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杭州士蘭微電子（SILAN）作為國內半導體企業(yè)，在 MOS 管領域擁有豐富的產品線和技術積累 集成化設計：如 SD6853/6854 內置高壓 MOS 管，省去光耦和 Y 電容，簡化電源方案（2011 年推出，后續(xù)升級至滿足能源之星標準）。工藝迭代：0.8μm BiCMOS/BCD 工藝（早期）、8 英寸 SiC 產線（在建），提升產能與性能，F-Cell 系列芯片面積縮小 20%，成本降低。可靠性：柵源擊穿電壓優(yōu)化，ESD 能力＞±15kV（SD6853/6854），滿足家電、工業(yè)長期穩(wěn)定需求。國產替代：2022 年** MOS 管（如超結、車規(guī)級）訂單飽滿，供不應求，覆蓋消費電子...

消費電子領域 在智能手機和平板電腦的電源管理模塊（PMU）中，實現電壓調節(jié)、快速充電和待機功耗優(yōu)化，讓移動設備續(xù)航更持久、充電更快速，滿足用戶對便捷移動生活的需求。 在LED照明系統(tǒng)中，用于驅動和調光電路，保證燈光的穩(wěn)定性和效率，營造出舒適的照明環(huán)境。 在家用電器如空調、洗衣機和電視中，用于電機控制和開關電源部分，提升設備效率和穩(wěn)定性，為家庭生活帶來更多便利和舒適。 在呼吸機和除顫儀等關鍵生命支持設備中，提供高可靠性的開關和電源控制能力，關鍵時刻守護患者生命安全。 在需要負電源供電的電路中，P 溝道 MOS 管有著不可替代的作用。本地MOS批發(fā)價格 可再生能源領域...

工業(yè)自動化與機器人領域 在工業(yè)伺服驅動器中，作為**開關元件，控制電機的精細運行，確保工業(yè)生產設備的高精度運轉，提高生產效率和產品質量，是工業(yè)自動化的關鍵“執(zhí)行者”。 在可編程邏輯控制器（PLC）中，用于信號處理和數字電路的邏輯控制，提高系統(tǒng)響應速度，使工業(yè)控制系統(tǒng)更加智能、高效。 在工業(yè)電源的高效轉換電路中廣泛應用，支持工業(yè)設備穩(wěn)定運行，為工業(yè)生產提供可靠的電力保障。 在風力發(fā)電設備的變頻控制系統(tǒng)中，確保發(fā)電效率和穩(wěn)定性，助力風力發(fā)電事業(yè)的蓬勃發(fā)展。 MOS管能在 AC-DC 開關電源、DC-DC 電源轉換器等電路中有所應用嗎？自動化MOS什么價格 **分類（按...

MOS管的應用案例：消費電子領域手機充電器：在快充充電器中，MOS管常應用于同步整流電路。如威兆的VS3610AE，5V邏輯電平控制的增強型NMOS，開關頻率高，可用于輸出同步整流降壓，能夠提高充電效率，降低發(fā)熱。筆記本電腦：在筆記本電腦的電源管理電路中，使用MOS管來控制不同電源軌的通斷。如AOS的AO4805雙PMOS管，耐壓-30V，可實現電池與系統(tǒng)之間的連接和斷開控制，確保電源的穩(wěn)定供應和系統(tǒng)的安全運行。平板電視：在平板電視的背光驅動電路中，MOS管用于控制背光燈的亮度。通過PWM信號控制MOS管的導通時間，進而調節(jié)背光燈的電流，實現對亮度的調節(jié)。汽車電子領域電動車電機驅動：電動車控制...

以N溝道MOS管為例，當柵極與源極之間電壓為零時，漏極和源極之間不導通，相當于開路；當柵極與源極之間電壓為正且超過一定界限時，漏極和源極之間則可通過電流，電路導通。 根據工作載流子的極性不同，可分為N溝道型（NMOS）與P溝道型（PMOS），兩者極性不同但工作原理類似，在實際電路中N溝道型因導通電阻小、制造容易而應用更***。 按照結構和工作原理，還可分為增強型、耗盡型、絕緣柵型等，不同類型的MOS管如同各具專長的“電子**”，適用于不同的電路設計和應用場景需求。 MOS 管用于電源的變換電路中嗎？常見MOS代理品牌 MOS 管（金屬氧化物半導體場效應晶體管，MOSFET），...

