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我們來(lái)分析一下EMI的產(chǎn)生，忽略自然干擾的影響，在電子電路系統(tǒng)中我們主要考慮是電壓瞬變和信號(hào)的回流這兩方面。對(duì)于電磁干擾的分析，可以從電磁能量外泄方面來(lái)考慮，如果器件向外泄露的能量越少，我們可以認(rèn)為產(chǎn)生的電磁干擾就比較小。對(duì)于高速的數(shù)字器件來(lái)說(shuō)，產(chǎn)生高頻交流信...

將探頭放在振蕩部件的上方，頻譜分析儀上將顯示大量的振蕩頻率諧波。如果電路經(jīng)過(guò)屏蔽、濾波并且其導(dǎo)線很短，這將不成問(wèn)題。對(duì)于一個(gè)產(chǎn)品，工程師一般關(guān)注以下幾個(gè)方面：導(dǎo)線是否較長(zhǎng)、帶狀線纜是否未經(jīng)屏蔽、是否存在接地回路、視頻電路是否未經(jīng)屏蔽、導(dǎo)線在輸出端是否未經(jīng)濾波、...

如果設(shè)備沒(méi)有通過(guò)EMC測(cè)試，我們從測(cè)量結(jié)果中，只能知道哪些頻率點(diǎn)“超標(biāo)”了，而這些頻率的電磁干擾是從哪里出來(lái)的，往往是工程師門不容易發(fā)現(xiàn)、難解決的問(wèn)題。EMI快速診斷方法就是針對(duì)EUT的原理，先推斷引起EMI的原因和內(nèi)部干擾源可能是什么，再根據(jù)EMI產(chǎn)生的途徑...

電源DC-DC晶片的VIN接腳，合理配置電容，減少輸入電源的EMI；在輸出端合理配置電感或鐵氧體磁珠，這樣電路動(dòng)態(tài)功率將從近端的電容獲取，而不是從遠(yuǎn)端的電源獲取，降低了雜訊干擾。另外，電源平面和地平面盡量完整。EMI又稱電磁干擾是指任何在傳導(dǎo)或電磁場(chǎng)伴隨著電壓...

對(duì)于電源產(chǎn)品主要有的敏感元器件就是變壓器、MOS管、二極管。所以只要解決好這三個(gè)方面的協(xié)調(diào)問(wèn)題EMC就不難搞定。而解決EMC的方法概括來(lái)說(shuō)就是：消除干擾源、切除干優(yōu)傳導(dǎo)的途徑、疏導(dǎo)干擾源。原板上所用變壓器，只在外面增加一個(gè)屏蔽層。測(cè)試可以通過(guò)不過(guò)余量很小只有1...

在EMI，工程師從來(lái)無(wú)法完全掌握可能存在什么信號(hào)。由于每臺(tái)新被測(cè)設(shè)備都不同，根據(jù)EMI信號(hào)特征選擇正確的工具以及識(shí)別輻射源十分重要。當(dāng)涉及預(yù)一致性和一致性測(cè)試時(shí)，示波器的頻譜分析功能并不能取代傳統(tǒng)的EMI測(cè)試設(shè)備，如頻譜分析儀或測(cè)試接收機(jī)。畢竟相對(duì)有限的動(dòng)態(tài)范...

IC高頻近場(chǎng)掃描儀的日常使用和保養(yǎng)都包括哪些內(nèi)容：1.一旦IC高頻近場(chǎng)掃描儀通電后，千萬(wàn)不要熱插拔SCSI、EPP接口的電纜，這樣會(huì)損壞掃描儀或計(jì)算機(jī)，當(dāng)然USB接口除外，因?yàn)樗旧砭椭С譄岵灏巍?.掃描儀在工作時(shí)請(qǐng)不要中途切斷電源，一般要等到掃描儀的鏡組完全...

