陰-陽極間距對靶濺射電壓的影響：真空氣體放電陰-陽極間距能夠對靶濺射電壓造成一定的影響。在陰-陽極間距偏大時，等效氣體放電的內阻主要由等離子體等效內阻決定，反之，在陰-陽極間距偏小時，將會導致等離子體放電的內阻呈現(xiàn)較小數(shù)值。由于在磁控靶點火起輝后進入正常濺射時，如果陰-陽極間距過小，由于靶電源輸出的濺射電壓具有一定的軟負載特性，就有可能出現(xiàn)在濺射電流已達工藝設定值時，靶濺射電壓始終很低又調不起來的狀況。“工藝型”靶電源可以改善和彌補這種狀況;而“經濟型”靶電源對這種狀況無能為力。   1. 孿生靶(或雙磁控靶)陰-陽極間距   對稱雙極脈沖中頻靶電源和正弦波中頻靶電源帶孿生靶或雙磁控靶運行時，建議其兩交變陰-陽極的小極間距不應小于2英2口寸;   2. 單磁控靶陰-陽極間距   靶電源帶單磁控靶運行時，一般都不存在這方面問題;但是，在小真空室?guī)чL矩形平面磁控單靶時容易忽略這個問題，磁控靶面與真空室金屬殼體內壁的小極間距一般亦建議不小于2英2口寸。使進氣流量控制在產生靶中毒的前沿，確保工藝過程始終處于沉積速率陡降前的模式。四元合金靶圖片

直流磁控濺射制備鋅-銻熱電薄膜的技術探討 熱電材料是一種能夠實現(xiàn)熱能和電能直接相互轉換的綠色環(huán)保型功能材料。近年來研究發(fā)現(xiàn)，熱電薄膜化有助于熱電材料減低熱導率，從而能夠有效的提高材料的熱電轉換效率，因此具有十分重要的科學研究價值。Zn-Sb合金是采用的P 型熱電半導體材料之一，但由于其較低的熱電優(yōu)值，所以沒有得到普遍的應用。   但近幾年研究發(fā)現(xiàn)，在263 K~767K 溫度區(qū)間穩(wěn)定存在的β-Zn4Sb3 具有非常優(yōu)異的熱電性能，材料少含稀土材料以及可適用于中溫，被國內外認為是具有前景的中溫熱電材料之一。因此，本文選取純度為99.99%的Zn 和Sb 金屬靶作為靶材，采用直流磁控共濺射技術，制備Zn-Sb 合金熱電薄膜，研究不同熱處理條件下合成的Zn-Sb 化合物熱電薄膜的結構與熱電特性變化規(guī)律。   結果表明，選取適當?shù)臑R射Zn和Sb的功率條件，濺射完成合金薄膜后在Ar 氣氛下進行623 K 退火熱處理，可形成具有單一β-Zn4Sb3相結構的Zn-Sb 熱電薄膜，且薄膜顆粒大，較致密，所制備的熱電薄膜具有優(yōu)良的熱電性能。南京氟化鑭靶型號七．濺射靶材的制備方法有哪些？

目前市場上常見的合金靶材有哪些？ 鈦鋁靶材,TiAl靶材，鈦硅靶材,TiSi靶材，鈦鎢靶材,TiW靶材，鎢鈦靶材WTi靶材，鈦鋁硅靶材,TiAlSi靶材，鉻鋁靶材,CrAl靶材，鉻硅靶材,CrSi靶材，硅鋁靶材,SiAl靶材，鋅錫靶材,ZnSn靶材，鋅鋁靶材,ZnAl靶材，鋁銅靶材,AlCu靶材，鎳鉻靶材,NiCr靶材，鎳釩靶材,NiV靶材，鎳鐵靶材,NiFe靶材，鎳銅靶材,NiCu靶材，鐵鈷靶材,FeCo靶材，鈦鈮靶材,TiNb靶材，鈦鋯靶材,TiZr靶材，銦錫靶材,InSn靶材，銅鋯靶材,CuZr靶材，鎂鋅鈣靶材,MgZnCa靶材，鎳鉻銅靶材,NiCrCu靶材，鉬鈮靶材,MoNb靶材，鋁釹靶材,AlNd靶材，鋁鈧靶材,AlSc靶材，銀鋁靶材,AgAl靶材， 鉻鋁硅靶材,CrAlSi靶材，鏑鋁靶材,DyAl靶材，鈮鋯靶材,NbZr靶材等等。

