MUX輸出就會(huì)需一定的時(shí)間來(lái)平穩(wěn)。對(duì)于一個(gè)N-bit的ADC：K實(shí)際上是**RC電路中，電壓抵達(dá)目標(biāo)誤差以?xún)?nèi)時(shí)所需的時(shí)間常數(shù)的數(shù)目，例如10-bitaccuracy(LSB%FS=),K=-ln()=。接下來(lái)用一個(gè)仿真來(lái)說(shuō)明這種現(xiàn)象：為了更明顯地觀察到這種現(xiàn)象，在Vout端加入一個(gè)電容C1，可以了解為增加了CD，也可以了解為負(fù)載電容和CD的并聯(lián)。圖14OnCapacitance對(duì)輸出影響的仿真示例電路當(dāng)C1=50pF時(shí)，整個(gè)回路的時(shí)間常數(shù)較大，需更長(zhǎng)時(shí)間安定，所以在開(kāi)關(guān)導(dǎo)通20uS之后，輸出電壓依然從未安定到信號(hào)源的電壓。圖15C1=50pF仿真結(jié)果當(dāng)C1=10pF時(shí)，整個(gè)回路的時(shí)間常數(shù)較小，需較短時(shí)間平穩(wěn)，所以在開(kāi)關(guān)導(dǎo)通20uS之內(nèi)，輸出電壓安定到了信號(hào)源的電壓。圖16C1=10pF仿真結(jié)果2.流入電荷ChargeInjection(1).概念流入電荷指的是從控制端EN耦合至輸出端的電荷。(2).影響因?yàn)樵陂_(kāi)關(guān)導(dǎo)通的通道上，不夠損耗這部分電荷的通道，所以當(dāng)這部分電荷注入漏極電容和輸出電容上時(shí)，會(huì)在輸出產(chǎn)生一個(gè)電壓誤差。圖17ChargeInjection過(guò)程示意圖過(guò)程如下：當(dāng)在EN端有一個(gè)階躍信號(hào)時(shí)，這個(gè)階躍電壓會(huì)通過(guò)柵極和漏極之間的寄生電容CGD，耦合至輸出端，輸出電壓的改變?nèi)Q流入電荷QINJ，CD和CL。所以，當(dāng)流入的電荷越小時(shí)。八路模擬開(kāi)關(guān)板，就選上海金樽自動(dòng)化控制科技有限公司，用戶(hù)的信賴(lài)之選，有想法的不要錯(cuò)過(guò)哦！南京單片機(jī)八路模擬開(kāi)關(guān)板應(yīng)用

可替代SGM7227BL1532代理，BL1532原裝，BL1532PDF，BL1532低價(jià)，BL1532現(xiàn)貨，BL1532替代BL1532是一款低功耗，雙端口，高速（480Mbps），雙–單刀雙擲（擲）模擬開(kāi)關(guān)具有一個(gè)。BL1532與，需要通過(guò)第三次諧波，造成信號(hào)的**小邊緣和相位失真。優(yōu)越的渠道通道串?dāng)_也限度地減少干擾。先斷后合功能兩部分消除信號(hào)中斷期間的開(kāi)關(guān)從防止開(kāi)關(guān)同時(shí)啟用。BL1532包含應(yīng)用在VCC電源開(kāi)關(guān)上的I/O引腳特殊電路切斷電源（VCC=0），它允許設(shè)備承受過(guò)電壓的條件。這個(gè)裝置是為了減少電流消耗，甚至當(dāng)控制電壓的SEL引腳是低比電源電壓（VCC）。特點(diǎn)：寬電源電壓范圍：，低電容，Ω阻力低（典型值）在3V電壓VSW=，高帶寬（-3dB）：>>沒(méi)有C和C=5pF550MHz720MHz，低功耗：1uA。靜電放電8kVHBM測(cè)試：通過(guò)過(guò)電壓耐受（OVT）所有USB端口到。TTL/CMOS兼容，先把開(kāi)關(guān)斷，溫度范圍：40到85℃℃，封裝×.應(yīng)用領(lǐng)域：手機(jī)，PDA，數(shù)碼相機(jī)，筆記本電腦，液晶顯示器，電視。上?？刂瓢寺纺M開(kāi)關(guān)板應(yīng)用介紹上海金樽自動(dòng)化控制科技有限公司為您提供 八路模擬開(kāi)關(guān)板，歡迎您的來(lái)電哦！

