閃存參考單元包括：襯底100，位于所述襯底中的導電溝道、位于所述導電溝道兩側的源極101和漏極102，位于導電溝道上方的柵極單元，所述柵極單元從下到上依次包括隧穿氧化層103、浮柵104、柵間介質層105以及控制柵106,所述柵極單元的兩側分布有側墻107。柵間介質層105例如可以為依次層疊的氧化硅層、氮化硅層和氧化硅層的多層結構，即為ono結構。具體的，閃存在其生產工藝過程中易在閃存參考單元的隧穿氧化層103中捕獲(引入)空**3為本發(fā)明實施例的對閃存參考單元進行編譯示意圖，如圖3所示，對所述閃存參考單元進行編譯，包括：在所述源極101上施加***編程電壓vb1，在所述漏極102上施加第二編程電壓vb2，在所述控制柵106上施加第三編程電壓vb3，在所述襯底100上施加第四編程電壓vb4；其中，所述***編程電壓vb1小于所述第二編程電壓vb2；所述第二編程電壓vb2小于所述第三編程電壓vb3。所述***編程電壓的范圍為～0v,所述第二編程電壓的范圍為～，所述第三編程電壓vb3的范圍為8v～10v,所述第四編程電壓vb4的范圍為～-1v，編譯過程中的脈沖寬度為100μs～150μs。編譯通過熱電子注入的方式對所述浮柵104中注入電子。TH801智能老化系統(tǒng)，自有發(fā)明專利智能實時在線監(jiān)測技術。怎樣選擇HTOL測試機型號

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