包括：將所述源極101和漏極102均懸空，在所述控制柵106上施加***擦除電壓vc1，在所述襯底100上施加第二擦除電壓vc2；其中，所述***擦除電壓vc1為負電壓，所述第二擦除電壓vc2為正電壓。所述***擦除電壓vc1的范圍為-10v～-8v，本實施例中例如為-9v；所述第二擦除電壓vc2的范圍為8v～10v，本實施例中例如為9v；擦除過程中的脈沖寬度為10ms～20ms。本實施例中，閃存參考單元的擦除原理是基于fowler-nordheim隧穿(簡稱為fn隧穿)，通過在襯底100上施加正電壓，在控制柵106上施加負電壓，以在隧穿氧化層103中注入空穴，同時減少浮柵104中的電子。上海頂策科技的HTOL測試機TH801，自有發(fā)明專利的智能HTOL系統(tǒng)，自主研發(fā)在線實時單顆監(jiān)測技術。什么是HTOL測試機設計

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    1.試驗目的標準試驗目的備注JESD22-A108F-2017確定偏置條件和溫度對于固態(tài)器件隨時間的影響。試驗可以加速地模擬器件的運行狀態(tài)，主要用于器件的可靠性測試。本實驗在較短時間內(nèi)對器件施加高溫偏置，通常也被稱為老化或老煉。，這些器件隨著時間和應力變化而產(chǎn)生的失效。GJB548B-2015方法，這些器件隨著時間和應力變化而產(chǎn)生的失效。AEC-Q100參照JESD220-A108F-2017————————————————版權聲明：本文為CSDN博主「月丶匈」的原創(chuàng)文章，遵循，轉載請附上原文出處鏈接及本聲明。原文鏈接：。

    GJB548B-2015方法，否則采用額定工作電壓S級**少時間有240h到120h共6個級別；B級**少時間160h到12h共10個級別；H級**少時間352h到80h共11級別；K級**少時間從700h到320h共6個級別。S級最低溫度從125℃到150℃共6個級別；B級別最低溫度從125℃到250℃；H級最低溫度從100℃到150℃；K級最低溫度從100℃到125℃?！鏅嗦暶鳎罕疚臑镃SDN博主「月丶匈」的原創(chuàng)文章，遵循，轉載請附上原文出處鏈接及本聲明。原文鏈接：。 上海頂策科技智能HTOL系統(tǒng)，自主研發(fā)在線實時單顆監(jiān)測技術。

一種閃存htol測試方法，包括：提供待測閃存，所述閃存包括閃存參考單元和閃存陣列單元；所述閃存參考單元中捕獲有空穴；對所述閃存參考單元循環(huán)進行編譯和擦除，以在所述閃存參考單元中引入電子；對所述閃存進行htol測試，所述引入電子在所述htol測試過程中部分丟失，以對htol測試過程中所述空穴的丟失形成補償。具體的，待測閃存在同一閃存芯片(die)中的不同區(qū)域分布有閃存參考單元和閃存陣列單元，閃存陣列單元用于存儲數(shù)據(jù)，閃存參考單元用于提供參考閾值電壓以區(qū)分閃存陣列單元的狀態(tài)。提供的待測閃存在其生產(chǎn)工藝過程中易在閃存參考單元中捕獲。引入)空穴，所述空穴在htol測試過程中存在丟失。圖2為本發(fā)明實施例的閃存參考單元的結構示意圖，上海頂策科技有限公司可靠性測試服務，涵蓋模擬，數(shù)字，混合信號，SOC，RF等各類芯片的可靠性方案設計。松江區(qū)HTOL測試機設計

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