應用場景與案例 1.消費電子——快充與電池管理手機/筆記本快充：低壓NMOS（如AOSAON6220，100V/5.1mΩ）用于同步整流，支持65W氮化鎵快充（綠聯(lián)、品勝等品牌采用）。鋰電池保護：雙PMOS（如AOSAO4805，-30V/15mΩ）防止過充，應用于小米25000mAh充電寶。 2.新能源——電動化與儲能充電樁/逆變器：高壓超結MOS（士蘭微SVF12N65F，650V/12A）降低開關損耗，支持120kW快充模塊。儲能逆變器：SiCMOS（英飛凌CoolSiC?，1200V）效率提升5%，用于華為儲能系統(tǒng)。 3.工業(yè)與汽車——高可靠驅動電機控制：車規(guī)級M...

MOS管的應用領域 在開關電源中，MOS管作為主開關器件，控制電能的傳遞和轉換，其快速開關能力大幅提高了轉換效率，減少了功率損耗，就像一個高效的“電力調度員”，合理分配電能，降低能源浪費。 在DC - DC轉換器中，負責處理高頻開關動作，實現電壓和電流的精細調節(jié)，滿足不同設備對電源的多樣需求，保障電子設備穩(wěn)定運行。 在逆變器和不間斷電源（UPS）中，用于將直流電轉換為交流電，同時控制輸出波形和頻率，為家庭、企業(yè)等提供穩(wěn)定的交流電供應，確保關鍵設備在停電時也能正常工作。 MOS 管可以作為阻抗變換器，將輸入信號的高阻抗轉換為適合負載的低阻抗嗎？貿易MOS 可再生能源領域 ...

汽車音響：在汽車音響的功率放大器中，MOS管用于放大音頻信號。由于其低噪聲和高保真特性，可使汽車音響系統(tǒng)輸出清晰、高質量的音頻信號。汽車照明：汽車的前大燈、尾燈等照明系統(tǒng)中，MOS管用于控制燈光的開關和亮度調節(jié)。如Nexperia的PSMN2R5-40YS，耐壓40V的NMOS管，可實現對LED燈的精確控制。工業(yè)控制領域變頻器：在變頻器中，MOS管用于將直流電轉換為交流電，通過改變MOS管的開關頻率和占空比，調節(jié)輸出交流電的頻率和電壓，實現對電機的調速控制。PLC（可編程邏輯控制器）：在PLC的輸出電路中，MOS管作為開關元件，用于控制外部設備的通斷，如繼電器、電磁閥等。工業(yè)電源：在工業(yè)電源的...

產品優(yōu)勢 我們的MOS管具有極低的導通電阻，相比市場同類產品，能有效降低功率損耗，提升能源利用效率，為用戶節(jié)省成本。 擁有出色的熱穩(wěn)定性，在高溫環(huán)境下嚴格的質量把控，產品經過多道檢測工序，良品率高，性能穩(wěn)定可靠，讓用戶無后顧之憂。依然能穩(wěn)定工作，保障設備長時間可靠運行，減少因過熱導致的故障風險。 擁有出色的熱穩(wěn)定性，在高溫環(huán)境下依然能穩(wěn)定工作，保障設備長時間可靠運行，減少因過熱導致的故障風險。 可根據客戶的不同應用場景和特殊需求，提供個性化的MOS管解決方案，滿足多樣化的電路設計要求。 MOS管具有開關速度快、輸入阻抗高、驅動功率小等優(yōu)勢！進口MOS推薦廠家 杭州瑞...

定制化服務 可根據客戶的不同應用場景和特殊需求，提供個性化的MOS管解決方案，滿足多樣化的電路設計要求。 專業(yè)的技術團隊為客戶提供***的技術支持，從產品選型到應用設計，全程協(xié)助，確保客戶能夠充分發(fā)揮MOS管的性能優(yōu)勢。 提供完善的售后服務，快速響應客戶的問題和需求，及時解決產品使用過程中遇到的任何問題。 建立長期的客戶反饋機制，不斷收集客戶意見，持續(xù)改進產品和服務，與客戶共同成長。 我們誠邀廣大電子產品制造商、科研機構等與我們攜手合作，共同探索MOS管在更多領域的創(chuàng)新應用，開拓市場，實現互利共贏。 碳化硅 MOS 管能在 55 - 150℃的溫度范圍內工作，...