近場(chǎng)掃描系統(tǒng)的制作方法：測(cè)量一件介質(zhì)板對(duì)電磁波的響應(yīng)特征，需要用一個(gè)饋源發(fā)射電磁波，然后用一個(gè)采集設(shè)備來(lái)采集饋源發(fā)出的電磁波穿過(guò)該介質(zhì)板后的電磁波其空間各個(gè)點(diǎn)的電磁特性，然后利用處理設(shè)備將檢測(cè)到的空間各點(diǎn)的電磁特性值記錄下來(lái)并進(jìn)行分析，通過(guò)對(duì)比有、無(wú)介質(zhì)板電磁...

展示了典型的半波偶極子天線是如何產(chǎn)生電場(chǎng)和磁場(chǎng)的。轉(zhuǎn)發(fā)后的信號(hào)被調(diào)制為正弦波，電壓呈極性變化，因此在天線的各元件間生成了電場(chǎng)，極性每半個(gè)周期變換一次。天線元件的電流產(chǎn)生磁場(chǎng)，方向每半個(gè)周期變換一次。電磁場(chǎng)互為直角正交。圍繞著半波偶極子的電磁場(chǎng)包括一個(gè)電場(chǎng)和一個(gè)...

輻射近場(chǎng)測(cè)量的可信域：對(duì)于平面輻射近場(chǎng)測(cè)量而言，由基本理論可知，在θ=-90°或90°（θ為場(chǎng)點(diǎn)偏離天線口面法線方向的方向角）時(shí)，這種方法的精度明顯變差，因此平面輻射近場(chǎng)測(cè)量適用于天線方向圖為單向筆形波束天線的測(cè)量，可信域（-θ，θ）中的θ...

在產(chǎn)品進(jìn)行EMC測(cè)試過(guò)程中，往往會(huì)存在一些解決電磁干擾問(wèn)題，重要的是判斷干擾的來(lái)源，只有準(zhǔn)確地將干擾源定位之后，才能夠提出解決電磁干擾的對(duì)癥措施。在電磁兼容合規(guī)預(yù)測(cè)試中，使用德國(guó)安諾尼的各種標(biāo)準(zhǔn)EMC天線進(jìn)行輻射泄漏測(cè)試，一般都是采用遠(yuǎn)場(chǎng)測(cè)量。標(biāo)準(zhǔn)的遠(yuǎn)場(chǎng)輻射泄...

檢查電纜接頭端的接地螺絲是否旋緊及外端接地是否良好。依在前項(xiàng)方式大略找了一下問(wèn)題后﹐我們必須再做一些檢查﹐因?yàn)橥高^(guò)這些檢查﹐也許不須做任何修改﹐便可通過(guò)EMI測(cè)試。例如檢查電纜端的螺絲是否鎖緊﹐有時(shí)將松掉的螺絲上緊﹐可加強(qiáng)電纜線的屏蔽效果。另外可檢查看看機(jī)器外...

為了規(guī)范電子產(chǎn)品的電磁兼容性，所有的發(fā)達(dá)國(guó)家和部分發(fā)展中國(guó)家都制定了電磁兼容標(biāo)準(zhǔn)。電磁兼容標(biāo)準(zhǔn)是使產(chǎn)品在實(shí)際電磁環(huán)境中能夠正常工作的基本要求。之所以稱為基本要求，也就是說(shuō)，產(chǎn)品即使?jié)M足了電磁兼容標(biāo)準(zhǔn)，在實(shí)際使用中也可能會(huì)發(fā)生干擾問(wèn)題。大部分國(guó)家的標(biāo)準(zhǔn)都是基于國(guó)...

當(dāng)設(shè)備完全符合有關(guān)的規(guī)定后,如果為了降低產(chǎn)品成本,減少不必要的器件或設(shè)計(jì),可以將先前診斷過(guò)程中所采取的措施逐個(gè)去掉。首先應(yīng)該考慮去掉的是成本較高的器件或材料,以及在正式產(chǎn)品上難以實(shí)現(xiàn)的措施。如果去掉后,產(chǎn)品的輻射發(fā)射并沒(méi)有超標(biāo),那么就可以去掉這個(gè)措施。然后通過(guò)...

