單位為F(法)。 [4]電容器既然是一種儲存電荷的“容器”,就有“容量”大小的問題。為了衡量電容器儲存電荷的能力,確定了電容量這個物理量。電容器必須在外加電壓的作用下才能儲存電荷。不同的電容器在電壓作用下儲存的電荷量也可能不相同。高頻旁路:陶瓷電容器、云母電容器、玻璃膜電容器、滌綸電容器、玻璃釉電容器。嘉定區(qū)什么是電容器銷售電話

一般在低頻電路內,通常不能在高于3~4MHz的頻率上運用。松江區(qū)通用電容器銷售電話

●積分:用在積分電路中的電容器稱為積分電容。在電勢場掃描的同步分離電路中,采用這種積分電容電路,可以從場復合同步信號中取出場同步信號。 [6] ●微分:用在微分電路中的電容器稱為微分電容。在觸發(fā)器電路中為了得到尖頂觸發(fā)信號,采用這種微分電容電路,以從各類(主要是矩形脈沖)信號中得到尖頂脈沖觸發(fā)信號。 [6] ●補償:用在補償電路中的電容器稱為補償電容,在卡座的低音補償電路中,使用這種低頻補償電容電路,以提升放音信號中的低頻信號,此外,還有高頻補償電容電路。松江區(qū)通用電容器銷售電話

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