以N溝道MOS管為例，當柵極與源極之間電壓為零時，漏極和源極之間不導通，相當于開路；當柵極與源極之間電壓為正且超過一定界限時，漏極和源極之間則可通過電流，電路導通。 根據工作載流子的極性不同，可分為N溝道型（NMOS）與P溝道型（PMOS），兩者極性不同但工作原理類似，在實際電路中N溝道型因導通電阻小、制造容易而應用更***。 按照結構和工作原理，還可分為增強型、耗盡型、絕緣柵型等，不同類型的MOS管如同各具專長的“電子**”，適用于不同的電路設計和應用場景需求。 MOS 管用于電源的變換電路中嗎？貿易MOS代理品牌杭州士蘭微電子（SILAN）作為國內**的半導體企業(yè)，在MOS...

為什么選擇國產MOS？ 技術傳承：清華大學1970年首推數控MOS電路，奠定國產技術基因，士蘭微、昂洋科技等實現超結/SiC量產突破。生態(tài)協(xié)同：與華為、大疆聯(lián)合開發(fā)定制方案（如小米SU7車載充電機），成本降低20%，交付周期縮短50%。 服務響應：24小時FAE支持，提供熱仿真/EMC優(yōu)化，樣品48小時送達。 技術翻譯：將 Rds (on)、HTRB 等參數轉化為「溫升降低 8℃」「10 年無故障」 國產信任：結合案例 + 認證 + 服務，打破「國產 = 低端」 認知行動引導：樣品申請、選型指南、補貼政策，降低決策門檻 士蘭的 LVMOS 工藝技術制造可用于汽...

MOS管工作原理：電壓控制的「電子閥門」MOS管（金屬-氧化物-半導體場效應晶體管）的**是通過柵極電壓控制導電溝道的形成，實現電流的開關或調節(jié)，其工作原理可拆解為以下關鍵環(huán)節(jié)： 一、基礎結構：以N溝道增強型為例材料：P型硅襯底（B）上制作兩個高摻雜N型區(qū)（源極S、漏極D），表面覆蓋二氧化硅（SiO?）絕緣層，頂部為金屬柵極G。初始狀態(tài)：柵壓VGS=0時，S/D間為兩個背靠背PN結，無導電溝道，ID=0（截止態(tài)）。 二、導通原理：柵壓誘導導電溝道柵壓作用：當VGS>0（N溝道），柵極正電壓在SiO?層產生電場，排斥P襯底表面的空穴，吸引電子聚集，形成N型導電溝道（反型層）。溝道...

杭州士蘭微電子（SILAN）作為國內**的半導體企業(yè)，在MOS管領域擁有豐富的產品線和技術積累，以下從產品類型、技術進展及應用場景三方面梳理其MOS管業(yè)務：一、**產品線：覆蓋高低壓、多結構高壓MOSFET（400V-900V）F-Cell系列：第四代平面結構，低導通電阻（優(yōu)化JFET效應）、高可靠性（HTRB試驗后IDSS*數nA），適用于LED照明、AC-DC電源（如SD6853/6854內置650VMOS管的開關電源芯片）。超結MOSFET：深溝槽外延工藝，開關速度快，覆蓋650V-900V，典型型號如SVS7N65F（7A/650V）、SVF12N65F（12A/650V），用于服務器...

杭州士蘭微電子（SILAN）作為國內半導體企業(yè)，在 MOS 管領域擁有豐富的產品線和技術積累 集成化設計：如 SD6853/6854 內置高壓 MOS 管，省去光耦和 Y 電容，簡化電源方案（2011 年推出，后續(xù)升級至滿足能源之星標準）。工藝迭代：0.8μm BiCMOS/BCD 工藝（早期）、8 英寸 SiC 產線（在建），提升產能與性能，F-Cell 系列芯片面積縮小 20%，成本降低?？煽啃裕簴旁磽舸╇妷簝?yōu)化，ESD 能力＞±15kV（SD6853/6854），滿足家電、工業(yè)長期穩(wěn)定需求。國產替代：2022 年** MOS 管（如超結、車規(guī)級）訂單飽滿，供不應求，覆蓋消費電子...

