技術(shù)實現(xiàn)要素：本發(fā)明提供了一種閃存htol測試方法，以解決閃存htol測試中讀點失效的問題。本發(fā)明提供的閃存htol測試方法，包括：提供待測閃存，所述閃存包括閃存參考單元和閃存陣列單元；所述閃存參考單元中捕獲有空穴；對所述閃存參考單元循環(huán)進行編譯和擦除，以在所述閃存參考單元中引入電子；對所述閃存進行htol測試，所述引入電子在所述htol測試過程中部分丟失，以對htol測試過程中所述空穴的丟失形成補償。進一步的，所述閃存參考單元包括襯底、位于所述襯底中的導電溝道、位于所述導電溝道兩側(cè)的源極和漏極，位于所述導電溝道上方的柵極單元，所述柵極單元從下到上依次包括隧穿氧化層、浮柵、柵間介質(zhì)層以及控制柵，所述柵極單元的兩側(cè)分布有側(cè)墻。 TH801智能老化系統(tǒng)，設(shè)備體積小，重量輕，功耗小，節(jié)能環(huán)保，干凈整潔，操作簡單，易于上手。閔行區(qū)國產(chǎn)HTOL測試機

蓋模擬，數(shù)字，混合信號，SOC，RF等各類芯片的可靠性方案設(shè)計，原理圖設(shè)計，PCBlayout加工制作，老化程序開發(fā)調(diào)試，可靠性測試試驗，出具可靠性報告等一條龍服務(wù)。自主研發(fā)在線實時單顆監(jiān)測技術(shù)，通過監(jiān)測數(shù)據(jù)，可實時發(fā)現(xiàn)問題并介入分析，大幅提高HTOL效率，節(jié)省更多時間、FA成本，讓HTOL問題更容易分析，更有追溯性，讓報告更有說服力，下游客戶更放心。20年以上的豐富測試技術(shù)積累及運營經(jīng)驗，擁有多項發(fā)明專利及軟件著作權(quán)，自成立以來，已經(jīng)為超過500家半導體公司提供高質(zhì)量，高效率，低成本，一條龍測試解決方案！虹口區(qū)HTOL測試機性能TH801智能老化系統(tǒng)，實時參數(shù)正態(tài)分布圖，散點圖等分析數(shù)據(jù)，有利于分析芯片性能參數(shù)。

提供可靠性測試整體解決方案：可靠性設(shè)備，HTOL/LTOL、雙85、HAST等幾十項可靠性測試方案制定，PCB設(shè)計制作，測試試驗，滿足各類芯片可靠性測試需求。涵蓋模擬，數(shù)字，混合信號，SOC，RF等各類芯片的可靠性方案設(shè)計，原理圖設(shè)計，PCBlayout加工制作，老化程序開發(fā)調(diào)試，可靠性測試實驗，出具可靠性報告等一條龍服務(wù)。20年以上的豐富測試技術(shù)積累及運營經(jīng)驗，擁有多項發(fā)明專利及軟件著作權(quán)，自成立以來，已經(jīng)為超過500家半導體公司提供高質(zhì)量，高效率，低成本，一條龍的上等測試解決方案！

本發(fā)明實施例的閃存參考單元經(jīng)過編譯和擦除循環(huán)后再進行htol測試的輸出電流iref分布圖。閃存參考單元進行編譯和擦除循環(huán)后，htol測試過程中。閃存參考單元的輸出電流iref在48小時的測試值iref1與在初始的測試值iref0之間偏移量減小，實際驗證多個型號的閃存產(chǎn)品采用本實施例的方法后，htol可靠性驗證通過，而且測試可靠，使閃存產(chǎn)品較短時間內(nèi)進入客戶樣品量產(chǎn)階段。綜上所述，本發(fā)明所提供的一種閃存htol測試方法，對閃存參考單元進行編譯和擦除循環(huán)后，再進行閃存htol可靠性驗證，編譯和擦除循環(huán)會在閃存參考單元中引入電子，引入的電子在閃存htol可靠性驗證過程存在丟失，進而對空穴在htol測試過程中的丟失形成補償，降低了閃存參考單元的輸出電流iref的偏移量，從而使閃存htol讀“0”通過，解決了閃存htol測試中讀點失效的問題，提高閃存質(zhì)量。顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對發(fā)明進行各種改動和變型而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些改動和變型屬于本發(fā)明權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本發(fā)明也意圖包括這些改動和變動在內(nèi)。上海頂策科技自主研發(fā)實時單顆監(jiān)測技術(shù)，可靈活配置芯片工作狀態(tài)，并施加信號，非常方便HTOL Setup。

    進一步的，對所述閃存參考單元進行編譯，包括：在所述源極上施加***編程電壓，在所述漏極上施加第二編程電壓，在所述控制柵上施加第三編程電壓，在所述襯底上施加第四編程電壓；其中，所述***編程電壓小于所述第二編程電壓；所述第二編程電壓小于所述第三編程電壓。進一步的，所述***編程電壓的范圍為～0v,所述第二編程電壓的范圍為～，所述第三編程電壓的范圍為8v～10v,所述第四編程電壓的范圍為～-1v。進一步的，編譯過程中的脈沖寬度為100μs～150μs。進一步的，對所述閃存參考單元進行擦除，包括：將所述源極和漏極均懸空，在所述控制柵上施加***擦除電壓，在所述襯底上施加第二擦除電壓；其中，所述***擦除電壓為負電壓，所述第二擦除電壓為正電壓。進一步的，所述***擦除電壓的范圍為-10v～-8v，所述第二擦除電壓的范圍為8v～10v。進一步的，擦除過程中的脈沖寬度為10ms～20ms。進一步的，對所述閃存參考單元進行編譯和擦除，循環(huán)次數(shù)為10次～20次。進一步的，對所述閃存進行htol測試包括：對所述閃存依次進行***時間點讀點、第二時間點讀點、第三時間點讀點至第n時間點讀點。

    TH801智能老化系統(tǒng)，實時監(jiān)測并記錄環(huán)境溫度，確保芯片處于正常HTOL狀態(tài)，保證HTOL測試質(zhì)量。黃浦區(qū)HTOL測試機推薦廠家

上海頂策科技有限公司提供芯片可靠性測試一條龍解決方案。閔行區(qū)國產(chǎn)HTOL測試機

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