掃描系統(tǒng)由一個(gè)掃描儀、小型適配器、一個(gè)客戶提供的頻譜分析儀和運(yùn)行掃描系統(tǒng)軟件的PC組成。臺(tái)式掃描儀包括2，436條回路，可產(chǎn)生1，218個(gè)間隔為7.5mm的磁場(chǎng)探針，形成一個(gè)電子開(kāi)關(guān)陣列并提供高達(dá)3.75mm的分辨率。系統(tǒng)工作頻率范圍為50kHz至4GHz，通...

說(shuō)到EMC的整改問(wèn)題，相信各位接觸過(guò)的工程師都會(huì)有很刻記憶。本人瀏覽了一些朋友對(duì)EMC的認(rèn)識(shí)，有的朋友認(rèn)為不是自己設(shè)計(jì)的電路或自己布的PCB，那別人就對(duì)這個(gè)電源過(guò)EMC沒(méi)有更好的方法，還有的一些朋友對(duì)電源的IC的功能情有獨(dú)鐘，他們可以分析出很多的情況。認(rèn)為是這...

眾所周知，在離開(kāi)被測(cè)目標(biāo)3λ～5λ（λ為工作波長(zhǎng)）距離上測(cè)量該區(qū)域電磁場(chǎng)的技術(shù)稱為近場(chǎng)測(cè)量技術(shù)。如果被測(cè)目標(biāo)是輻射器，則稱為輻射近場(chǎng)測(cè)量；若被測(cè)目標(biāo)是散射體，則稱為散射近場(chǎng)測(cè)量；對(duì)測(cè)得散射體的散射近場(chǎng)信息進(jìn)行反演或逆推就能得到目標(biāo)的像函數(shù)，這就是目標(biāo)近場(chǎng)成像。...

電磁發(fā)射（EMI）的檢驗(yàn)項(xiàng)目有：連續(xù)干擾電壓（150kHz～30MHz）;干擾功率（30MHz～300MHz）諧波電流（2～40次諧波）。EMC（ElectroMagneticCompatibility）直譯是“電磁兼容性”。是指設(shè)備或系統(tǒng)在其電磁環(huán)境中符合要...

對(duì)于EMI實(shí)際測(cè)試，整改，有經(jīng)驗(yàn)都可以拿來(lái)大家分享，先不管理論對(duì)不對(duì)，實(shí)際結(jié)果是怎樣就怎樣，繼續(xù)分享我的經(jīng)驗(yàn)如下：+12V田字體輸出線材上繞CoRe（常用規(guī)格為KN-RN250080），對(duì)輻射60MHz-70MHz，有改善.在次級(jí)整流管上串磁珠（常用規(guī)格為MD...

EMI分為傳導(dǎo)與輻射兩部分，對(duì)于EMI解決方案，相關(guān)理論書籍也很多，作為一位電源產(chǎn)品開(kāi)發(fā)工程師，即使你看了很多EMI處理方面的書籍，但碰到處理EMI問(wèn)題，還是無(wú)從下手，或是不能對(duì)癥下藥，在這兒我們不妨先拋開(kāi)讓人難以理解的理論，針對(duì)我們?cè)谔幚韺?shí)際EMI問(wèn)題的一些...

在晶片電源接腳、I/O接口、重要訊號(hào)介面等位置增加旁路電容，有助于濾除積體電路的開(kāi)關(guān)雜訊。晶片電源接腳增加旁路電容(0.1μF)處理，電容要靠近接腳擺放。訊號(hào)線下方的地要完整，要有完整的參考面。訊號(hào)電流經(jīng)過(guò)一個(gè)低阻抗的路徑返還其驅(qū)動(dòng)源，能夠有效減小輻射，而且由...

三維近場(chǎng)掃描系統(tǒng)的制作方法：采集到的電磁參數(shù)被送到分析單元3，常用的分析單元3如矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀(即PNA)，可將電磁參數(shù)表征的模擬信號(hào)轉(zhuǎn)化為處理單元6所能識(shí)別的數(shù)字信號(hào)。這里的處理單元6具備處理運(yùn)算能力，可將數(shù)字信號(hào)通過(guò)一定的運(yùn)算和處理，計(jì)算出空間各點(diǎn)的電磁參...

