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在每個時間點讀點過程為：將閃存參考單元的輸出電流iref與閃存陣列單元的輸出電流i的差值經由讀出放大器進行比對判斷，若iref＜i，則閃存讀出“1”；若iref＞i，則閃存讀出“0”。與現(xiàn)有技術相比，本發(fā)明具有如下有益效果：本發(fā)明所提供的閃存htol測試方法，對所述閃存參考單元循環(huán)進行編譯和擦除，以在所述閃存參考單元中引入電子；對所述閃存進行htol測試，所述引入電子在所述htol測試過程中存在丟失，以對htol測試過程中所述空穴的丟失形成補償。降低了閃存參考單元的輸出電流iref的偏移量，從而使閃存htol讀“0”通過，解決了閃存htol測試中讀點失效的問題，提高閃存質量。附圖說明圖1為本發(fā)明實施例的閃存htol測試方法流程圖；圖2為本發(fā)明實施例的閃存參考單元的結構示意圖；圖3為本發(fā)明實施例的對閃存參考單元進行編譯示意圖；圖4為本發(fā)明實施例的對閃存參考單元進行擦除示意圖；圖5為本發(fā)明實施例的閃存參考單元未經過編譯和擦除直接進行htol測試的輸出電流iref分布圖；HTOL測試機大概費用上海頂策科技有限公司提供可靠性測試整體解決方案，以及測試方案制定，PCB設計制作，測試試驗。

    1.試驗目的標準試驗目的備注JESD22-A108F-2017確定偏置條件和溫度對于固態(tài)器件隨時間的影響。試驗可以加速地模擬器件的運行狀態(tài)，主要用于器件的可靠性測試。本實驗在較短時間內對器件施加高溫偏置，通常也被稱為老化或老煉。，這些器件隨著時間和應力變化而產生的失效。GJB548B-2015方法，這些器件隨著時間和應力變化而產生的失效。AEC-Q100參照JESD220-A108F-2017————————————————版權聲明：本文為CSDN博主「月丶匈」的原創(chuàng)文章，遵循，轉載請附上原文出處鏈接及本聲明。原文鏈接：。

本發(fā)明實施例的閃存參考單元未經過編譯和擦除的電荷分布示意圖；發(fā)明實施例的閃存參考單元經過編譯和擦除后的電荷分布示意圖。圖8為本發(fā)明實施例的閃存參考單元經過編譯和擦除循環(huán)后再進行htol測試的輸出電流iref分布圖。其中，具體標號如下：100-襯底；101-源極；102-漏極；103-隧穿氧化層；104-浮柵；105-柵間介質層；106-控制柵；107-側墻；具體實施方式本發(fā)明提供一種閃存htol測試方法，以下結合附圖和具體實施例作進一步詳細說明。根據下面說明，本發(fā)明的優(yōu)點和特征將更清楚。需說明的是，附圖均采用非常簡化的形式且均使用非精細的比例，*用以方便、明晰地輔助說明本發(fā)明實施例的目的。圖1為本發(fā)明實施例的閃存htol測試方法流程圖，上海頂策科技有限公司智能一體化HTOL測試機TH801可以為芯片HTOL測試節(jié)省更多時間、FA成本。

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