涂布技術在真空鍍鋁膜中的應用 將涂布技術與真空鍍鋁技術結合起來，通過在基材薄膜或鍍鋁薄膜上涂布功能層，以達到提高鍍鋁層的附著牢度、耐水煮性能、阻隔性能、裝飾性能等，滿足不同應用領域的要求。 一．經過等離子預處理的真空鍍鋁薄膜雖然鍍鋁層牢度有了明顯提高，但對于一些對鍍鋁層附著牢度要求更高，或者需要用于水煮殺 菌條件時仍然不能滿足要求。為了滿足上述要求，通過在基材薄膜表面涂布一層丙烯酸類的化學涂層，該涂層不對鍍鋁層有優(yōu)異的粘附性能，同時可以滿足后續(xù)的水煮殺 菌條件。涂布后的包裝可以滿足巴氏殺 菌的要求，其鍍鋁層不會因為水煮而發(fā)生氧化。  二．為進一步提高鍍鋁膜的阻隔性能，同時保護鍍鋁層在后續(xù)的印刷、復合等加工過程中不被破壞，可以通過在鍍鋁層上涂布一層高阻隔的納米涂層或聚合物涂層來實現(xiàn)。 三．為提高鍍鋁膜的裝飾性能，在基材薄膜鍍鋁前或鍍鋁后進行各種顏色的涂布，或模壓后再進行鍍鋁，使得鍍鋁膜具有多彩的顏色或具有鐳射效果。此類產品可分為三種：包裝用膜、裝飾用膜、標示用膜。主要應用于禮品、禮盒的裝飾或防偽包裝用途，如食品、藥品、玩具等的外包裝以及酒等的防偽包裝。背靶到靶材的導熱性能就會受到很大的影響，導致在濺射過程中熱量無法散發(fā)終會造成靶材開裂或脫靶。

中頻雙靶反應磁控濺射與直流反應磁控濺射相比具有以下幾個顯巨優(yōu)點：   (1)消除了靶面打弧放電現(xiàn)象，中頻反應磁控濺射鍍制的絕緣薄膜與直流反應磁控濺射鍍制的同種膜相比，膜面缺 陷要少幾個數(shù)量級;   (2)可以得到比直流反應磁控濺射高出數(shù)倍的濺射沉積速率;   (3)中頻雙靶反應磁控濺射的整個濺射沉積過程，可以始終穩(wěn)定在所設定的工作點上，為大規(guī)模工業(yè)化穩(wěn)定生產提供了條件。   選用非對稱雙極脈沖靶電源與選用“雙靶-中頻靶電源”不同，使用單個磁控靶進行反應磁控濺射，調節(jié)相應的鍍膜工藝參數(shù)，可以消除磁控靶面打弧放電現(xiàn)象和實現(xiàn)長時間穩(wěn)定的薄膜沉積，可以達到上述“中頻-雙靶反應磁控濺射”的同樣效果。磁控濺射不起輝的常見原因有哪些，怎么應對？武漢鉻硅靶功能

由于活性反應氣體粒子與靶面原子相碰撞產生化學反應生成化合物原子。四元合金靶圖片

濺射鍍膜不良膜層分析，改善方法： 1.白霧主要表現(xiàn)：膜層外觀一層白霧。 原因分析及改善：（白霧可擦拭）：外層膜松散粗糙；出爐溫差大；潮氣吸附；膜層結構不均勻；反應氣體不足/不均勻；外層膜應力大等。     （白霧不可擦拭）：殘留臟污；材腐蝕污染；膜層之間不匹配；反應氣體不足/不均勻；基材受潮污染；真空室臟有水汽；環(huán)境溫差大。 2.發(fā)蒙主要表現(xiàn)：膜層表面粗糙無光。 原因分析及改善：設備漏氣；反應氣體故障；膜層過厚；偏壓故障；       3.色斑主要表現(xiàn)：局部膜色變異。 原因分析及改善：腐蝕，局部折射率改變；前道工程夾具加工方法痕跡（形狀規(guī)則、部位一致、界限分明）； 周轉運輸庫存過程留下痕跡；研磨拋光殘留；多層膜系中，部分膜層過??；機組微量返油。 4.打火 5.碰擦傷主要表現(xiàn)：劃痕碰傷。 原因分析及改善：劃痕有膜層：鍍前碰擦傷；劃痕無膜層（漏基材）：鍍后碰擦傷。四元合金靶圖片

江陰典譽新材料科技有限公司地處江蘇省江陰市，是一家專業(yè)生產濺射靶材和蒸發(fā)材料的公司，濺射靶材充分借鑒國外的先進技術，并通過與國內外**研發(fā)機構合作，整合各行業(yè)資源優(yōu)勢，生產出多系列***濺射靶材產品。 公司目前主要生產金屬，合金，陶瓷三大類靶材產品。經過幾年的發(fā)展和技術積累，已經擁有：真空熱壓，冷壓燒結，真空熔煉，熱等靜壓，等離子噴涂等技術。另外也可根據客戶要求研發(fā)新型靶材并提供靶材金屬化、綁定和背板服務。 江陰典譽新材料科技有限公司已為以下行業(yè)提供***的靶材：平面顯示、裝飾與工具、太陽能光伏和光熱、電子和半導體、建筑與汽車玻璃大面積鍍膜等工業(yè)領域。同時也為國內外各大院校和研究所提供了很多常規(guī)和新型的試驗用靶材。 江陰典譽目前擁有真空熱壓爐兩臺，冷壓燒結爐一臺，真空熔煉設備兩臺，等靜壓設備一臺，等離子噴涂兩套，綁定平臺兩套，各類機加工設備七臺，檢驗設備若干，確保出廠的每件產品都能達到甚至超過客戶的預期。 江陰典譽秉承：“一切以客戶的需求為導向，客戶的所有需求一次做好?！钡陌l(fā)展理念。