**優(yōu)勢 1.高效節(jié)能，降低損耗低壓MOS管：導通電阻低至1mΩ（如AOSAON6512，30V/1.4mΩ），適合高頻開關，減少發(fā)熱（應用于小米212W充電寶，提升轉換效率至95%+）。高壓超結MOS：優(yōu)化電場分布，開關速度提升30%（如士蘭微SVS11N65F，650V/11A，適用于服務器電源）。 2.高可靠性設計抗靜電保護：ESD能力＞±15kV（如士蘭微SD6853），避免靜電擊穿。熱穩(wěn)定性：內置過溫保護（如英飛凌CoolMOS?），適應-55℃~150℃寬溫域（電動汽車OBC優(yōu)先）。 3.小型化與集成化DFN封裝：體積縮小50%，支持高密度布局（如AOSAON...

MOS管的應用領域 在開關電源中，MOS管作為主開關器件，控制電能的傳遞和轉換，其快速開關能力大幅提高了轉換效率，減少了功率損耗，就像一個高效的“電力調度員”，合理分配電能，降低能源浪費。 在DC - DC轉換器中，負責處理高頻開關動作，實現電壓和電流的精細調節(jié)，滿足不同設備對電源的多樣需求，保障電子設備穩(wěn)定運行。 在逆變器和不間斷電源（UPS）中，用于將直流電轉換為交流電，同時控制輸出波形和頻率，為家庭、企業(yè)等提供穩(wěn)定的交流電供應，確保關鍵設備在停電時也能正常工作。 MOS管在一些消費電子產品的電源管理、信號處理等方面有應用嗎？低價MOS哪家便宜 醫(yī)療電子領域 ...

杭州士蘭微電子（SILAN）作為國內半導體企業(yè)，在 MOS 管領域擁有豐富的產品線和技術積累 集成化設計：如 SD6853/6854 內置高壓 MOS 管，省去光耦和 Y 電容，簡化電源方案（2011 年推出，后續(xù)升級至滿足能源之星標準）。工藝迭代：0.8μm BiCMOS/BCD 工藝（早期）、8 英寸 SiC 產線（在建），提升產能與性能，F-Cell 系列芯片面積縮小 20%，成本降低。可靠性：柵源擊穿電壓優(yōu)化，ESD 能力＞±15kV（SD6853/6854），滿足家電、工業(yè)長期穩(wěn)定需求。國產替代：2022 年** MOS 管（如超結、車規(guī)級）訂單飽滿，供不應求，覆蓋消費電子...

集成度高 MOS管易于集成到大規(guī)模集成電路中，是現代電子技術發(fā)展的重要基礎。它讓電子設備體積更小、功能更強大，像手機、電腦等電子產品中的芯片，都離不開MOS管的集成應用，推動了電子設備向小型化、智能化發(fā)展。 可以把它看作是“電子積木”，能夠方便地組合搭建出復雜的集成電路“大廈”。 由于柵極電流極小，MOS管產生的噪聲也很低，是低噪聲放大器的理想選擇。在對噪聲要求嚴苛的音頻放大器等電路中，MOS管能確保信號純凈，讓聲音更加清晰、悅耳，為用戶帶來***的聽覺享受。 MOS管是否有短路功能？常見MOS發(fā)展趨勢 杭州士蘭微電子（SILAN）作為國內**的半導體企業(yè)，在 MOS ...

杭州士蘭微電子（SILAN）作為國內**的半導體企業(yè)，在MOS管領域擁有豐富的產品線和技術積累，以下從產品類型、技術進展及應用場景三方面梳理其MOS管業(yè)務：一、**產品線：覆蓋高低壓、多結構高壓MOSFET（400V-900V）F-Cell系列：第四代平面結構，低導通電阻（優(yōu)化JFET效應）、高可靠性（HTRB試驗后IDSS*數nA），適用于LED照明、AC-DC電源（如SD6853/6854內置650VMOS管的開關電源芯片）。超結MOSFET：深溝槽外延工藝，開關速度快，覆蓋650V-900V，典型型號如SVS7N65F（7A/650V）、SVF12N65F（12A/650V），用于服務器...

