發(fā)明人檢查失效的原因，發(fā)現(xiàn)讀點(diǎn)失效為讀“0”失效，并且進(jìn)一步研究發(fā)現(xiàn)閃存參考單元的輸出電流iref在48小時(shí)的測(cè)試值iref1與在初始的測(cè)試值iref0之間有偏移，具體偏移量經(jīng)測(cè)試統(tǒng)計(jì)在4μa以內(nèi)，而且iref1＜iref0，即48小時(shí)后iref往電流變小的方向偏移。閃存測(cè)試中，若iref＞i，則讀出“0”(即閃存讀“0”操作時(shí)，iref＞i)。閃存判斷讀“0”的具體操作過(guò)程為：將閃存參考單元的輸出電流iref與閃存陣列單元的輸出電流i的差值經(jīng)由讀出放大器進(jìn)行比對(duì)判斷。當(dāng)差值變?nèi)醯接勺x出放大器無(wú)法進(jìn)行識(shí)別時(shí)，讀“0”失效。當(dāng)htol可靠性驗(yàn)證經(jīng)過(guò)***時(shí)間點(diǎn)例如48小時(shí)后，由于閃存參考單元的輸出電流iref往電流變小的方向偏移即iref變小，如此一來(lái)，閃存參考單元的輸出電流iref與閃存陣列單元的輸出電流i的差值變小，超出讀出放大器識(shí)別范圍，于是讀“0”失效。測(cè)試發(fā)現(xiàn)經(jīng)48小時(shí)閃存參考單元的輸出電流iref往電流變小的方向偏移后，進(jìn)一步做htol測(cè)試，閃存參考單元的輸出電流iref在第三時(shí)間點(diǎn)例如168小時(shí),第四時(shí)間點(diǎn)例如500小時(shí),第五時(shí)間點(diǎn)例如1000小時(shí)測(cè)試均不會(huì)進(jìn)一步偏移。上海頂策科技有限公司智能一體化HTOL測(cè)試機(jī)TH801通過(guò)監(jiān)測(cè)數(shù)據(jù)，可實(shí)時(shí)發(fā)現(xiàn)問(wèn)題并介入分析，大幅提高效率。虹口區(qū)HTOL測(cè)試機(jī)參數(shù)

芯片ATE程序開發(fā)及FT測(cè)試FT（FinalTest）是芯片在封裝完成以后進(jìn)行的*終的功能和性能測(cè)試，是產(chǎn)品質(zhì)量控制*后環(huán)節(jié)，通過(guò)ATE+Handler+loadboard檢測(cè)并剔除封裝工藝和制造缺陷等生產(chǎn)環(huán)節(jié)問(wèn)題的芯片。測(cè)試程序覆蓋功能和全pin性能參數(shù)，并補(bǔ)充CP未覆蓋的功能。服務(wù)內(nèi)容：老化方案開發(fā)測(cè)試硬件設(shè)計(jì)ATE開發(fā)調(diào)試可靠性試驗(yàn)在要求點(diǎn)(如0、168、500、1000 hr)進(jìn)行 ATE 測(cè)試，確定芯片是否OK, 記錄每顆芯片的關(guān)鍵參數(shù)，并分析老化過(guò)程中的變化。崇明區(qū)智能HTOL測(cè)試機(jī)上海頂策科技有限公司自主研發(fā)智能一體化HTOL測(cè)試機(jī)TH801實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)并記錄環(huán)境溫度。

    4.失效判據(jù)標(biāo)準(zhǔn)失效判據(jù)備注JESD22-A108F-2017如果器件不符合采購(gòu)文件要求，則認(rèn)為失效。：1.四種標(biāo)準(zhǔn)的失效判據(jù)都根據(jù)相應(yīng)的標(biāo)準(zhǔn)執(zhí)行?！鏅?quán)聲明：本文為CSDN博主「月丶匈」的原創(chuàng)文章，遵循，轉(zhuǎn)載請(qǐng)附上原文出處鏈接及本聲明。原文鏈接：。4.失效判據(jù)標(biāo)準(zhǔn)失效判據(jù)備注JESD22-A108F-2017如果器件不符合采購(gòu)文件要求，則認(rèn)為失效。：1.四種標(biāo)準(zhǔn)的失效判據(jù)都根據(jù)相應(yīng)的標(biāo)準(zhǔn)執(zhí)行?！鏅?quán)聲明：本文為CSDN博主「月丶匈」的原創(chuàng)文章，遵循，轉(zhuǎn)載請(qǐng)附上原文出處鏈接及本聲明。原文鏈接：。

