本發(fā)明實(shí)施例的閃存參考單元未經(jīng)過(guò)編譯和擦除的電荷分布示意圖；發(fā)明實(shí)施例的閃存參考單元經(jīng)過(guò)編譯和擦除后的電荷分布示意圖。圖8為本發(fā)明實(shí)施例的閃存參考單元經(jīng)過(guò)編譯和擦除循環(huán)后再進(jìn)行htol測(cè)試的輸出電流iref分布圖。其中，具體標(biāo)號(hào)如下：100-襯底；101-源極；102-漏極；103-隧穿氧化層；104-浮柵；105-柵間介質(zhì)層；106-控制柵；107-側(cè)墻；具體實(shí)施方式本發(fā)明提供一種閃存htol測(cè)試方法，以下結(jié)合附圖和具體實(shí)施例作進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。根據(jù)下面說(shuō)明，本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)和特征將更清楚。需說(shuō)明的是，附圖均采用非常簡(jiǎn)化的形式且均使用非精細(xì)的比例，*用以方便、明晰地輔助說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例的目的。圖1為本發(fā)明實(shí)施例的閃存htol測(cè)試方法流程圖，上海頂策科技有限公司智能一體化HTOL測(cè)試機(jī)TH801可以為芯片HTOL測(cè)試節(jié)省更多時(shí)間、FA成本。崇明區(qū)HTOL測(cè)試機(jī)哪里有賣的
芯片HTOL測(cè)試如何做到省力省心？上海頂策科技有限公司，提供可靠性測(cè)試整體解決方案：可靠性設(shè)備，HTOL/LTOL、雙85、HAST等幾十項(xiàng)可靠性測(cè)試方案制定，PCB設(shè)計(jì)制作，測(cè)試試驗(yàn)，滿足各類芯片可靠性測(cè)試需求。涵蓋模擬，數(shù)字，混合信號(hào)，SOC，RF等各類芯片的可靠性方案設(shè)計(jì)，原理圖設(shè)計(jì)，PCBlayout加工制作，老化程序開(kāi)發(fā)調(diào)試，可靠性測(cè)試試驗(yàn)，出具可靠性報(bào)告等全方面服務(wù)。自有發(fā)明專利的智能HTOL系統(tǒng)，自主研發(fā)在線實(shí)時(shí)單顆監(jiān)測(cè)技術(shù)，可靈活配置芯片工作狀態(tài)，并施加信號(hào)，非常方便HTOLSetup，實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)并記錄環(huán)境溫度，以及每顆芯片電壓，電流，頻率，寄存器狀態(tài)等數(shù)據(jù)，確保芯片處于正常HTOL狀態(tài)。普陀區(qū)一體化HTOL測(cè)試機(jī)上海頂策科技的HTOL測(cè)試機(jī)TH801，自有發(fā)明專利的智能HTOL系統(tǒng)，自主研發(fā)在線實(shí)時(shí)單顆監(jiān)測(cè)技術(shù)。
集成電路動(dòng)態(tài)老化設(shè)備，20年發(fā)展歷史，自主研發(fā)TH801智能一體化HTOL測(cè)試機(jī)，擁有多項(xiàng)發(fā)明專利及軟件著作權(quán)，可實(shí)時(shí)發(fā)現(xiàn)問(wèn)題并介入分析，大幅提高HTOL效率。上海頂策科技有限公司，自成立以來(lái)已經(jīng)為超過(guò)500家半導(dǎo)體公司提供高質(zhì)量，高效率，低成本，一條龍測(cè)試解決方案！涵蓋模擬，數(shù)字，混合信號(hào)，SOC，RF等各類芯片的可靠性方案設(shè)計(jì)，原理圖設(shè)計(jì)，PCBlayout加工制作，老化程序開(kāi)發(fā)調(diào)試，可靠性測(cè)試實(shí)驗(yàn)，出具可靠性報(bào)告等一條龍服務(wù)。
