PCBLayout參考---兩顆芯片并聯(lián)兩個(gè)同型號(hào)的鋰電保護(hù)可以直接并聯(lián)，實(shí)現(xiàn)幾乎是直接翻倍的帶載能力，降低內(nèi)阻，提高效率，但布板清注意：①兩個(gè)芯片盡量對(duì)稱，直接跨接在B-和大地上。②B-和VM盡量大面積鋪地，減小布線內(nèi)阻和加強(qiáng)散熱。③，每片鋰電保護(hù)IC都需要一個(gè)。100Ω電阻**好共用一顆電阻，并且布的離VDD近些，盡量與兩個(gè)芯片距離差不都。④VDD采樣線可以略長些，也無需多粗，但需要繞開干擾源-VDD采樣線里面沒有大電流。PCBLayout參考---DFN1*1-4①DFN1*1-4封裝較小，PCB板上，封裝焊盤略大一些，避免虛焊。②，走線經(jīng)過電阻后，先經(jīng)過電容再到芯片的VDD。③電容的GND盡量短的回到芯片的GND，使整個(gè)電容環(huán)路**小。④芯片的GND（B-）到VM建議預(yù)留一個(gè)C2（）電容位置，C2電容可以提高ESD和抗干擾能力。⑤芯片的EPAD，建議連接芯片的GND（B-）或者懸空。 6-7串鋰電池保護(hù)NTC/PWM/SSOP16 多節(jié)鋰電池保護(hù)——二級(jí)保護(hù) XBM5772 。Series。蘇州6096J9o賽芯內(nèi)置均衡 內(nèi)置MOS 2節(jié)鋰保

    在當(dāng)今快節(jié)奏的生活中，移動(dòng)電源成為了我們不可或缺的電子設(shè)備。芯納推出的移動(dòng)電源SOC更是為我們帶來了全新的體驗(yàn)。移動(dòng)電源SOC（SystemonChip，系統(tǒng)級(jí)芯片）是一種高度集成的芯片，用于移動(dòng)電源中。它集成了多種功能模塊，包括同步開關(guān)升降壓變換器、電池充放電管理模塊、電量計(jì)算模塊、顯示模塊、協(xié)議模塊等。高集成度：將多個(gè)功能模塊集成在一個(gè)芯片上，減少了外部元器件的使用，簡(jiǎn)化了移動(dòng)電源的設(shè)計(jì)。多協(xié)議雙向快充：支持多種充電協(xié)議，能夠?qū)崿F(xiàn)充電和雙向充電功能，提高充電效率。電池管理：負(fù)責(zé)電池的充放電管理，包括過充、過放保護(hù)，延長電池壽命。電量計(jì)算和顯示：準(zhǔn)確計(jì)算電池電量，并通過顯示模塊向用戶展示電量信息。保護(hù)功能：提供輸入/輸出的過壓/欠壓保護(hù)、NTC過溫保護(hù)、放電過流保護(hù)、輸出短路保護(hù)等，確保移動(dòng)電源和連接設(shè)備的安全。芯納科技專注代理電源芯片和電子元器件12年。提供的產(chǎn)品和方案包括：移動(dòng)電源SOC、多口快充SOC、快充充電管理SOC、電源管理芯片、鋰電池充電管理、鋰電保護(hù)、DC轉(zhuǎn)換器、MOS等。致力于為合作伙伴帶來增值，為客戶的成長與發(fā)展竭誠服務(wù)，當(dāng)好供求間之橋梁，謀求產(chǎn)業(yè)鏈的共同發(fā)展！ 江門2m1EAB賽芯內(nèi)置MOS 兩節(jié)鋰保鋰保PCB應(yīng)用注意事項(xiàng)-布局。

3串鋰電池保護(hù)芯片介紹,XBM3360  3串集成Sense/SOP8  保護(hù)芯片功能基本保護(hù)功能：對(duì)兩節(jié)節(jié)串聯(lián)可再充電鋰離子/鋰聚合物電池的過充電、過放電和過電流進(jìn)行保護(hù)，同時(shí)具備電池反接保護(hù)功能，這些功能對(duì)于鋰電池的安全使用極其重要3。過電流保護(hù)閾值調(diào)節(jié)：3串鋰電池的保護(hù)芯片電路的過電流保護(hù)閾值由開關(guān)MOS管決定，如果覺得該閾值較小，可以將多個(gè)開關(guān)MOS管進(jìn)行并聯(lián)操作，以增大過流電流，將兩節(jié)鋰電池保護(hù)芯片電路和兩節(jié)鋰電池的充電電路連接在一起，可組成一個(gè)充放電工作的電路。若再加上鋰電池輸出電路，鋰電池就可以實(shí)現(xiàn)邊充邊放的功能

