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極限參數(shù)：a.集電極較大允許電流ICM集電極較大允許電流是指當(dāng)集電極電流IC增加到某一數(shù)值，引起β值下降到額定值的2/3或1/2時(shí)的IC值。所以當(dāng)集電極電流超過集電極較大允許電流時(shí)，雖然不致使管子損壞，但β值明顯下降，影響放大質(zhì)量。b.集電極—基極擊穿電壓U(...

場(chǎng)效應(yīng)管主要參數(shù)：1、開啟電壓，開啟電壓UT是指加強(qiáng)型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管中，使漏源間剛導(dǎo)通時(shí)的柵極電壓。2、跨導(dǎo)，跨導(dǎo)gm是表示柵源電壓UGS對(duì)漏極電流ID的控制才能，即漏極電流ID變化量與柵源電壓UGS變化量的比值。gm是權(quán)衡場(chǎng)效應(yīng)管放大才能的重要參數(shù)。3、漏源...

1873年，弗雷德里克·格思里（ Frederick Guthrie ）發(fā)現(xiàn)了熱離子二極管的基本操作原理 [6] 。他發(fā)現(xiàn)了當(dāng)白熱化的接地金屬接近帶正電的驗(yàn)電器時(shí)，驗(yàn)電器的電會(huì)被引走；然而帶負(fù)電的驗(yàn)電器則不會(huì)發(fā)生類似情況。這表明了電流只能向一個(gè)方向流動(dòng)。188...

如果GATE相對(duì)于BACKGATE反向偏置，空穴被吸引到表面，channel形成了，因此PMOS管的閾值電壓是負(fù)值。由于NMOS管的閾值電壓是正的，PMOS的閾值電壓是負(fù)的，所以工程師們通常會(huì)去掉閾值電壓前面的符號(hào)，一個(gè)工程師可能說，"PMOS Vt從0.6V...

三極管的功能應(yīng)用：1、三極管放大電路，三極管是一種電流放大器件，可制成交流或直流信號(hào)放大器，由基極輸入一個(gè)很小的電流從而控制集電極輸出很大的電流。三極管基極（b）電流較小，且遠(yuǎn)小于另兩個(gè)引腳的電流；發(fā)射極（e）電流較大（等于集電極電流和基極電流之和）；集電極（...

反向擊穿按機(jī)理分為齊納擊穿和雪崩擊穿兩種情況。在高摻雜濃度的情況下，因勢(shì)壘區(qū)寬度很小，反向電壓較大時(shí)，破壞了勢(shì)壘區(qū)內(nèi)共價(jià)鍵結(jié)構(gòu)，使價(jià)電子脫離共價(jià)鍵束縛，產(chǎn)生電子-空穴對(duì)，致使電流急劇增大，這種擊穿稱為齊納擊穿。如果摻雜濃度較低，勢(shì)壘區(qū)寬度較寬，不容易產(chǎn)生齊納擊...

二極管串聯(lián)的情況。顯然在理想條件下,有幾只管子串聯(lián),每只管子承受的反向電壓就應(yīng)等于總電壓的幾分之一。但因?yàn)槊恐欢O管的反向電阻不盡相同,會(huì)造成電壓分配不均:內(nèi)阻大的二極管,有可能由于電壓過高而被擊穿,并由此引起連鎖反應(yīng),逐個(gè)把二極管擊穿。在二極管上并聯(lián)的電阻R...

階躍二極管，階躍二極管一種特殊的變?nèi)莨?，又稱為階躍恢復(fù)二極管或電荷存儲(chǔ)二極管,簡(jiǎn)稱階躍管，英文名稱為Step-Recovary Diode，它具有高度非線性的電抗，應(yīng)用于倍頻器時(shí)代獨(dú)有的特點(diǎn)，利用其反向恢復(fù)電流的快速突變中所包含的豐富諧波，可獲得高效率的高次倍...

三極管具有三個(gè)工作狀態(tài)，分別為：截止區(qū)、放大區(qū)、飽和區(qū)。在模擬電路中可以用這些特性實(shí)現(xiàn)不一樣的功能，在數(shù)字電路中，只有0和1兩個(gè)狀態(tài)，所以數(shù)字電路中三極管主要用作電子開關(guān)來使用，這時(shí)候三極管工作在截止和飽和狀態(tài)，即要么導(dǎo)通，要么斷開，就相當(dāng)于一個(gè)開關(guān)。三極管的...

測(cè)試步驟：MOS管的檢測(cè)主要是判斷MOS管漏電、短路、斷路、放大。其步驟如下：假如有阻值沒被測(cè)MOS管有漏電現(xiàn)象。1、把連接?xùn)艠O和源極的電阻移開，萬用表紅黑筆不變，假如移開電阻后表針慢慢逐步退回到高阻或無限大，則MOS管漏電，不變則完好。2、然后一根導(dǎo)線把MO...

