整改方案，如下：從傳導(dǎo)的曲線上1MHz前超標(biāo)的情況可以看出差模電容X太小了，所以修改了X電容變成0。22uF。而1-5MHz之間也超標(biāo)，所以增加共模電感到50mH，這項頻率超標(biāo)一般主要是有變壓器的漏感造成的。在變壓器的外面增加了一個屏蔽銅箔，并接入熱地。（同時做了別外一個變壓器，去除原變壓器內(nèi)部的屏蔽層，改變了變壓器的繞線方式，在變壓器的外面做了屏蔽并接入熱地用備用）同時將MOS管和雙向二極管的散熱片也接入熱地。同時將MOS管的D、S兩腳間增加了一個101/1KV的電容，做完以上的整改方案后做了一次測試。在開關(guān)電源中壓制噪聲是非常有商業(yè)技巧的，理想的EMI及RFI會用一點點電路。西安消費(fèi)電子EMI分析整改隔離

EMI，電磁干擾度，描述電子、電氣產(chǎn)品在正常工作狀態(tài)下對外界的干擾；EMI又包括傳導(dǎo)干擾CE（conductionemission）和輻射干擾RE(radiationemission)以及諧波harmonic。EMC包括EMI(interference)和EMS(susceptibility),也就是電磁干擾和電磁抗干擾。EMI（ElectromagneticInterference）直譯是“電磁干擾”。EMI是指電子產(chǎn)品工作會對周邊的其他電子產(chǎn)品造成干擾，與此關(guān)聯(lián)的還有EMC規(guī)范。EMC電磁能量的檢測、抗電磁干擾性試驗、檢測結(jié)果的統(tǒng)計處理、電磁能量輻射壓制技術(shù)、雷電和地磁等自然電磁現(xiàn)象、電場磁場對人體的影響、電場強(qiáng)度的國際標(biāo)準(zhǔn)、電磁能量的傳輸途徑、相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)及限制等均包含在EMC之內(nèi)。EMI是電子電器產(chǎn)品經(jīng)常遇上的問題。干擾種類有傳導(dǎo)干擾和輻射干擾。安徽充電樁EMI分析整改器件選型有效降低電路EMI的技巧：當(dāng)存在一個磁場時，一個由導(dǎo)電材料形成的環(huán)路充當(dāng)了天線。

電磁干擾是指任何在傳導(dǎo)或電磁場伴隨著電壓、電流的作用而產(chǎn)生會降低某個裝置、設(shè)備或系統(tǒng)的性能，或可能對生物或物質(zhì)產(chǎn)生不良影響之電磁現(xiàn)象?；蛘f電子設(shè)備都會產(chǎn)生傳導(dǎo)性電磁雜訊干擾，就像傳染病般地透過電源線傳導(dǎo)電磁干擾也是變頻器驅(qū)動系統(tǒng)的一個主要問題。在許多國家，尤其在歐洲，對任何系統(tǒng)可能散發(fā)的電磁干擾有嚴(yán)格的限制。特點：l封裝小，能有效節(jié)省電路板空間；l能有效壓制共模噪聲；l差模截止頻率＞3.5GHz；l對高速差動傳輸線信號幾乎沒有影響；l滿足HDMI的TRD標(biāo)準(zhǔn)；端口類型；模擬信號輸出端口（外部連接線，音頻等）；數(shù)字信號輸出端口（內(nèi)部連接口/連接線，LVDS,USB,SD,HDMI,等），信號類型一般為差分形式。

信號端口濾波需要考慮的問題點：l端口傳輸信號不能由于任何原因信號不完整的問題；l普通磁珠，差分濾波器會對差分信號產(chǎn)生衰減，阻抗過大甚至引起差分信號時序錯亂，左右信號不對稱。（共模濾波器可以使差分信號順利通過，而對共模的干擾信號呈較高阻抗）；這是我從LVDS信號線上抓的一個頻譜，區(qū)域的尖峰，在頻譜上一直很穩(wěn)定，一般這種信號是時鐘串?dāng)_到信號線上的信號，必須濾除。其他在頻譜上不斷跳動但是頻域不會變化，這是有用的信號，不能有所破壞。有效降低電路EMI的技巧：出現(xiàn)在板級連接的場合。

高速線，一般是SDRAM、及數(shù)字視頻信號的VCLK了，好在其走線背面有地銅層，沒有條件的，至少要有一條較寬的地線“護(hù)送”，能包地就更理想了，有的時候需要在靠MCU一端串電阻，消除過沖（過沖對輻射影響很大），不要串得太大，以免引起延遲；還有就是背面不要有平行的線，正面也是；另外就是USB，要走差分線；低速較長的線，也不容忽視，盡可能用RC壓制高頻分量，靠近對外的接口處，要串磁豬,電源進(jìn)線處，串小的共模電感，總而言之，輻射過強(qiáng)是較大的dv/dt，及較大的環(huán)路面積引起，想辦法壓制電壓瞬變，降低信號過沖，縮小信號與電流回流的環(huán)路面積。由于地層的遮罩作用，使得電路對外輻射的靈敏度也會降低。鄭州充電樁EMI分析整改方法

在輸出端合理配置電感或鐵氧體磁珠，這樣電路動態(tài)功率將從近端的電容獲取。西安消費(fèi)電子EMI分析整改隔離

訊號線和接地平面之間存在訊號，輻射可以由訊號走線或者接地平面的中斷所引起，所以要注意訊號走線下方的接地平面是否完整。有效降低電路EMI的技巧：因CMOS電路在時脈轉(zhuǎn)換期間吸收的電流要高出平均流耗10mA的標(biāo)準(zhǔn)，而在時脈轉(zhuǎn)換周期之間的流耗非常低甚至為零，所以輻射限制方法是電壓和電流的峰值，不是平均值。在時脈轉(zhuǎn)換過程中從電源至晶片電源接腳額電流浪涌是一個主要的輻射源，近端位置增加旁路電容，那晶片所需的電流直接由該電容提供，避免了電流浪涌的產(chǎn)生，減少了雜訊。西安消費(fèi)電子EMI分析整改隔離