鋰電保護(hù)應(yīng)用原理圖①按鋰電池保護(hù)芯片的典型原理圖設(shè)計(jì)，鋰電保護(hù)的GND接電池的B-，不能接外部大地，芯片的VM接外部大地。②帶EPAD的芯片，一般EPAD接芯片的GND（B-），請(qǐng)嚴(yán)格按照規(guī)格書中的典型原理圖來(lái)做。③鋰電池保護(hù)芯片帶VT腳的，VT腳通?？山有酒珿ND（B-），或者懸空。④典型應(yīng)用圖中的100Ω/1KΩ電阻與，濾除電池電壓的劇烈波動(dòng)和外部強(qiáng)烈電壓干擾，使得VDD電壓盡量穩(wěn)定，該電阻和電容缺一不可，缺少任何一個(gè)都會(huì)有少燒芯片的可能，增加生產(chǎn)的不良率（XB5432不加電容）。不同IC的電阻取值有差異，請(qǐng)根據(jù)***版的Datesheet的典型應(yīng)用圖或FAE的建議選擇電阻的取值。⑤馬達(dá)應(yīng)用、LED照明應(yīng)用、射頻干擾應(yīng)用、負(fù)載電流劇烈變化的應(yīng)用如音頻功放等，可能需要增大RC濾波的網(wǎng)絡(luò)的R和C的值，如采用1K和、500Ω+1uF、1K+1uF等，比較大采用1K+1uF。⑥在VM和GND之間靠近管腳加一個(gè)，可以增強(qiáng)鋰電保護(hù)電路的系統(tǒng)級(jí)ESD，增強(qiáng)對(duì)尖峰電壓等外部信號(hào)的抗干擾能力。⑦鋰電保護(hù)芯片可并聯(lián)使用，減小內(nèi)阻，增強(qiáng)持續(xù)電流，多芯片并聯(lián)使用時(shí)，芯片VDD的RC網(wǎng)絡(luò)，電阻可共用，但電容須要一個(gè)保護(hù)芯片配一個(gè)電容。2~3串鋰電保護(hù) 多節(jié)鋰電保護(hù)芯片(三元/磷酸鐵鋰)XBM2138/XBM32XX 推挽。廣州2L1EAE賽芯內(nèi)置均衡 內(nèi)置MOS 2節(jié)鋰保

XBM2138QFA    兩串鋰電池保護(hù)芯片介紹  35W以內(nèi)      XBM2138QFA    2串鋰保集成MOS     內(nèi)置均衡   ：對(duì)兩節(jié)節(jié)串聯(lián)可再充電鋰離子/鋰聚合物電池的過(guò)充電、過(guò)放電和過(guò)電流進(jìn)行保護(hù)，同時(shí)具備電池反接保護(hù)功能，這些功能對(duì)于鋰電池的安全使用極其重要3。過(guò)電流保護(hù)閾值調(diào)節(jié)：保護(hù)芯片功能基本保護(hù)功能：對(duì)兩節(jié)節(jié)串聯(lián)可再充電鋰離子/鋰聚合物電池的過(guò)充電、過(guò)放電和過(guò)電流進(jìn)行保護(hù)，同時(shí)具備電池反接保護(hù)功能，這些功能對(duì)于鋰電池的安全使用極其重要3。過(guò)電流保護(hù)閾值調(diào)節(jié) ，可組成一個(gè)充放電工作的電路。若再加上鋰電池輸出電路，鋰電池就可以實(shí)現(xiàn)邊充邊放的功能北京6096J9o賽芯集成MOS 兩節(jié)鋰保XC3098(磷酸鐵鋰充電芯片）.

點(diǎn)思 電池均衡IC介紹定義及作用電池均衡IC是電池管理系統(tǒng)中的關(guān)鍵組件，主要用于確保電池組中各個(gè)單體電池之間的電壓、容量等參數(shù)保持一致。在鋰電池串聯(lián)使用過(guò)程中，由于電池個(gè)體差異、使用環(huán)境不同等因素，會(huì)導(dǎo)致單體電池的電壓和容量出現(xiàn)不一致的情況，這不僅會(huì)影響電池組的整體性能，還可能縮短電池的使用壽命。電池均衡IC通過(guò)對(duì)電池進(jìn)行均衡充電或放電，使各個(gè)單體電池的狀態(tài)趨于一致，從而延長(zhǎng)電池組的使用壽命并提升其性能\電池均衡方法負(fù)載消耗型均衡在每節(jié)電池上并聯(lián)一個(gè)電阻，串聯(lián)一個(gè)開關(guān)做。當(dāng)某節(jié)電池電壓過(guò)高時(shí)，打開開關(guān)，充電電流通過(guò)電阻分流，使電壓高的電池充電電流小，電壓低的電池充電電流大，從而實(shí)現(xiàn)電池電壓的均衡。但這種方式只能適用于小容量電池。

