20-30MHZ，（整改建議）1、對于一類產品可以采用調整對地Y2電容量或改變Y2電容位置；2、調整一二次側間的Y1電容位置及參數(shù)值；3、在變壓器外面包銅箔；變壓器里層加屏蔽層；調整變壓器的各繞組的排布。200MHZ以上，開關電源已基本輻射量很小，一般均可過EMI標準。修改Inlet上L.N對GND并的CY電容（容量范圍470PF-4700PF），對輻射的50MHz-110MHz，190MHz-240MHz均有改善.高壓地對Case地跨CY電容（容量范圍470PF-4700PF），對輻射40MHz-55MHz，80MHz-130MHz，160MHz-180MHz，均有改善。高壓電容正負極并瓷片電或SMD電容（容量范圍1000PF-4700PF/1KV），對輻射40MHz-90MHz，110MHz-170MHz均有改善。無論是外部還是內部干擾都能通過信號線傳導至其他設備。深圳消費電子EMI分析整改系統(tǒng)

再一個方法就是在輸入輸出之間放一個濾波器。這只對系統(tǒng)地和機框地距離很近時比較有效。對于AC線路，用一個有非常小的雜散電容的耦合電感，兩個安全的經認證的電容（X電容）放在輸入線路間即可，并在每個線路到地放一個小的Y電容，則可以有效地壓制開關噪聲，令其達到可以接受的水平。在開關電源中壓制噪聲是非常有商業(yè)技巧的，理想的EMI及RFI會用一點點電路，加一點成本，重量，減一點點效率即可達到，理想的是一個方框或旁路掉干擾噪聲即可，這可以用插入一個對噪聲為高阻抗的元件放入壓制電路通道，并將其通過低阻抗通道旁路到地。浙江GJB151BEMI分析整改走線布線電源平面和地平面盡量完整。

整改方案，如下：從傳導的曲線上1MHz前超標的情況可以看出差模電容X太小了，所以修改了X電容變成0。22uF。而1-5MHz之間也超標，所以增加共模電感到50mH，這項頻率超標一般主要是有變壓器的漏感造成的。在變壓器的外面增加了一個屏蔽銅箔，并接入熱地。（同時做了別外一個變壓器，去除原變壓器內部的屏蔽層，改變了變壓器的繞線方式，在變壓器的外面做了屏蔽并接入熱地用備用）同時將MOS管和雙向二極管的散熱片也接入熱地。同時將MOS管的D、S兩腳間增加了一個101/1KV的電容，做完以上的整改方案后做了一次測試。

介紹俺的EMI整改經驗：關于晶體部份：1、晶體到MCU的兩條線不要太細，盡量短直，且這兩條線與兩個負載電容所包圍的面積要越小越好，電容地端，好單獨用較寬的走線單獨引至MCU振蕩地，不要與大面積地銅箔相連；2、晶體背面好是整片的地銅箔，不要走其它線，也不要在晶體正面上方走別的線；3、有的MCU與不適合的晶體配合，振幅過高，產生截頂失真，便會產生較強的基波及強烈的諧波輻射，這種情況需在Xout上造近MCU一端串幾十至幾百歐電阻，讓振幅峰峰值降至VCC的1/2~2/3為宜。如果兩個電路的參考電平不一致，就會產生功能問題，如雜訊容限和邏輯開關門限電平紊亂。

對于EMI實際測試，整改，有經驗都可以拿來大家分享，先不管理論對不對，實際結果是怎樣就怎樣，繼續(xù)分享我的經驗如下：+12V田字體輸出線材上繞CoRe（常用規(guī)格為KN-RN250080），對輻射60MHz-70MHz，有改善.在次級整流管上串磁珠（常用規(guī)格為MD-353015，MD-353012），對輻射45MHz75MHz，120MHz-200MHz均有改善.一次側地對二次側地跨CY電容（容量范圍470PF-4700PF），此電容好是放在跨主變壓器兩地之間，對輻射30MHz-60MHz，有改善。不同的電源有不同的要求。真正的實際應用中還有很多限制的，確實如此，板框導致布局的限制，空間的限制，EMI線路放不下，比如可控硅調光電源X電容不能太大，加太大了，燈會閃爍。EMI 整改：對于差模干擾超標可調整 X 電容量,添加差模電感器，調差模電感量。武漢儀器儀表EMI分析整改屏蔽

開關晶體管，MOSFET，二極管，變壓器及電感謝是主要的RFI的源泉。深圳消費電子EMI分析整改系統(tǒng)

在晶片電源接腳、I/O接口、重要訊號介面等位置增加旁路電容，有助于濾除積體電路的開關雜訊。晶片電源接腳增加旁路電容(0.1μF)處理，電容要靠近接腳擺放。訊號線下方的地要完整，要有完整的參考面。訊號電流經過一個低阻抗的路徑返還其驅動源，能夠有效減小輻射，而且由于地層的遮罩作用，使得電路對外輻射的靈敏度也會降低。如果兩個電路的參考電平不一致，就會產生功能問題，如雜訊容限和邏輯開關門限電平紊亂，這個接地雜訊電壓就會導致地環(huán)路干擾的產生。深圳消費電子EMI分析整改系統(tǒng)