差分傳輸是一種信號(hào)傳輸?shù)募夹g(shù)，區(qū)別于傳統(tǒng)的一根信號(hào)線一根地線的單端信號(hào)傳輸，差分傳輸在這兩根線上都傳輸信號(hào)，這兩個(gè)信號(hào)的振幅相同，相位相反。在這兩根線上的傳輸?shù)男盘?hào)就是差分信號(hào)。信號(hào)接收端比較這兩個(gè)電壓的差值來(lái)判斷發(fā)送端發(fā)送的邏輯狀態(tài)。在電路板上，差分走線必須...

選擇近場(chǎng)探頭往往要考慮幾個(gè)重要因素，包括分辨率、靈敏度和頻率響應(yīng)等。近場(chǎng)探頭的靈敏度不是一個(gè)一定的指標(biāo)，關(guān)鍵是看探頭和配合使用的頻譜分析儀或者接收機(jī)能不能容易的測(cè)量到輻射泄漏信號(hào)，并且有足夠的裕量去觀察改進(jìn)后的變化。如果頻譜儀的靈敏度很高，我們可以選擇靈敏度相...

靜電放電（ESD）近場(chǎng)電磁掃描診斷分析：可視化EMC(電磁兼容)近場(chǎng)掃描診斷分析系統(tǒng)使用電磁場(chǎng)近場(chǎng)耦合探頭套裝，支持0.01mm分辨率步進(jìn)電磁掃描，采用近場(chǎng)電磁耦合的方式將100V-16kV的靜電放電(ESD)電壓耦合到電路中，從而找到敏感源頭位置，從而提高產(chǎn)...

近場(chǎng)掃描系統(tǒng)的制作方法：其中，采集單元2如接收天線用于采集穿過(guò)介質(zhì)I后的電磁波在空間各個(gè)點(diǎn)上的電磁參數(shù)，移動(dòng)單元4例如電機(jī)、滑軌則輔助采集單元2在三維空間上以一定的步長(zhǎng)上下、左右或前后移動(dòng)，控制單元5用來(lái)驅(qū)動(dòng)移動(dòng)單元4的啟動(dòng)、停止等。采集到的電磁參數(shù)被送到分析...

電子產(chǎn)品要通過(guò)電源線傳導(dǎo)發(fā)射試驗(yàn)和電源線抗擾度試驗(yàn)，必須在電源線上使用干擾濾波器，靜電放電對(duì)設(shè)備電路的影響很大程度上是由于靜電放電電流周圍的高頻電磁場(chǎng)，這些電磁場(chǎng)由于頻率很高，因此很容易被導(dǎo)線所接收，對(duì)電路形成干擾凈，某設(shè)備在做靜電放電試驗(yàn)時(shí)，發(fā)現(xiàn)當(dāng)在活動(dòng)面板...

電源適配器EMI確實(shí)很難理解，很難有精確的紙面設(shè)計(jì)，但是通過(guò)研究我們還是能知道大概趨勢(shì)指導(dǎo)設(shè)計(jì)，一般來(lái)講，投放市場(chǎng)的電源適配器都是符合對(duì)應(yīng)的EMI標(biāo)準(zhǔn)的，當(dāng)然這里指的是民用標(biāo)準(zhǔn)。經(jīng)過(guò)兩次的修改該產(chǎn)品順利的符合了客戶要求的標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試。終的整改方案為：1．將MOS管...

介紹俺的EMI整改經(jīng)驗(yàn)：關(guān)于晶體部份：1、晶體到MCU的兩條線不要太細(xì)，盡量短直，且這兩條線與兩個(gè)負(fù)載電容所包圍的面積要越小越好，電容地端，好單獨(dú)用較寬的走線單獨(dú)引至MCU振蕩地，不要與大面積地銅箔相連；2、晶體背面好是整片的地銅箔，不要走其它線，也不要在晶體...