XBM4X30系列產(chǎn)品、3或4串電池組的二級(jí)保護(hù)芯片主要描述內(nèi)置高精度的電壓檢測(cè)電路和延遲電路，是一款用于可充電電池組的二級(jí)保護(hù)芯片，通過(guò)檢測(cè)電池包中每一節(jié)電芯的電壓，為電池包提供過(guò)充電保護(hù)和過(guò)放保護(hù)1。功能特點(diǎn)高精度電池電壓檢測(cè)功能：過(guò)充電檢測(cè)電壓-（步進(jìn)50mV），精度±25mV；過(guò)充電電壓0-（步進(jìn)50mV），精度±50mV；過(guò)放電檢測(cè)電壓-（步進(jìn)100mV），精度±80mV；過(guò)放電電壓0V-（步進(jìn)100mV），精度±100mV1。保護(hù)延時(shí)內(nèi)置可選：可根據(jù)不同應(yīng)用場(chǎng)景選擇合適的保護(hù)延時(shí)1。內(nèi)置斷線保護(hù)功能（可選）：增加了電池使用的安全性1。輸出方式可選：有CMOS輸出、N溝道開路漏級(jí)輸出、P溝道開路漏級(jí)輸出三種方式1。輸出邏輯可選：動(dòng)態(tài)輸出H、動(dòng)態(tài)輸出。芯納科技、鋰電池充電管理XA4246。

    PCBLayout參考---兩顆芯片并聯(lián)兩個(gè)同型號(hào)的鋰電保護(hù)可以直接并聯(lián)，實(shí)現(xiàn)幾乎是直接翻倍的帶載能力，降低內(nèi)阻，提高效率，但布板清注意：①兩個(gè)芯片盡量對(duì)稱，直接跨接在B-和大地上。②B-和VM盡量大面積鋪地，減小布線內(nèi)阻和加強(qiáng)散熱。③，每片鋰電保護(hù)IC都需要一個(gè)。100Ω電阻**好共用一顆電阻，并且布的離VDD近些，盡量與兩個(gè)芯片距離差不都。④VDD采樣線可以略長(zhǎng)些，也無(wú)需多粗，但需要繞開干擾源-VDD采樣線里面沒有大電流。PCBLayout參考---DFN1*1-4①DFN1*1-4封裝較小，PCB板上，封裝焊盤略大一些，避免虛焊。②，走線經(jīng)過(guò)電阻后，先經(jīng)過(guò)電容再到芯片的VDD。③電容的GND盡量短的回到芯片的GND，使整個(gè)電容環(huán)路**小。④芯片的GND（B-）到VM建議預(yù)留一個(gè)C2（）電容位置，C2電容可以提高ESD和抗干擾能力。⑤芯片的EPAD，建議連接芯片的GND（B-）或者懸空。 芯納科技成立于2011年。專注代理電源芯片和電子元器件的銷售服務(wù)。北京DS6036賽芯內(nèi)置MOS 兩節(jié)鋰保

正極保護(hù)的鋰電池保護(hù)方案。廣州2L1EAE賽芯內(nèi)置均衡 內(nèi)置MOS 2節(jié)鋰保

    主要描述XBM4530系列產(chǎn)品內(nèi)置高精度的電壓檢測(cè)電路和延遲電路，是一款用于可充電電池組的二級(jí)保護(hù)芯片，通過(guò)檢測(cè)電池包中每一節(jié)電芯的電壓，為電池包提供過(guò)充電保護(hù)和過(guò)放保護(hù)1。功能特點(diǎn)高精度電池電壓檢測(cè)功能：過(guò)充電檢測(cè)電壓-（步進(jìn)50mV），精度±25mV；過(guò)充電電壓0-（步進(jìn)50mV），精度±50mV；過(guò)放電檢測(cè)電壓-（步進(jìn)100mV），精度±80mV；過(guò)放電電壓0V-（步進(jìn)100mV），精度±100mV1。保護(hù)延時(shí)內(nèi)置可選：可根據(jù)不同應(yīng)用場(chǎng)景選擇合適的保護(hù)延時(shí)1。內(nèi)置斷線保護(hù)功能（可選）：增加了電池使用的安全性1。輸出方式可選：有CMOS輸出、N溝道開路漏級(jí)輸出、P溝道開路漏級(jí)輸出三種方式1。輸出邏輯可選：動(dòng)態(tài)輸出H、動(dòng)態(tài)輸出。 廣州2L1EAE賽芯內(nèi)置均衡 內(nèi)置MOS 2節(jié)鋰保