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一種閃存htol測試方法，包括：提供待測閃存，所述閃存包括閃存參考單元和閃存陣列單元；所述閃存參考單元中捕獲有空穴；對所述閃存參考單元循環(huán)進(jìn)行編譯和擦除，以在所述閃存參考單元中引入電子；對所述閃存進(jìn)行htol測試，所述引入電子在所述htol測試過程中部分丟失，以對htol測試過程中所述空穴的丟失形成補(bǔ)償。具體的，待測閃存在同一閃存芯片(die)中的不同區(qū)域分布有閃存參考單元和閃存陣列單元，閃存陣列單元用于存儲數(shù)據(jù)，閃存參考單元用于提供參考閾值電壓以區(qū)分閃存陣列單元的狀態(tài)。提供的待測閃存在其生產(chǎn)工藝過程中易在閃存參考單元中捕獲。引入)空穴，所述空穴在htol測試過程中存在丟失。圖2為本發(fā)明實(shí)施例的閃存參考單元的結(jié)構(gòu)示意圖，上海頂策科技有限公司可靠性測試部，提供芯片可靠性測試整體解決方案。長寧區(qū)HTOL測試機(jī)私人定做

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    1.試驗(yàn)?zāi)康臉?biāo)準(zhǔn)試驗(yàn)?zāi)康膫渥ESD22-A108F-2017確定偏置條件和溫度對于固態(tài)器件隨時(shí)間的影響。試驗(yàn)可以加速地模擬器件的運(yùn)行狀態(tài)，主要用于器件的可靠性測試。本實(shí)驗(yàn)在較短時(shí)間內(nèi)對器件施加高溫偏置，通常也被稱為老化或老煉。，這些器件隨著時(shí)間和應(yīng)力變化而產(chǎn)生的失效。GJB548B-2015方法，這些器件隨著時(shí)間和應(yīng)力變化而產(chǎn)生的失效。AEC-Q100參照J(rèn)ESD220-A108F-2017————————————————版權(quán)聲明：本文為CSDN博主「月丶匈」的原創(chuàng)文章，遵循，轉(zhuǎn)載請附上原文出處鏈接及本聲明。原文鏈接：。 嘉定區(qū)怎樣選擇HTOL測試機(jī)

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