在每個(gè)時(shí)間點(diǎn)讀點(diǎn)過(guò)程為：將閃存參考單元的輸出電流iref與閃存陣列單元的輸出電流i的差值經(jīng)由讀出放大器進(jìn)行比對(duì)判斷，若iref＜i，則閃存讀出“1”；若iref＞i，則閃存讀出“0”。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有如下有益效果：本發(fā)明所提供的閃存htol測(cè)試方法，對(duì)所述閃存參考單元循環(huán)進(jìn)行編譯和擦除，以在所述閃存參考單元中引入電子；對(duì)所述閃存進(jìn)行htol測(cè)試，所述引入電子在所述htol測(cè)試過(guò)程中存在丟失，以對(duì)htol測(cè)試過(guò)程中所述空穴的丟失形成補(bǔ)償。降低了閃存參考單元的輸出電流iref的偏移量，從而使閃存htol讀“0”通過(guò)，解決了閃存htol測(cè)試中讀點(diǎn)失效的問(wèn)題，提高閃存質(zhì)量。附圖說(shuō)明圖1為本發(fā)明實(shí)施例的閃存htol測(cè)試方法流程圖；圖2為本發(fā)明實(shí)施例的閃存參考單元的結(jié)構(gòu)示意圖；圖3為本發(fā)明實(shí)施例的對(duì)閃存參考單元進(jìn)行編譯示意圖；圖4為本發(fā)明實(shí)施例的對(duì)閃存參考單元進(jìn)行擦除示意圖；圖5為本發(fā)明實(shí)施例的閃存參考單元未經(jīng)過(guò)編譯和擦除直接進(jìn)行htol測(cè)試的輸出電流iref分布圖；上海頂策科技有限公司智能一體化HTOL測(cè)試機(jī)TH801通過(guò)監(jiān)測(cè)數(shù)據(jù)，可實(shí)時(shí)發(fā)現(xiàn)問(wèn)題并介入分析，大幅提高效率。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：本發(fā)明提供了一種閃存htol測(cè)試方法，以解決閃存htol測(cè)試中讀點(diǎn)失效的問(wèn)題。本發(fā)明提供的閃存htol測(cè)試方法，包括：提供待測(cè)閃存，所述閃存包括閃存參考單元和閃存陣列單元；所述閃存參考單元中捕獲有空穴；對(duì)所述閃存參考單元循環(huán)進(jìn)行編譯和擦除，以在所述閃存參考單元中引入電子；對(duì)所述閃存進(jìn)行htol測(cè)試，所述引入電子在所述htol測(cè)試過(guò)程中部分丟失，以對(duì)htol測(cè)試過(guò)程中所述空穴的丟失形成補(bǔ)償。進(jìn)一步的，所述閃存參考單元包括襯底、位于所述襯底中的導(dǎo)電溝道、位于所述導(dǎo)電溝道兩側(cè)的源極和漏極，位于所述導(dǎo)電溝道上方的柵極單元，所述柵極單元從下到上依次包括隧穿氧化層、浮柵、柵間介質(zhì)層以及控制柵，所述柵極單元的兩側(cè)分布有側(cè)墻。 上海頂策科技有限公司自成立以來(lái)，已經(jīng)為超過(guò)500家半導(dǎo)體公司提供高質(zhì)、高效、低成本測(cè)試解決方案。如何選HTOL測(cè)試機(jī)大概費(fèi)用
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導(dǎo)致偏移量發(fā)生的原因是在htol可靠性驗(yàn)證過(guò)程中閃存參考單元會(huì)有空穴丟失，而丟失的空穴是在制作閃存的生產(chǎn)工藝過(guò)程中捕獲(引入)的，短期內(nèi)無(wú)法消除。而閃存產(chǎn)品從工程樣品(es，engineeringsample)到客戶樣品(cs，customersample)的時(shí)間不容延期。從測(cè)試端找出解決方案非常迫在眉睫。本發(fā)明實(shí)施例的閃存htol測(cè)試方法對(duì)所述閃存參考單元循環(huán)進(jìn)行編譯和擦除，以在所述閃存參考單元中引入電子；對(duì)所述閃存進(jìn)行htol測(cè)試，所述引入電子在所述htol測(cè)試過(guò)程中存在丟失，以對(duì)htol測(cè)試過(guò)程中所述空穴的丟失形成補(bǔ)償。崇明區(qū)HTOL測(cè)試機(jī)哪里有賣的
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