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浦東新區(qū)專注HTOL測試機(jī)

來源: 發(fā)布時(shí)間:2024-03-30

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第二時(shí)間點(diǎn)讀點(diǎn)、第三時(shí)間點(diǎn)讀點(diǎn)至第n時(shí)間點(diǎn)讀點(diǎn)。在每個(gè)時(shí)間點(diǎn)讀點(diǎn)過程為:將閃存參考單元的輸出電流iref與閃存陣列單元的輸出電流i的差值經(jīng)由讀出放大器進(jìn)行比對判斷,若iref<i,則閃存讀出“1”;若iref>i,則閃存讀出“0”。具體的,在閃存(例如norflash)產(chǎn)品htol可靠性驗(yàn)證的階段的測試流程例如依次為:初始(***時(shí)間點(diǎn))讀點(diǎn)、48小時(shí)(第二時(shí)間點(diǎn))讀點(diǎn)、168小時(shí)(第三時(shí)間點(diǎn))讀點(diǎn)、500小時(shí)(第四時(shí)間點(diǎn))讀點(diǎn)、1000小時(shí)(第n時(shí)間點(diǎn))讀點(diǎn)。本發(fā)明實(shí)施例的閃存參考單元未經(jīng)過編譯和擦除循環(huán)而直接進(jìn)行htol測試時(shí),發(fā)現(xiàn)閃存htol可靠性驗(yàn)證在48小時(shí)(hrs)讀點(diǎn)失效。楊浦區(qū)有哪些HTOL測試機(jī)上海頂策科技智能HTOL系統(tǒng),實(shí)時(shí)監(jiān)測并記錄環(huán)境溫度,以及每顆芯片電壓,電流,頻率,寄存器狀態(tài)等數(shù)據(jù)。

    MIL-STD-883K-2016:穩(wěn)態(tài)反向偏置S級**少時(shí)間有240h到120h共6個(gè)級別;B級**少時(shí)間352h到12h共10個(gè)級別;K級**少時(shí)間從700h到320h共6個(gè)級別。S級最低溫度從125℃到150℃共6個(gè)級別;B級別最低溫度從100℃到250℃;K級最低溫度從100℃到125℃。電壓大小全部為額定電壓B:穩(wěn)態(tài)正向偏置C:穩(wěn)態(tài)功率反向偏置D:并聯(lián)勵(lì)磁E:環(huán)形振蕩器F:溫度加速試驗(yàn)————————————————版權(quán)聲明:本文為CSDN博主「月丶匈」的原創(chuàng)文章,遵循,轉(zhuǎn)載請附上原文出處鏈接及本聲明。原文鏈接:blog./qq_36671997/article/details/。

    進(jìn)一步的,對所述閃存參考單元進(jìn)行編譯,包括:在所述源極上施加***編程電壓,在所述漏極上施加第二編程電壓,在所述控制柵上施加第三編程電壓,在所述襯底上施加第四編程電壓;其中,所述***編程電壓小于所述第二編程電壓;所述第二編程電壓小于所述第三編程電壓。進(jìn)一步的,所述***編程電壓的范圍為~0v,所述第二編程電壓的范圍為~,所述第三編程電壓的范圍為8v~10v,所述第四編程電壓的范圍為~-1v。進(jìn)一步的,編譯過程中的脈沖寬度為100μs~150μs。進(jìn)一步的,對所述閃存參考單元進(jìn)行擦除,包括:將所述源極和漏極均懸空,在所述控制柵上施加***擦除電壓,在所述襯底上施加第二擦除電壓;其中,所述***擦除電壓為負(fù)電壓,所述第二擦除電壓為正電壓。進(jìn)一步的,所述***擦除電壓的范圍為-10v~-8v,所述第二擦除電壓的范圍為8v~10v。進(jìn)一步的,擦除過程中的脈沖寬度為10ms~20ms。進(jìn)一步的,對所述閃存參考單元進(jìn)行編譯和擦除,循環(huán)次數(shù)為10次~20次。進(jìn)一步的,對所述閃存進(jìn)行htol測試包括:對所述閃存依次進(jìn)行***時(shí)間點(diǎn)讀點(diǎn)、第二時(shí)間點(diǎn)讀點(diǎn)、第三時(shí)間點(diǎn)讀點(diǎn)至第n時(shí)間點(diǎn)讀點(diǎn)。

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