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在每個時間點讀點過程為：將閃存參考單元的輸出電流iref與閃存陣列單元的輸出電流i的差值經(jīng)由讀出放大器進行比對判斷，若iref＜i，則閃存讀出“1”；若iref＞i，則閃存讀出“0”。與現(xiàn)有技術相比，本發(fā)明具有如下有益效果：本發(fā)明所提供的閃存htol測試方法，對所述閃存參考單元循環(huán)進行編譯和擦除，以在所述閃存參考單元中引入電子；對所述閃存進行htol測試，所述引入電子在所述htol測試過程中存在丟失，以對htol測試過程中所述空穴的丟失形成補償。降低了閃存參考單元的輸出電流iref的偏移量，從而使閃存htol讀“0”通過，解決了閃存htol測試中讀點失效的問題，提高閃存質量。附圖說明圖1為本發(fā)明實施例的閃存htol測試方法流程圖；圖2為本發(fā)明實施例的閃存參考單元的結構示意圖；圖3為本發(fā)明實施例的對閃存參考單元進行編譯示意圖；圖4為本發(fā)明實施例的對閃存參考單元進行擦除示意圖；圖5為本發(fā)明實施例的閃存參考單元未經(jīng)過編譯和擦除直接進行htol測試的輸出電流iref分布圖；怎樣選擇HTOL測試機大概費用上海頂策科技TH801智能老化系統(tǒng)，實時監(jiān)測并記錄環(huán)境溫度，具體到每顆芯片的狀態(tài)數(shù)據(jù)。

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包括：將所述源極101和漏極102均懸空，在所述控制柵106上施加***擦除電壓vc1，在所述襯底100上施加第二擦除電壓vc2；其中，所述***擦除電壓vc1為負電壓，所述第二擦除電壓vc2為正電壓。所述***擦除電壓vc1的范圍為-10v～-8v，本實施例中例如為-9v；所述第二擦除電壓vc2的范圍為8v～10v，本實施例中例如為9v；擦除過程中的脈沖寬度為10ms～20ms。本實施例中，閃存參考單元的擦除原理是基于fowler-nordheim隧穿(簡稱為fn隧穿)，通過在襯底100上施加正電壓，在控制柵106上施加負電壓，以在隧穿氧化層103中注入空穴，同時減少浮柵104中的電子。HTOL測試機哪家強

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