二極管工作原理：二極管=PN結(jié)+馬甲兒，在半導(dǎo)體性能被發(fā)現(xiàn)后，二極管成為了世界上頭一種半導(dǎo)體器件，目前較常見的結(jié)構(gòu)是，在PN結(jié)上加上引線和封裝，就成為一個(gè)二極管，甚至可以說二極管實(shí)際上就是由一個(gè)PN結(jié)構(gòu)成的，因此二極管工作原理約等于PN的工作原理，小編從源頭講...

愛迪生效應(yīng)，就是真空二極管的原型。愛迪生本人對(duì)這個(gè)發(fā)現(xiàn)并沒有太大的興趣，只是習(xí)慣性的注冊(cè)了一個(gè)專業(yè)技術(shù)，就再也沒有關(guān)注。后來經(jīng)過無數(shù)科學(xué)家的努力發(fā)展了很多種類型的真空二極管，比如英國(guó)物理學(xué)家弗萊明發(fā)明的二極管，當(dāng)時(shí)也稱為電子管。電子管，當(dāng)時(shí)，電子管技術(shù)促進(jìn)了無...

與雙極型晶體管相比，場(chǎng)效應(yīng)管具有如下特點(diǎn)。（1）場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制器件，它通過VGS(柵源電壓)來控制ID（漏極電流）；（2）場(chǎng)效應(yīng)管的控制輸入端電流極小，因此它的輸入電阻（107～1012Ω）很大。（3）它是利用多數(shù)載流子導(dǎo)電，因此它的溫度穩(wěn)定性較好；（4）...

半導(dǎo)體二極管的參數(shù)介紹如下：1、反向電流IR：指管子末擊穿時(shí)的反向電流， 其值愈小，則管子的單向?qū)щ娦杂?。由于溫度增加，反向電流?huì)急劇增加，所以在使用二極管時(shí)要注意溫度的影響。2、正向壓降VD：在規(guī)定的正向電流下，二極管的正向電壓降。小電流硅二極管的正向壓降...

場(chǎng)效應(yīng)管與雙極型晶體管比，它的體積小，重量輕，壽命長(zhǎng)等優(yōu)點(diǎn)，而且輸入回路的內(nèi)阻特別高，噪聲低、熱穩(wěn)定性好（因?yàn)閹缀踔焕枚嘧訉?dǎo)電）、防輻射能力強(qiáng)以及省電等優(yōu)點(diǎn)，幾乎場(chǎng)效應(yīng)管占據(jù)的絕大部分市場(chǎng)。有利就有弊，而場(chǎng)效應(yīng)管的放大倍數(shù)要小于雙極型晶體管的放大倍數(shù)（原因后...

單極型場(chǎng)效應(yīng)管在生物醫(yī)學(xué)檢測(cè)中的應(yīng)用：生物醫(yī)學(xué)檢測(cè)對(duì)信號(hào)檢測(cè)精度的要求極高，單極型場(chǎng)效應(yīng)管在其中發(fā)揮著關(guān)鍵作用。在生物傳感器領(lǐng)域，例如檢測(cè)血糖的傳感器，當(dāng)血液中的葡萄糖分子與傳感器表面的特定物質(zhì)發(fā)生反應(yīng)時(shí)，會(huì)產(chǎn)生微弱的電信號(hào)。單極型場(chǎng)效應(yīng)管憑借其高輸入阻抗的特...

在二極管加上正向電壓（P端接正極，N端接負(fù)極）時(shí)，二極管導(dǎo)通，其PN結(jié)有電流通過。這是因?yàn)樵赑型半導(dǎo)體端為正電壓時(shí)，N型半導(dǎo)體內(nèi)的負(fù)電子被吸引而涌向加有正電壓的P型半導(dǎo)體端，而P型半導(dǎo)體端內(nèi)的正電子則朝N型半導(dǎo)體端運(yùn)動(dòng)，從而形成導(dǎo)通電流。同理，當(dāng)二極管加上反向...

場(chǎng)效應(yīng)管由于它只靠半導(dǎo)體中的多數(shù)載流子導(dǎo)電，又稱單極型晶體管。FET 英文為Field Effect Transistor，簡(jiǎn)寫成FET。場(chǎng)效應(yīng)管分為結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管（JFET）和絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管（MOS管）兩大類。按溝道材料型和絕緣柵型各分N溝道和P溝道兩種；按導(dǎo)...

LED 燈具的驅(qū)動(dòng)。設(shè)計(jì)LED燈具的時(shí)候經(jīng)常要使用MOS管，對(duì)LED恒流驅(qū)動(dòng)而言，一般使用NMOS。功率MOSFET和雙極型晶體管不同，它的柵極電容比較大，在導(dǎo)通之前要先對(duì)該電容充電，當(dāng)電容電壓超過閾值電壓(VGS-TH)時(shí)MOSFET才開始導(dǎo)通。因此，設(shè)計(jì)時(shí)...

