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有哪些HTOL測試機(jī)私人定做

來源: 發(fā)布時間:2022-08-30

閃存參考單元的隧穿氧化層103中會捕獲一些主要從生產(chǎn)工藝帶來的淺能級的空穴,在浮柵里面會注入所需要的電子。編譯過程中浮柵104可以捕獲電子,擦除過程中隧穿氧化層103會捕獲空穴;在經(jīng)過多次的編譯以及擦除后,會在浮柵104中有更多的電子,隧穿氧化層103中有更多的空**7中經(jīng)編譯和擦除循環(huán)后電子空穴的凈值(差值)與未經(jīng)編譯和擦除循環(huán)的電子空穴的凈值(差值)相等,從而保證閃存參考單元編譯和擦除循環(huán)后的輸出電流與編譯和擦除循環(huán)前的輸出電流是相等的。擦除過程中隧穿氧化層捕獲的空穴為深能級的空穴,這些深能級的空穴不容易移動,而在浮柵里面捕獲的電子比較活躍,在htol測試過程中高溫下會比較容易丟失,從而補(bǔ)償了閃存參考單元從生產(chǎn)工藝帶來的淺能級的空穴在htol測試過程中的丟失。上海頂策科技自主研發(fā)智能HTOL測試機(jī)TH801,實(shí)時監(jiān)測并記錄每顆芯片電壓,電流,頻率,寄存器狀態(tài)等數(shù)據(jù)。有哪些HTOL測試機(jī)私人定做

本發(fā)明實(shí)施例的閃存參考單元未經(jīng)過編譯和擦除的電荷分布示意圖;發(fā)明實(shí)施例的閃存參考單元經(jīng)過編譯和擦除后的電荷分布示意圖。圖8為本發(fā)明實(shí)施例的閃存參考單元經(jīng)過編譯和擦除循環(huán)后再進(jìn)行htol測試的輸出電流iref分布圖。其中,具體標(biāo)號如下:100-襯底;101-源極;102-漏極;103-隧穿氧化層;104-浮柵;105-柵間介質(zhì)層;106-控制柵;107-側(cè)墻;具體實(shí)施方式本發(fā)明提供一種閃存htol測試方法,以下結(jié)合附圖和具體實(shí)施例作進(jìn)一步詳細(xì)說明。根據(jù)下面說明,本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)和特征將更清楚。需說明的是,附圖均采用非常簡化的形式且均使用非精細(xì)的比例,*用以方便、明晰地輔助說明本發(fā)明實(shí)施例的目的。圖1為本發(fā)明實(shí)施例的閃存htol測試方法流程圖,本地HTOL測試機(jī)排行榜上海頂策科技有限公司提供芯片可靠性測試一條龍解決方案。

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