提供可靠性測(cè)試整體解決方案：可靠性設(shè)備，HTOL/LTOL、雙85、HAST等幾十項(xiàng)可靠性測(cè)試方案制定，PCB設(shè)計(jì)制作，測(cè)試試驗(yàn)，滿足各類芯片可靠性測(cè)試需求。涵蓋模擬，數(shù)字，混合信號(hào)，SOC，RF等各類芯片的可靠性方案設(shè)計(jì)，原理圖設(shè)計(jì)，PCBlayout加工制作，老化程序開(kāi)發(fā)調(diào)試，可靠性測(cè)試試驗(yàn)，出具可靠性報(bào)告等一條龍服務(wù)。自主研發(fā)在線實(shí)時(shí)單顆監(jiān)測(cè)技術(shù)，通過(guò)監(jiān)測(cè)數(shù)據(jù)，可實(shí)時(shí)發(fā)現(xiàn)問(wèn)題并介入分析，大幅提高HTOL效率，節(jié)省更多時(shí)間、FA成本，讓HTOL問(wèn)題更容易分析，更有追溯性，讓報(bào)告更有說(shuō)服力，下游客戶更放心。上海頂策科技提供可靠性測(cè)試整體解決方案，包括各類可靠性測(cè)試設(shè)備，滿足各類芯片的測(cè)試需求。在線HTOL測(cè)試機(jī)怎么樣

    高溫工作壽命實(shí)驗(yàn)（Hightemperatureoperatinglifetest:HTOL）測(cè)試目的：芯片處于高溫條件下，加入動(dòng)態(tài)信號(hào)，并長(zhǎng)時(shí)間工作，以評(píng)估其使用壽命，并確定其可靠性。測(cè)試條件：結(jié)溫(Tj)≧125℃，電壓Vcc≧Vccmax，測(cè)試時(shí)間：1000hrs樣品數(shù)：77ea/lot,3lots測(cè)試讀點(diǎn)：168、500、1000hrs參考規(guī)范：、JESD22-A108JESD22-A108B：Temperature,Bias,andOperatingLifeJESD85：METHODSFORCALCULATINGFAILURERATESINUNITSOFFITSJESD47K：Stress-Test-DrivenQualificationofIntegratedCircuitsJESD74：EarlyLifeFailureRateCalculationProcedureforSemiconductorComponents芯片工作壽命試驗(yàn)、老化試驗(yàn)(OperatingLifeTest)，為利用溫度、電壓加速方式，在短時(shí)間試驗(yàn)內(nèi)，預(yù)估芯片在長(zhǎng)時(shí)間可工作下的壽命時(shí)間(生命周期預(yù)估)。BI(Burn-in)/ELFR(EarlyLifeFailureRate)：評(píng)估早夭階段的故障率或藉由BI手法降低出貨的早夭率-DPPM(DefectPartsPer-Million)，針對(duì)失效模式中的InfantMortality，一般測(cè)試低于48小時(shí)，車規(guī)級(jí)芯片需要100%BI測(cè)試。HTOL(HighTemperatureOperatingLife)：評(píng)估可使用期的壽命時(shí)間-FIT/MTTF，針對(duì)失效模式中的Wearout，一般需要測(cè)試1000小時(shí)，屬于抽樣測(cè)試。 在線HTOL測(cè)試機(jī)怎么樣上海頂策科技的HTOL測(cè)試機(jī)TH801，自有發(fā)明專利的智能HTOL系統(tǒng)，自主研發(fā)在線實(shí)時(shí)單顆監(jiān)測(cè)技術(shù)。

    4.失效判據(jù)標(biāo)準(zhǔn)失效判據(jù)備注JESD22-A108F-2017如果器件不符合采購(gòu)文件要求，則認(rèn)為失效。：1.四種標(biāo)準(zhǔn)的失效判據(jù)都根據(jù)相應(yīng)的標(biāo)準(zhǔn)執(zhí)行?！鏅?quán)聲明：本文為CSDN博主「月丶匈」的原創(chuàng)文章，遵循，轉(zhuǎn)載請(qǐng)附上原文出處鏈接及本聲明。原文鏈接：。4.失效判據(jù)標(biāo)準(zhǔn)失效判據(jù)備注JESD22-A108F-2017如果器件不符合采購(gòu)文件要求，則認(rèn)為失效。：1.四種標(biāo)準(zhǔn)的失效判據(jù)都根據(jù)相應(yīng)的標(biāo)準(zhǔn)執(zhí)行。————————————————版權(quán)聲明：本文為CSDN博主「月丶匈」的原創(chuàng)文章，遵循，轉(zhuǎn)載請(qǐng)附上原文出處鏈接及本聲明。原文鏈接：。

可靠性測(cè)試整體解決方案：可靠性設(shè)備，HTOL/LTOL、雙85、HAST等幾十項(xiàng)可靠性測(cè)試方案制定，PCB設(shè)計(jì)制作，測(cè)試試驗(yàn)，滿足各類芯片可靠性測(cè)試需求。涵蓋模擬，數(shù)字，混合信號(hào)，SOC，RF等各類芯片的可靠性方案設(shè)計(jì)，原理圖設(shè)計(jì)，PCBlayout加工制作，老化程序開(kāi)發(fā)調(diào)試，可靠性測(cè)試試驗(yàn)，出具可靠性報(bào)告等全方面服務(wù)。上海頂策科技有限公司，擁有20年以上的豐富測(cè)試技術(shù)積累及運(yùn)營(yíng)經(jīng)驗(yàn)，以及多項(xiàng)發(fā)明專利及軟件著作權(quán)，自成立以來(lái)已經(jīng)為超過(guò)500家半導(dǎo)體公司提供高質(zhì)量，高效率，低成本，一條龍測(cè)試解決方案！TH801智能老化系統(tǒng)，實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)并記錄環(huán)境溫度，確保芯片處于正常HTOL狀態(tài)，保證HTOL測(cè)試質(zhì)量。

一種閃存htol測(cè)試方法，包括：提供待測(cè)閃存，所述閃存包括閃存參考單元和閃存陣列單元；所述閃存參考單元中捕獲有空穴；對(duì)所述閃存參考單元循環(huán)進(jìn)行編譯和擦除，以在所述閃存參考單元中引入電子；對(duì)所述閃存進(jìn)行htol測(cè)試，所述引入電子在所述htol測(cè)試過(guò)程中部分丟失，以對(duì)htol測(cè)試過(guò)程中所述空穴的丟失形成補(bǔ)償。具體的，待測(cè)閃存在同一閃存芯片(die)中的不同區(qū)域分布有閃存參考單元和閃存陣列單元，閃存陣列單元用于存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，閃存參考單元用于提供參考閾值電壓以區(qū)分閃存陣列單元的狀態(tài)。提供的待測(cè)閃存在其生產(chǎn)工藝過(guò)程中易在閃存參考單元中捕獲。引入)空穴，所述空穴在htol測(cè)試過(guò)程中存在丟失。圖2為本發(fā)明實(shí)施例的閃存參考單元的結(jié)構(gòu)示意圖，上海頂策科技有限公司，20年以上的豐富測(cè)試技術(shù)積累及運(yùn)營(yíng)經(jīng)驗(yàn)，擁有多項(xiàng)發(fā)明專利及軟件著作權(quán)。國(guó)內(nèi)HTOL測(cè)試機(jī)專賣

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