模擬開(kāi)關(guān)101包括開(kāi)關(guān)管mp1和開(kāi)關(guān)管mn1，開(kāi)關(guān)管mp1為pmos管，開(kāi)關(guān)管mn1為nmos管。開(kāi)關(guān)管mp1和開(kāi)關(guān)管mn1并聯(lián)連接，二者的漏極彼此連接且都連接至信號(hào)輸入端a，二者的源極彼此連接且都連接至信號(hào)輸出端y，開(kāi)關(guān)管mp1的襯底連接電源電壓vcc，開(kāi)關(guān)管mn1的襯底接地。開(kāi)關(guān)管mp1的柵極接收控制信號(hào)cp1，開(kāi)關(guān)管mn1的柵極接收控制信號(hào)cn1，控制信號(hào)cp1和控制信號(hào)cn1為相位相反的控制信號(hào)。當(dāng)控制信號(hào)cp1為高電平，控制信號(hào)cn1為低電平時(shí)，模擬開(kāi)關(guān)101斷開(kāi)；當(dāng)控制信號(hào)cp1為低電平，控制信號(hào)cn1為高電平時(shí)，模擬開(kāi)關(guān)101導(dǎo)通，輸入信號(hào)從信號(hào)輸入端a傳輸至信號(hào)輸入端y。模擬開(kāi)關(guān)102包括開(kāi)關(guān)管mp2和開(kāi)關(guān)管mn2，開(kāi)關(guān)管mp2為pmos管，開(kāi)關(guān)管mn2為nmos管。開(kāi)關(guān)管mp2和開(kāi)關(guān)管mn2并聯(lián)連接，二者的漏極彼此連接且都連接至信號(hào)輸入端b，二者的源極彼此連接且都連接至信號(hào)輸出端y，開(kāi)關(guān)管mp2的襯底連接電源電壓vcc，開(kāi)關(guān)管mn2的襯底接地。開(kāi)關(guān)管mp2的柵極接收控制信號(hào)cp2，開(kāi)關(guān)管mn2的柵極接收控制信號(hào)cn2，控制信號(hào)cp2和控制信號(hào)cn2為相位相反的控制信號(hào)。當(dāng)控制信號(hào)cp2為高電平，控制信號(hào)cn2為低電平時(shí)，模擬開(kāi)關(guān)102斷開(kāi)；當(dāng)控制信號(hào)cp2為低電平，控制信號(hào)cn2為高電平時(shí)，模擬開(kāi)關(guān)102導(dǎo)通。

以有效性避免480MbpsUSB信號(hào)迅速升高/下滑沿引起的信號(hào)反射。由于單個(gè)USB端口用以充電器和數(shù)據(jù)功用，因此充電器檢測(cè)機(jī)能在當(dāng)前設(shè)計(jì)中已變得十分風(fēng)靡。傳統(tǒng)方式是將D+/D-線饋入內(nèi)部A/D轉(zhuǎn)換器，以確定D+/D-線是不是短路。如前所述，該方案的主要局限性在于基帶處理器的GPIO端口的高輸入電容會(huì)在數(shù)據(jù)線上增加額外的電容電抗。這種新的容抗將造成在高數(shù)據(jù)速率下有效性觸發(fā)信號(hào)。不好影響，屬于USB一致性測(cè)試（例如，對(duì)于USB信號(hào)為480Mbps）。當(dāng)然，該方式的另一個(gè)弱點(diǎn)是它也占用了系統(tǒng)A/D轉(zhuǎn)換器的資源。在這些應(yīng)用中，需兼具**內(nèi)部電容檢測(cè)電路的USB開(kāi)關(guān)來(lái)實(shí)現(xiàn)充電器隔離和全速USB控制器輸出電容器的隔離。同時(shí)，用以確定將哪個(gè)USB通道當(dāng)做輸出的USB通道選項(xiàng)引腳（圖2中的S引腳）須要辨別V和3V邏輯輸入（注意：基帶中的V和3V處理器的GPIO輸出十分***）。傳統(tǒng)的開(kāi)關(guān)選取引腳接納高達(dá)V的輸入“高”（Vih）電平（TTL邏輯），當(dāng)直接從電池組中得到開(kāi)關(guān)電源（VCC）時(shí)，會(huì)導(dǎo)致嚴(yán)重的泄漏電流。能夠鑒別V輸入邏輯電平的能力也掃除了對(duì)外部電平轉(zhuǎn)換裝置的需要，從而使單片機(jī)開(kāi)發(fā)設(shè)計(jì)人員能夠更進(jìn)一步減低材質(zhì)成本。例如，飛兆半導(dǎo)體的FSUSB45和其他IC兼具**導(dǎo)通電容（7pF）和小大小。八路模擬開(kāi)關(guān)板，就選上海金樽自動(dòng)化控制科技有限公司，讓您滿(mǎn)意，歡迎您的來(lái)電！

