閃存HTOL測(cè)試方法與流程本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，尤其涉及一種閃存htol測(cè)試方法。背景技術(shù)：閃存(flashmemory)是一種非易失性的存儲(chǔ)器，其具有即使斷電存儲(chǔ)數(shù)據(jù)也不會(huì)丟失而能夠長(zhǎng)期保存的特點(diǎn)。故近年來(lái)閃存的發(fā)展十分迅速，并且具有高集成度、高存儲(chǔ)速度和高可靠性的閃存存儲(chǔ)器被廣泛應(yīng)用于包括電腦、手機(jī)、服務(wù)器等電子產(chǎn)品及設(shè)備中。在半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域中，htol(hightemperatureoperatinglifetest，高溫操作生命期試驗(yàn))用于評(píng)估半導(dǎo)體器件在超熱和超電壓情況下一段時(shí)間的耐久力。對(duì)于閃存的可靠性而言，在數(shù)萬(wàn)次的循環(huán)之后的htol是一個(gè)主要指數(shù)。通常而言，閃存產(chǎn)品需要在10000次的循環(huán)之后，通過(guò)1000小時(shí)的htol測(cè)試。閃存htol實(shí)際測(cè)試中存在若干小時(shí)后閃存測(cè)試讀點(diǎn)(例如讀“0”)失效，亟需解決閃存htol測(cè)試中讀點(diǎn)失效的問(wèn)題。上海頂策科技智能HTOL系統(tǒng)，有全程HTOL數(shù)據(jù)記錄，讓報(bào)告更有說(shuō)服力，下游客戶更放心。上海如何選HTOL測(cè)試機(jī)

    MIL-STD-883K-2016：穩(wěn)態(tài)反向偏置S級(jí)**少時(shí)間有240h到120h共6個(gè)級(jí)別；B級(jí)**少時(shí)間352h到12h共10個(gè)級(jí)別；K級(jí)**少時(shí)間從700h到320h共6個(gè)級(jí)別。S級(jí)最低溫度從125℃到150℃共6個(gè)級(jí)別；B級(jí)別最低溫度從100℃到250℃；K級(jí)最低溫度從100℃到125℃。電壓大小全部為額定電壓B：穩(wěn)態(tài)正向偏置C：穩(wěn)態(tài)功率反向偏置D：并聯(lián)勵(lì)磁E：環(huán)形振蕩器F：溫度加速試驗(yàn)————————————————版權(quán)聲明：本文為CSDN博主「月丶匈」的原創(chuàng)文章，遵循，轉(zhuǎn)載請(qǐng)附上原文出處鏈接及本聲明。原文鏈接：blog./qq_36671997/article/details/。 一體化HTOL測(cè)試機(jī)供應(yīng)上海頂策科技智能HTOL系統(tǒng)，自主研發(fā)在線實(shí)時(shí)單顆監(jiān)測(cè)技術(shù)。

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發(fā)明人檢查失效的原因，發(fā)現(xiàn)讀點(diǎn)失效為讀“0”失效，并且進(jìn)一步研究發(fā)現(xiàn)閃存參考單元的輸出電流iref在48小時(shí)的測(cè)試值iref1與在初始的測(cè)試值iref0之間有偏移，具體偏移量經(jīng)測(cè)試統(tǒng)計(jì)在4μa以內(nèi)，而且iref1＜iref0，即48小時(shí)后iref往電流變小的方向偏移。閃存測(cè)試中，若iref＞i，則讀出“0”(即閃存讀“0”操作時(shí)，iref＞i)。閃存判斷讀“0”的具體操作過(guò)程為：將閃存參考單元的輸出電流iref與閃存陣列單元的輸出電流i的差值經(jīng)由讀出放大器進(jìn)行比對(duì)判斷。當(dāng)差值變?nèi)醯接勺x出放大器無(wú)法進(jìn)行識(shí)別時(shí)，讀“0”失效。當(dāng)htol可靠性驗(yàn)證經(jīng)過(guò)***時(shí)間點(diǎn)例如48小時(shí)后，由于閃存參考單元的輸出電流iref往電流變小的方向偏移即iref變小，如此一來(lái)，閃存參考單元的輸出電流iref與閃存陣列單元的輸出電流i的差值變小，超出讀出放大器識(shí)別范圍，于是讀“0”失效。測(cè)試發(fā)現(xiàn)經(jīng)48小時(shí)閃存參考單元的輸出電流iref往電流變小的方向偏移后，進(jìn)一步做htol測(cè)試，閃存參考單元的輸出電流iref在第三時(shí)間點(diǎn)例如168小時(shí),第四時(shí)間點(diǎn)例如500小時(shí),第五時(shí)間點(diǎn)例如1000小時(shí)測(cè)試均不會(huì)進(jìn)一步偏移。上海頂策科技TH801智能老化系統(tǒng)，芯片狀態(tài)實(shí)時(shí)參數(shù)正態(tài)分布圖，散點(diǎn)圖等顯示，多維度分析芯片狀態(tài)。上海如何選HTOL測(cè)試機(jī)

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