MOS場(chǎng)效應(yīng)管電源開關(guān)電路，MOS場(chǎng)效應(yīng)管也被稱為金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管(MetalOxideSemiconductor FieldEffect Transistor, MOSFET)。它一般有耗盡型和增強(qiáng)型兩種。增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管可分為NPN型PNP型。...

本文介紹N溝道增強(qiáng)型MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管；（1）結(jié)構(gòu)，在一塊摻雜濃度較低的P型硅襯底上，制作兩個(gè)高摻雜濃度的N+區(qū)，并用金屬鋁引出兩個(gè)電極，分別作漏極d和源極s。然后在半導(dǎo)體表面覆蓋一層很薄的二氧化硅(SiO2)絕緣層，在漏——源極間的絕緣層上再裝上一個(gè)鋁電極...

交流參數(shù)：a.交流電流放大系數(shù)β（或hFE）交流電流放大系數(shù)是指采用共發(fā)射極接法時(shí)，集電極輸出電流的變化量ΔIC與基極輸入電流的變化量ΔIB之比。b.截止頻率fβ、fα晶體管的頻率參數(shù)描述晶體管的電流放大系數(shù)對(duì)高頻信號(hào)的適應(yīng)能力。根據(jù)fβ的定義，所謂共射截止頻...

場(chǎng)效應(yīng)管與雙極性晶體管的比較：1.場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制器件，柵極基本不取電流，而晶體管是電流控制器件，基極必須取一定的電流。因此，在信號(hào)源額定電流極小的情況，應(yīng)選用場(chǎng)效應(yīng)管。2.場(chǎng)效應(yīng)管是多子導(dǎo)電，而晶體管的兩種載流子均參與導(dǎo)電。由于少子的濃度對(duì)溫度、輻射等外界...

場(chǎng)效應(yīng)管與雙極性晶體管的比較：1.場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制器件，柵極基本不取電流，而晶體管是電流控制器件，基極必須取一定的電流。因此，在信號(hào)源額定電流極小的情況，應(yīng)選用場(chǎng)效應(yīng)管。2.場(chǎng)效應(yīng)管是多子導(dǎo)電，而晶體管的兩種載流子均參與導(dǎo)電。由于少子的濃度對(duì)溫度、輻射等外界...

二極管保護(hù)：二極管可用于保護(hù)電路免受電壓峰值和電磁干擾等影響。在電路中加入二極管后，可以有效地限制電壓，保護(hù)電路不受損壞。穩(wěn)壓：二極管還可以作為穩(wěn)壓器使用，它可以在電路中提供一個(gè)固定的電壓，使電路的工作更加穩(wěn)定。二極管的實(shí)際案例解說：整流器：二極管被普遍應(yīng)用于...

Zener二極管：Zener二極管是一種具有特殊穩(wěn)壓特性的二極管，可以在一定范圍內(nèi)穩(wěn)定地維持電壓輸出，普遍應(yīng)用于電源穩(wěn)壓器、電路保護(hù)器等領(lǐng)域。總之，二極管在電子領(lǐng)域中應(yīng)用非常普遍，不同類型的二極管在不同的電路中都有不同的作用和功能。肖特基二極管： 基本原理是在...

三極管的工作原理。三極管的工作原理基于小電流控制大電流的原則，其工作機(jī)制像一個(gè)可控制的閥門。根據(jù)不同的工作狀態(tài)和連接方式，三極管主要可以分為三種類型：共基極（CB）、共集電極（CC）和共發(fā)射極（CE）。共基極（CB）：基極端子在輸入和輸出端子之間是公共的。共集...

增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管在智能安防監(jiān)控中的應(yīng)用：智能安防監(jiān)控系統(tǒng)依賴精確的圖像識(shí)別與處理技術(shù)，增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管在其中發(fā)揮著助力作用。監(jiān)控?cái)z像頭需要快速處理大量的圖像數(shù)據(jù)，以實(shí)現(xiàn)人臉識(shí)別、運(yùn)動(dòng)檢測(cè)等關(guān)鍵功能。在圖像傳感器電路中，增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管通過快速控制像素點(diǎn)電荷轉(zhuǎn)移，能夠...

MOSFET選型注意事項(xiàng)：MOSFET的選型基礎(chǔ)MOSFET有兩大類型：N溝道和P溝道。在功率系統(tǒng)中，MOSFET可被看成電氣開關(guān)。當(dāng)在N溝道MOSFET的柵極和源極間加上正電壓時(shí)，其開關(guān)導(dǎo) 通。導(dǎo)通時(shí)，電流可經(jīng)開關(guān)從漏極流向源極。漏極和源極之間存在一個(gè)內(nèi)阻，...

三極管的工作原理：這里主要講一下PNP和NPN。1、PNP，PNP是一種BJT，其中一種n型材料被引入或放置在兩種p型材料之間。在這樣的配置中，設(shè)備將控制電流的流動(dòng)。PNP晶體管由2個(gè)串聯(lián)的晶體二極管組成。二極管的右側(cè)和左側(cè)分別稱為集電極-基極二極管和發(fā)射極-...