汽車音響：在汽車音響的功率放大器中，MOS管用于放大音頻信號。由于其低噪聲和高保真特性，可使汽車音響系統(tǒng)輸出清晰、高質量的音頻信號。汽車照明：汽車的前大燈、尾燈等照明系統(tǒng)中，MOS管用于控制燈光的開關和亮度調節(jié)。如Nexperia的PSMN2R5-40YS，耐壓40V的NMOS管，可實現對LED燈的精確控制。工業(yè)控制領域變頻器：在變頻器中，MOS管用于將直流電轉換為交流電，通過改變MOS管的開關頻率和占空比，調節(jié)輸出交流電的頻率和電壓，實現對電機的調速控制。PLC（可編程邏輯控制器）：在PLC的輸出電路中，MOS管作為開關元件，用于控制外部設備的通斷，如繼電器、電磁閥等。工業(yè)電源：在工業(yè)電源的...

MOS管工作原理：電壓控制的「電子閥門」MOS管（金屬-氧化物-半導體場效應晶體管）的**是通過柵極電壓控制導電溝道的形成，實現電流的開關或調節(jié)，其工作原理可拆解為以下關鍵環(huán)節(jié)： 一、基礎結構：以N溝道增強型為例材料：P型硅襯底（B）上制作兩個高摻雜N型區(qū)（源極S、漏極D），表面覆蓋二氧化硅（SiO?）絕緣層，頂部為金屬柵極G。初始狀態(tài)：柵壓VGS=0時，S/D間為兩個背靠背PN結，無導電溝道，ID=0（截止態(tài)）。 二、導通原理：柵壓誘導導電溝道柵壓作用：當VGS>0（N溝道），柵極正電壓在SiO?層產生電場，排斥P襯底表面的空穴，吸引電子聚集，形成N型導電溝道（反型層）。溝道...

MOS管應用場景全解析：從微瓦到兆瓦的“能效心臟”作為電壓控制型器件，MOS管憑借低損耗、高頻率、易集成的特性，已滲透至電子產業(yè)全領域。 以下基于2025年主流技術與場景，深度拆解其應用邏輯：一、消費電子：便攜設備的“省電管家”快充與電源管理：場景：手機/平板快充（如120W氮化鎵充電器）、TWS耳機電池保護。技術：N溝道增強型MOS（30V-100V），導通電阻低至1mΩ，同步整流效率超98%，體積比傳統(tǒng)方案小60%。案例：蘋果MagSafe采用低柵電荷MOS，充電溫升降低15℃，支持100kHz高頻開關。信號隔離與電平轉換：場景：3.3V-5VI2C通信（如智能手表傳感器連接）、...

MOS管（金屬-氧化物-半導體場效應晶體管）分為n溝道MOS管（NMOS）和p溝道MOS管（PMOS），其工作原理主要基于半導體的導電特性以及電場對載流子的控制作用，以下從結構和工作機制方面進行介紹：結構基礎NMOS：以一塊摻雜濃度較低的P型硅半導體薄片作為襯底，在P型硅表面的兩側分別擴散兩個高摻雜濃度的N+區(qū)，這兩個N+區(qū)分別稱為源極（S）和漏極（D），在源極和漏極之間的P型硅表面覆蓋一層二氧化硅（SiO?）絕緣層，在絕緣層上再淀積一層金屬鋁作為柵極（G）。這樣就形成了一個金屬-氧化物-半導體結構，在源極和襯底之間以及漏極和襯底之間都形成了PN結。PMOS：與NMOS結構相反，PMOS的襯底...

MOS管（金屬-氧化物-半導體場效應晶體管）是一種重要的電子元器件，在電子電路中具有***的用處，主要包括以下幾個方面：放大電路?音頻放大器：在音頻設備中，如收音機、功放等，MOS管常被用作放大器。它可以將微弱的音頻電信號進行放大，使音頻信號能夠驅動揚聲器發(fā)出足夠音量的聲音，且MOS管具有較低的噪聲和較高的線性度，能夠保證音頻信號的質量。?射頻放大器：在無線通信設備的射頻前端，MOS管用于放大射頻信號。例如在手機的射頻電路中，MOS管組成的放大器將天線接收到的微弱射頻信號放大到合適的幅度，以便后續(xù)電路進行處理，其高頻率特性和低噪聲性能對于實現良好的無線通信至關重要。開關電路?電源開關：在各種電...

