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成都近場(chǎng)輻射測(cè)試儀價(jià)格

來(lái)源: 發(fā)布時(shí)間:2021-09-08

為什么要進(jìn)行EMC合規(guī)性預(yù)測(cè)試?隨著電氣電子技術(shù)的發(fā)展,家用電器產(chǎn)品日益普及和電子化,廣播電視、郵電通訊和計(jì)算機(jī)網(wǎng)絡(luò)的日益發(fā)達(dá),電磁環(huán)境日益復(fù)雜和惡化,使得電氣電子產(chǎn)品的電磁兼容性(EMC電磁干擾EMI與電磁抗EMS)問(wèn)題也受到各國(guó)有關(guān)部門(mén)和生產(chǎn)企業(yè)的日益重視。電子、電器產(chǎn)品的電磁兼容性(EMC)是一項(xiàng)非常重要的質(zhì)量指標(biāo),它不只關(guān)系到產(chǎn)品本身的工作可靠性和使用安全性,而且還可能影響到其他設(shè)備和系統(tǒng)的正常工作,關(guān)系到電磁環(huán)境的保護(hù)問(wèn)題。輻射區(qū)內(nèi),電磁場(chǎng)開(kāi)始輻射,標(biāo)志著遠(yuǎn)場(chǎng)的開(kāi)始。成都近場(chǎng)輻射測(cè)試儀價(jià)格

近場(chǎng)和遠(yuǎn)場(chǎng)的邊界、運(yùn)行頻段的波長(zhǎng)如。天線應(yīng)位于正弦波左側(cè)起始的位置。輻射區(qū)內(nèi),電磁場(chǎng)開(kāi)始輻射,標(biāo)志著遠(yuǎn)場(chǎng)的開(kāi)始。場(chǎng)的強(qiáng)度和天線的距離成反比(1/r3)。的過(guò)渡區(qū)是指近場(chǎng)和遠(yuǎn)場(chǎng)之間的部分(有些模型沒(méi)有定義過(guò)渡區(qū))。遠(yuǎn)場(chǎng)開(kāi)始于距離為2λ的地方。輻射出的正弦波和近場(chǎng)、遠(yuǎn)場(chǎng)。近場(chǎng)通常分為兩個(gè)區(qū)域,反應(yīng)區(qū)和輻射區(qū)。在反應(yīng)區(qū)里,電場(chǎng)和磁場(chǎng)是很強(qiáng)的,并且可以單獨(dú)測(cè)量。根據(jù)天線的種類,某一種場(chǎng)會(huì)成為主導(dǎo)。例如環(huán)形天線主要是磁場(chǎng),環(huán)形天線就如同變壓器的初級(jí),因?yàn)樗a(chǎn)生的磁場(chǎng)很大。北京電磁波近場(chǎng)輻射和近場(chǎng)類似,遠(yuǎn)場(chǎng)的起始也沒(méi)有統(tǒng)一的定義。

克服難題需要對(duì)智能終端設(shè)備進(jìn)行有效的測(cè)試和測(cè)量,這樣能確保準(zhǔn)確地生成和分析信號(hào),從而正確地測(cè)試和測(cè)量通信鏈路(如發(fā)射機(jī)和接收機(jī))。采用的信號(hào)生成和分析解決方案應(yīng)當(dāng)提供快速的測(cè)量時(shí)間和切換速度,并且具有可擴(kuò)展性,讓測(cè)試工具可以適應(yīng)用戶不斷變化的測(cè)試需要。另外解決方案還應(yīng)具有靈活性,以確保它們支持當(dāng)前和未來(lái)的制式。有了這些解決方案后,我們才能放心的在研發(fā)、調(diào)試、驗(yàn)證中尋找出合適的、較優(yōu)的、低成本的方案從而縮短開(kāi)發(fā)周期,進(jìn)而搶先獲得消費(fèi)市場(chǎng)認(rèn)可。

