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閃存參考單元的隧穿氧化層103中會捕獲一些主要從生產(chǎn)工藝帶來的淺能級的空穴，在浮柵里面會注入所需要的電子。編譯過程中浮柵104可以捕獲電子，擦除過程中隧穿氧化層103會捕獲空穴；在經(jīng)過多次的編譯以及擦除后，會在浮柵104中有更多的電子，隧穿氧化層103中有更多的空**7中經(jīng)編譯和擦除循環(huán)后電子空穴的凈值(差值)與未經(jīng)編譯和擦除循環(huán)的電子空穴的凈值(差值)相等，從而保證閃存參考單元編譯和擦除循環(huán)后的輸出電流與編譯和擦除循環(huán)前的輸出電流是相等的。擦除過程中隧穿氧化層捕獲的空穴為深能級的空穴，這些深能級的空穴不容易移動，而在浮柵里面捕獲的電子比較活躍，在htol測試過程中高溫下會比較容易丟失，從而補償了閃存參考單元從生產(chǎn)工藝帶來的淺能級的空穴在htol測試過程中的丟失。上海智能HTOL測試機上海頂策科技提供可靠性測試整體解決方案，包括各類可靠性測試設備，滿足各類芯片的測試需求。

    HTOL的注意要點高溫工作壽命的測試條件主要遵循JESD22-A108進行，除了給器件合適的偏置與負載外，主要包括溫度應力和電壓應力，這兩者都屬于加速因子。合理設置溫度應力和電壓應力，以便在合理的時間和成本下完成壽命評估。對于硅基產(chǎn)品，溫度應力一般設置在結溫>=125℃，GaAs等其它耐高溫材料則可以設置更高的溫度，具體根據(jù)加速要求而定。但無論哪種材料，均需要結溫小于材料的極限工作溫度或者熱關斷（thermalshutdown）溫度。HTOL硬件的散熱設計有利于加速因子的提高，這樣可以節(jié)省試驗時間。電壓應力一般采用最高工作電壓進行，如果需要提高加速度，則可以采用更高的電壓進行試驗，但是無論電壓應力還是溫度應力都不允許器件處于過電應力的狀態(tài)。

    1.試驗目的標準試驗目的備注JESD22-A108F-2017確定偏置條件和溫度對于固態(tài)器件隨時間的影響。試驗可以加速地模擬器件的運行狀態(tài)，主要用于器件的可靠性測試。本實驗在較短時間內(nèi)對器件施加高溫偏置，通常也被稱為老化或老煉。，這些器件隨著時間和應力變化而產(chǎn)生的失效。GJB548B-2015方法，這些器件隨著時間和應力變化而產(chǎn)生的失效。AEC-Q100參照JESD220-A108F-2017————————————————版權聲明：本文為CSDN博主「月丶匈」的原創(chuàng)文章，遵循，轉載請附上原文出處鏈接及本聲明。原文鏈接：。 上海頂策科技智能HTOL系統(tǒng)，實時監(jiān)測并記錄環(huán)境溫度，確保芯片處于正常HTOL狀態(tài)，保證HTOL測試質(zhì)量。

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