芯片HTOL測試項目柔性開發(fā)，芯片HTOL測試自研設(shè)備。上海頂策科技有限公司自主研發(fā)TH801智能一體化HTOL測試機，擁有多項發(fā)明專利及軟件著作權(quán)，可實時發(fā)現(xiàn)問題并介入分析，大幅提高HTOL效率。提供可靠性設(shè)備，HTOL/LTOL、雙85、HAST等幾十項可靠性測試方案制定，PCB設(shè)計制作，測試試驗，滿足各類芯片可靠性測試需求。涵蓋模擬，數(shù)字，混合信號，SOC，RF等各類芯片的可靠性方案設(shè)計，原理圖設(shè)計，PCBlayout加工制作，老化程序開發(fā)調(diào)試，可靠性測試試驗，出具可靠性報告。上海頂策科技智能HTOL系統(tǒng)，有全程HTOL數(shù)據(jù)記錄，讓報告更有說服力，下游客戶更放心。上海在線HTOL測試機

本發(fā)明實施例的閃存參考單元經(jīng)過編譯和擦除循環(huán)后再進行htol測試的輸出電流iref分布圖。閃存參考單元進行編譯和擦除循環(huán)后，htol測試過程中。閃存參考單元的輸出電流iref在48小時的測試值iref1與在初始的測試值iref0之間偏移量減小，實際驗證多個型號的閃存產(chǎn)品采用本實施例的方法后，htol可靠性驗證通過，而且測試可靠，使閃存產(chǎn)品較短時間內(nèi)進入客戶樣品量產(chǎn)階段。綜上所述，本發(fā)明所提供的一種閃存htol測試方法，對閃存參考單元進行編譯和擦除循環(huán)后，再進行閃存htol可靠性驗證，編譯和擦除循環(huán)會在閃存參考單元中引入電子，引入的電子在閃存htol可靠性驗證過程存在丟失，進而對空穴在htol測試過程中的丟失形成補償，降低了閃存參考單元的輸出電流iref的偏移量，從而使閃存htol讀“0”通過，解決了閃存htol測試中讀點失效的問題，提高閃存質(zhì)量。顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對發(fā)明進行各種改動和變型而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些改動和變型屬于本發(fā)明權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本發(fā)明也意圖包括這些改動和變動在內(nèi)。松江區(qū)專注HTOL測試機TH801智能老化系統(tǒng)，實時監(jiān)測并記錄每顆芯片電壓，電流，頻率，寄存器狀態(tài)等數(shù)據(jù)。

閃存參考單元包括：襯底100，位于所述襯底中的導(dǎo)電溝道、位于所述導(dǎo)電溝道兩側(cè)的源極101和漏極102，位于導(dǎo)電溝道上方的柵極單元，所述柵極單元從下到上依次包括隧穿氧化層103、浮柵104、柵間介質(zhì)層105以及控制柵106,所述柵極單元的兩側(cè)分布有側(cè)墻107。柵間介質(zhì)層105例如可以為依次層疊的氧化硅層、氮化硅層和氧化硅層的多層結(jié)構(gòu)，即為ono結(jié)構(gòu)。具體的，閃存在其生產(chǎn)工藝過程中易在閃存參考單元的隧穿氧化層103中捕獲(引入)空**3為本發(fā)明實施例的對閃存參考單元進行編譯示意圖，如圖3所示，對所述閃存參考單元進行編譯，包括：在所述源極101上施加***編程電壓vb1，在所述漏極102上施加第二編程電壓vb2，在所述控制柵106上施加第三編程電壓vb3，在所述襯底100上施加第四編程電壓vb4；其中，所述***編程電壓vb1小于所述第二編程電壓vb2；所述第二編程電壓vb2小于所述第三編程電壓vb3。所述***編程電壓的范圍為～0v,所述第二編程電壓的范圍為～，所述第三編程電壓vb3的范圍為8v～10v,所述第四編程電壓vb4的范圍為～-1v，編譯過程中的脈沖寬度為100μs～150μs。編譯通過熱電子注入的方式對所述浮柵104中注入電子。

模擬，數(shù)字，混合信號，SOC，RF等各類芯片的可靠性方案設(shè)計，原理圖設(shè)計，PCBlayout加工制作，老化程序開發(fā)調(diào)試，可靠性測試試驗，出具可靠性報告。上海頂策科技有限公司提供高質(zhì)量、高效率、低成本HTOL測試方案?？煽啃詼y試事業(yè)部提供可靠性測試整體解決方案，包括HTOL、LTOL、雙85、HAST等可靠性設(shè)備，以及測試方案制定，PCB設(shè)計制作，測試試驗，可以滿足各類芯片可靠性測試需求。自主研發(fā)在線實時單顆監(jiān)測技術(shù)，大幅度提高HTOL效率，節(jié)省更多時間、FA成本，全程數(shù)據(jù)記錄，讓HTOL問題更容易分析，更有追溯性，有全程HTOL數(shù)據(jù)記錄，讓報告更有說服力，下游客戶更放心。上海頂策科技有限公司可靠性測試部，提供芯片可靠性測試整體解決方案。

包括：將所述源極101和漏極102均懸空，在所述控制柵106上施加***擦除電壓vc1，在所述襯底100上施加第二擦除電壓vc2；其中，所述***擦除電壓vc1為負(fù)電壓，所述第二擦除電壓vc2為正電壓。所述***擦除電壓vc1的范圍為-10v～-8v，本實施例中例如為-9v；所述第二擦除電壓vc2的范圍為8v～10v，本實施例中例如為9v；擦除過程中的脈沖寬度為10ms～20ms。本實施例中，閃存參考單元的擦除原理是基于fowler-nordheim隧穿(簡稱為fn隧穿)，通過在襯底100上施加正電壓，在控制柵106上施加負(fù)電壓，以在隧穿氧化層103中注入空穴，同時減少浮柵104中的電子。上海頂策科技提供可靠性測試整體解決方案，包括各類可靠性測試設(shè)備，滿足各類芯片的測試需求。徐匯區(qū)HTOL測試機電話

集成電路動態(tài)老化設(shè)備，上海頂策科技有限公司自主研發(fā)TH801智能一體化HTOL測試機。上海在線HTOL測試機

    HTOL的注意要點高溫工作壽命的測試條件主要遵循JESD22-A108進行，除了給器件合適的偏置與負(fù)載外，主要包括溫度應(yīng)力和電壓應(yīng)力，這兩者都屬于加速因子。合理設(shè)置溫度應(yīng)力和電壓應(yīng)力，以便在合理的時間和成本下完成壽命評估。對于硅基產(chǎn)品，溫度應(yīng)力一般設(shè)置在結(jié)溫>=125℃，GaAs等其它耐高溫材料則可以設(shè)置更高的溫度，具體根據(jù)加速要求而定。但無論哪種材料，均需要結(jié)溫小于材料的極限工作溫度或者熱關(guān)斷（thermalshutdown）溫度。HTOL硬件的散熱設(shè)計有利于加速因子的提高，這樣可以節(jié)省試驗時間。電壓應(yīng)力一般采用最高工作電壓進行，如果需要提高加速度，則可以采用更高的電壓進行試驗，但是無論電壓應(yīng)力還是溫度應(yīng)力都不允許器件處于過電應(yīng)力的狀態(tài)。 上海在線HTOL測試機

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