集成電路動(dòng)態(tài)老化設(shè)備，20年發(fā)展歷史，自主研發(fā)TH801智能一體化HTOL測(cè)試機(jī)，擁有多項(xiàng)發(fā)明專利及軟件著作權(quán)，可實(shí)時(shí)發(fā)現(xiàn)問(wèn)題并介入分析，大幅提高HTOL效率。上海頂策科技有限公司，自成立以來(lái)已經(jīng)為超過(guò)500家半導(dǎo)體公司提供高質(zhì)量，高效率，低成本，一條龍測(cè)試解決方案！涵蓋模擬，數(shù)字，混合信號(hào)，SOC，RF等各類芯片的可靠性方案設(shè)計(jì)，原理圖設(shè)計(jì)，PCBlayout加工制作，老化程序開發(fā)調(diào)試，可靠性測(cè)試實(shí)驗(yàn)，出具可靠性報(bào)告等一條龍服務(wù)。上海頂策科技智能HTOL系統(tǒng)，實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)并記錄環(huán)境溫度，確保芯片處于正常HTOL狀態(tài)，保證HTOL測(cè)試質(zhì)量。

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    高溫工作壽命實(shí)驗(yàn)（Hightemperatureoperatinglifetest:HTOL）測(cè)試目的：芯片處于高溫條件下，加入動(dòng)態(tài)信號(hào)，并長(zhǎng)時(shí)間工作，以評(píng)估其使用壽命，并確定其可靠性。測(cè)試條件：結(jié)溫(Tj)≧125℃，電壓Vcc≧Vccmax，測(cè)試時(shí)間：1000hrs樣品數(shù)：77ea/lot,3lots測(cè)試讀點(diǎn)：168、500、1000hrs參考規(guī)范：、JESD22-A108JESD22-A108B：Temperature,Bias,andOperatingLifeJESD85：METHODSFORCALCULATINGFAILURERATESINUNITSOFFITSJESD47K：Stress-Test-DrivenQualificationofIntegratedCircuitsJESD74：EarlyLifeFailureRateCalculationProcedureforSemiconductorComponents芯片工作壽命試驗(yàn)、老化試驗(yàn)(OperatingLifeTest)，為利用溫度、電壓加速方式，在短時(shí)間試驗(yàn)內(nèi)，預(yù)估芯片在長(zhǎng)時(shí)間可工作下的壽命時(shí)間(生命周期預(yù)估)。BI(Burn-in)/ELFR(EarlyLifeFailureRate)：評(píng)估早夭階段的故障率或藉由BI手法降低出貨的早夭率-DPPM(DefectPartsPer-Million)，針對(duì)失效模式中的InfantMortality，一般測(cè)試低于48小時(shí)，車規(guī)級(jí)芯片需要100%BI測(cè)試。HTOL(HighTemperatureOperatingLife)：評(píng)估可使用期的壽命時(shí)間-FIT/MTTF，針對(duì)失效模式中的Wearout，一般需要測(cè)試1000小時(shí)，屬于抽樣測(cè)試。 虹口區(qū)HTOL測(cè)試機(jī)參數(shù)

上海頂策科技有限公司是一家有著雄厚實(shí)力背景、信譽(yù)可靠、勵(lì)精圖治、展望未來(lái)、有夢(mèng)想有目標(biāo)，有組織有體系的公司，堅(jiān)持于帶領(lǐng)員工在未來(lái)的道路上大放光明，攜手共畫藍(lán)圖，在上海市等地區(qū)的儀器儀表行業(yè)中積累了大批忠誠(chéng)的客戶粉絲源，也收獲了良好的用戶口碑，為公司的發(fā)展奠定的良好的行業(yè)基礎(chǔ)，也希望未來(lái)公司能成為*****，努力為行業(yè)領(lǐng)域的發(fā)展奉獻(xiàn)出自己的一份力量，我們相信精益求精的工作態(tài)度和不斷的完善創(chuàng)新理念以及自強(qiáng)不息，斗志昂揚(yáng)的的企業(yè)精神將**上海頂策科技供應(yīng)和您一起攜手步入輝煌，共創(chuàng)佳績(jī)，一直以來(lái)，公司貫徹執(zhí)行科學(xué)管理、創(chuàng)新發(fā)展、誠(chéng)實(shí)守信的方針，員工精誠(chéng)努力，協(xié)同奮取，以品質(zhì)、服務(wù)來(lái)贏得市場(chǎng)，我們一直在路上！