MOS 管工作原理：電壓控制的「電子閥門」 導通原理：柵壓誘導導電溝道柵壓作用：當VGS>0（N溝道），柵極正電壓在SiO?層產生電場，排斥P襯底表面的空穴，吸引電子聚集，形成N型導電溝道（反型層）。溝道形成的臨界電壓稱開啟電壓VT（通常2-4V），VGS越大，溝道越寬，導通電阻Rds(on)越?。ㄈ?mΩ級）。漏極電流控制：溝道形成后，漏源電壓VDS使電子從S流向D，形成電流ID。線性區(qū)（VDS

MOS 管應用場景全解析：從微瓦到兆瓦的 “能效心臟“ 作為電壓控制型器件，MOS 管憑借低損耗、高頻率、易集成的特性，已滲透至電子產業(yè)全領域。以下基于 2025 年主流技術與場景，深度拆解其應用邏輯： 工業(yè)控制：高效能的“自動化引擎”伺服與變頻器：場景：機床主軸控制、電梯曳引機調速。技術：650V超結MOS，Rds(on)＜5mΩ，支持20kHz載波頻率，轉矩脈動降低30%（如匯川伺服驅動器）。光伏與儲能：場景：1500V光伏逆變器、工商業(yè)儲能PCS。創(chuàng)新：碳化硅MOS搭配數字化驅動，轉換效率達99%，1MW逆變器體積從1.2m3降至0.6m3（陽光電源2025款機型）。 電...

工業(yè)自動化與機器人領域 在工業(yè)伺服驅動器中，作為**開關元件，控制電機的精細運行，確保工業(yè)生產設備的高精度運轉，提高生產效率和產品質量，是工業(yè)自動化的關鍵“執(zhí)行者”。 在可編程邏輯控制器（PLC）中，用于信號處理和數字電路的邏輯控制，提高系統(tǒng)響應速度，使工業(yè)控制系統(tǒng)更加智能、高效。 在工業(yè)電源的高效轉換電路中廣泛應用，支持工業(yè)設備穩(wěn)定運行，為工業(yè)生產提供可靠的電力保障。 在風力發(fā)電設備的變頻控制系統(tǒng)中，確保發(fā)電效率和穩(wěn)定性，助力風力發(fā)電事業(yè)的蓬勃發(fā)展。 MOS管能實現電壓調節(jié)和電流，確保設備的穩(wěn)定供電嗎？什么是MOS新報價 新能源汽車：三電系統(tǒng)的“動力樞紐”電機驅...

MOS管工作原理：電壓控制的「電子閥門」MOS管（金屬-氧化物-半導體場效應晶體管）的**是通過柵極電壓控制導電溝道的形成，實現電流的開關或調節(jié)，其工作原理可拆解為以下關鍵環(huán)節(jié)： 一、基礎結構：以N溝道增強型為例材料：P型硅襯底（B）上制作兩個高摻雜N型區(qū)（源極S、漏極D），表面覆蓋二氧化硅（SiO?）絕緣層，頂部為金屬柵極G。初始狀態(tài)：柵壓VGS=0時，S/D間為兩個背靠背PN結，無導電溝道，ID=0（截止態(tài)）。 二、導通原理：柵壓誘導導電溝道柵壓作用：當VGS>0（N溝道），柵極正電壓在SiO?層產生電場，排斥P襯底表面的空穴，吸引電子聚集，形成N型導電溝道（反型層）。溝道...

可變電阻區(qū)：當柵極電壓VGS大于閾值電壓VTH時，在柵極電場的作用下，P型襯底表面的空穴被排斥，而電子被吸引到表面，形成了一層與P型襯底導電類型相反的N型反型層，稱為導電溝道。此時若漏源電壓VDS較小，溝道尚未夾斷，隨著VDS的增加，漏極電流ID幾乎與VDS成正比增加，MOS管相當于一個受柵極電壓控制的可變電阻，其電阻值隨著VGS的增大而減小。飽和區(qū)：隨著VDS的繼續(xù)增加，當VDS增加到使VGD=VGS-VDS等于閾值電壓VTH時，漏極附近的反型層開始消失，稱為預夾斷。此后再增加VDS，漏極電流ID幾乎不再隨VDS的增加而增大，而是趨于一個飽和值，此時MOS管工作在飽和區(qū)，主要用于放大信號等應...