 XBM4530系列產(chǎn)品內(nèi)二級(jí)保護(hù)芯片、置高精度的電壓檢測(cè)電路和延遲電路，是一款用于可充電電池組的二級(jí)保護(hù)芯片，通過檢測(cè)電池包中每一節(jié)電芯的電壓，為電池包提供過充電保護(hù)和過放保護(hù)1。功能特點(diǎn)高精度電池電壓檢測(cè)功能：過充電檢測(cè)電壓-（步進(jìn)50mV），精度±25mV；過充電電壓0-（步進(jìn)50mV），精度±50mV；過放電檢測(cè)電壓-（步進(jìn)100mV），精度±80mV；過放電電壓0V-（步進(jìn)100mV），精度±100mV1。保護(hù)延時(shí)內(nèi)置可選：可根據(jù)不同應(yīng)用場(chǎng)景選擇合適的保護(hù)延時(shí)1。內(nèi)置斷線保護(hù)功能（可選）：增加了電池使用的安全性1。輸出方式可選：有CMOS輸出、N溝道開路漏級(jí)輸出、P溝道開路漏級(jí)輸出三種方式1。輸出邏輯可選：動(dòng)態(tài)輸出H、動(dòng)態(tài)輸出。芯納科技成立于2011年。專注代理電源芯片和電子元器件的銷售服務(wù)。

XBM2138內(nèi)置MOS內(nèi)置均衡器高精度電壓檢測(cè)電路和延時(shí)電路，用于2節(jié)串聯(lián)鋰離子/鋰聚合物可再充電電池的保護(hù)。適合對(duì)2節(jié)串聯(lián)可再充電鋰離子/鋰聚合物電池的過充電、過放電和過電流進(jìn)行保護(hù)。各延遲時(shí)間由內(nèi)部電路設(shè)置（不需外接電容），連接充電器的端子采用高耐壓設(shè)計(jì)（CS端子和OC端子，***額定值是33V），還具備向0V電池充電功能，可選擇允許或禁止。內(nèi)置MOS在高負(fù)載時(shí)可能發(fā)熱，需優(yōu)化PCB散熱（如增加銅箔面積） 內(nèi)置MOS，集成均衡功能高精度智能型磷酸鐵鋰離子電池充電管理芯片，具有功能全、集成度高，外部電路簡(jiǎn)單，調(diào)節(jié)方便。蘇州XBM3360賽芯內(nèi)置均衡 內(nèi)置MOS 2節(jié)鋰保

3串 4串鋰電池保護(hù) /NTC/MSOP10多節(jié)鋰電池保護(hù)——二級(jí)保護(hù) XBM4X30。蘇州6096J9o賽芯內(nèi)置均衡 內(nèi)置MOS 2節(jié)鋰保

鋰電保護(hù)應(yīng)用原理圖①按鋰電池保護(hù)芯片的典型原理圖設(shè)計(jì)，鋰電保護(hù)的GND接電池的B-，不能接外部大地，芯片的VM接外部大地。②帶EPAD的芯片，一般EPAD接芯片的GND（B-），請(qǐng)嚴(yán)格按照規(guī)格書中的典型原理圖來做。③鋰電池保護(hù)芯片帶VT腳的，VT腳通?？山有酒珿ND（B-），或者懸空。④典型應(yīng)用圖中的100Ω/1KΩ電阻與，濾除電池電壓的劇烈波動(dòng)和外部強(qiáng)烈電壓干擾，使得VDD電壓盡量穩(wěn)定，該電阻和電容缺一不可，缺少任何一個(gè)都會(huì)有少燒芯片的可能，增加生產(chǎn)的不良率（XB5432不加電容）。不同IC的電阻取值有差異，請(qǐng)根據(jù)***版的Datesheet的典型應(yīng)用圖或FAE的建議選擇電阻的取值。⑤馬達(dá)應(yīng)用、LED照明應(yīng)用、射頻干擾應(yīng)用、負(fù)載電流劇烈變化的應(yīng)用如音頻功放等，可能需要增大RC濾波的網(wǎng)絡(luò)的R和C的值，如采用1K和、500Ω+1uF、1K+1uF等，比較大采用1K+1uF。⑥在VM和GND之間靠近管腳加一個(gè)，可以增強(qiáng)鋰電保護(hù)電路的系統(tǒng)級(jí)ESD，增強(qiáng)對(duì)尖峰電壓等外部信號(hào)的抗干擾能力。⑦鋰電保護(hù)芯片可并聯(lián)使用，減小內(nèi)阻，增強(qiáng)持續(xù)電流，多芯片并聯(lián)使用時(shí)，芯片VDD的RC網(wǎng)絡(luò)，電阻可共用，但電容須要一個(gè)保護(hù)芯片配一個(gè)電容。蘇州6096J9o賽芯內(nèi)置均衡 內(nèi)置MOS 2節(jié)鋰保