輻射近場(chǎng)測(cè)量的可信域:對(duì)于平面輻射近場(chǎng)測(cè)量而言,由基本理論可知,在θ=-90°或90°(θ為場(chǎng)點(diǎn)偏離天線口面法線方向的方向角)時(shí),這種方法的精度明顯變差,因此平面輻射近場(chǎng)測(cè)量適用于天線方向圖為單向筆形波束天線的測(cè)量,可信域(-θ,θ)中的θ值與近場(chǎng)掃描面和取樣間距有如下關(guān)系(一維情況):θ=arctg[(L-X)/2d],(1)式中L為掃描面的尺寸;X為天線口徑面的尺寸;d為掃描面到天線口徑面的距離。輻射近場(chǎng)測(cè)量的研究與誤差分析的探討是同時(shí)進(jìn)行的,研究結(jié)果表明:輻射近場(chǎng)測(cè)量的主要誤差源為18項(xiàng),大致分為4個(gè)方面,即探頭誤差、機(jī)械掃描定位誤差、測(cè)量系統(tǒng)誤差以及測(cè)量環(huán)境誤差。對(duì)于平面輻射近場(chǎng)測(cè)量的誤差分析已經(jīng)完成,計(jì)算機(jī)模擬及各項(xiàng)誤差的上界也已給出;柱面、球面輻射近場(chǎng)測(cè)量的誤差分析尚未完成。天線旁邊的磁場(chǎng)呈球形或弧形,特別是距離天線近的磁場(chǎng)。

目前市場(chǎng)上提供用于電磁兼容認(rèn)證合規(guī)測(cè)試的儀器和系統(tǒng),往往價(jià)格非常昂貴的,而且還需要建立專業(yè)精良的電磁兼容實(shí)驗(yàn)室或租用實(shí)驗(yàn)室,投入成本高,測(cè)試步驟非常繁瑣。因此對(duì)新產(chǎn)品的研發(fā),為了取得EMC相關(guān)認(rèn)證,常常在電磁兼容認(rèn)證實(shí)驗(yàn)室和公司研發(fā)部門(mén)之間來(lái)回奔波,不斷地重新設(shè)計(jì)、整改、再測(cè)試。企業(yè)為產(chǎn)品由于電磁輻射干擾強(qiáng)度超過(guò)了電磁兼容標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定而不能出廠,或由于電路模塊之間的電磁干擾造成系統(tǒng)不能正常工作,從而延誤了產(chǎn)品的上市而煩惱。因此工程師們非常有必要在設(shè)計(jì)期間在產(chǎn)品研發(fā)階段進(jìn)行合規(guī)性預(yù)測(cè)試,以保證研發(fā)的產(chǎn)品電磁輻射測(cè)量結(jié)果滿足電磁輻射規(guī)定要求和產(chǎn)品上市進(jìn)度。以焦斑為中心,落在其前后半個(gè)瑞利長(zhǎng)度范圍外的光場(chǎng)為近場(chǎng),否則稱為遠(yuǎn)場(chǎng)。天津消費(fèi)電子近場(chǎng)輻射測(cè)試方法

距離天線一定范圍內(nèi),電場(chǎng)和磁場(chǎng)基本為平面并以直角相交。成都近場(chǎng)輻射測(cè)試儀價(jià)格

從90年代末至今,近場(chǎng)微波成像已經(jīng)引起了學(xué)者們的濃厚興趣,但由于常規(guī)目標(biāo)散射近場(chǎng)的復(fù)雜性,致使近場(chǎng)微波成像遠(yuǎn)遠(yuǎn)滯后于遠(yuǎn)場(chǎng)成像。近場(chǎng)微波成像中,著眼于潛在的應(yīng)用,目標(biāo)函數(shù)既可以是理想導(dǎo)體目標(biāo)的輪廓函數(shù),也可以是目標(biāo)介電常數(shù)的分布函數(shù)。從照射天線與成像目標(biāo)的相對(duì)運(yùn)動(dòng)方式來(lái)看,近場(chǎng)微波成像有兩種模式:即直線掃描模式和轉(zhuǎn)臺(tái)模式,研究方法可分為電磁逆散射法和球背向投影法(SphericalBackProjection,簡(jiǎn)寫(xiě)為SBP)。其中電磁逆散射法散射機(jī)理清晰,但數(shù)學(xué)公式復(fù)雜且有很大的局限性,因而,實(shí)際中使用較少;而球背向投影法在實(shí)際中使用較多。利用球背向投影法在直線掃描模式和轉(zhuǎn)臺(tái)模式情況下的目標(biāo)函數(shù)解析公式已經(jīng)給出。成都近場(chǎng)輻射測(cè)試儀價(jià)格