控制p型開(kāi)關(guān)管的襯底電位，使得電源電壓掉電時(shí)p型開(kāi)關(guān)管的寄生二極管不會(huì)導(dǎo)通。掉電保護(hù)電路還用于在電源電壓掉電時(shí)將該參考電壓提供至模擬開(kāi)關(guān)電路的驅(qū)動(dòng)電路的供電端，控制p型開(kāi)關(guān)管的柵極電位，保證電源電壓掉電時(shí)p型開(kāi)關(guān)管不會(huì)誤導(dǎo)通，有效解決了電源電壓掉電時(shí)的信號(hào)泄露問(wèn)題，電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單實(shí)用，工作性能穩(wěn)定可靠，適用范圍***。進(jìn)一步的，本發(fā)明實(shí)施例的掉電保護(hù)電路還包括電壓上拉模塊，電壓上拉模塊可在電源電壓正常時(shí)將所述參考電壓上拉至電源電壓，保證模擬開(kāi)關(guān)電路可正常工作。附圖說(shuō)明通過(guò)以下參照附圖對(duì)本發(fā)明實(shí)施例的描述，本發(fā)明的上述以及其他目的、特征和優(yōu)點(diǎn)將更為清楚。圖1示出傳統(tǒng)的模擬開(kāi)關(guān)電路的電路示意圖；圖2示出根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的一種模擬開(kāi)關(guān)電路的電路示意圖；圖3示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的一種模擬開(kāi)關(guān)電路的電路示意圖；圖4示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的另一種模擬開(kāi)關(guān)電路的電路示意圖。具體實(shí)施方式以下將參照附圖更詳細(xì)地描述本發(fā)明。在各個(gè)附圖中，相同的元件采用類(lèi)似的附圖標(biāo)記來(lái)表示。為了清楚起見(jiàn)，附圖中的各個(gè)部分沒(méi)有按比例繪制。此外，在圖中可能未示出某些公知的部分。在下文中描述了本發(fā)明的許多特定的細(xì)節(jié)。上海金樽自動(dòng)化控制科技有限公司是一家專(zhuān)業(yè)提供 八路模擬開(kāi)關(guān)板的公司，有想法的可以來(lái)電咨詢(xún)！北京控制八路模擬開(kāi)關(guān)板問(wèn)題

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導(dǎo)通電阻更為大，對(duì)于PMOS而言，S級(jí)的電壓越高，導(dǎo)通電阻越發(fā)小。圖3導(dǎo)通電阻隨輸入信號(hào)電壓變化的曲線2）導(dǎo)通電阻的阻值與溫度有關(guān)：當(dāng)VDD和VSS固定不變時(shí)，隨著溫度的升高，導(dǎo)通電阻的曲線總體向上平移。圖4導(dǎo)通電阻隨溫度轉(zhuǎn)變的曲線3）導(dǎo)通電阻的平坦度：On-resistanceflatness圖5On-resistanceflatness在一定的輸入電壓范圍內(nèi)，導(dǎo)通電阻的最大值與最小值的差稱(chēng)之為導(dǎo)通電阻的平坦度，這個(gè)值越大，解釋導(dǎo)通電阻的變化大幅度越大。(3).影響在這里，我們通過(guò)一個(gè)仿真實(shí)例來(lái)觀察一下導(dǎo)通電阻及平坦度對(duì)于系統(tǒng)的影響，如圖6。為了更容易地觀察到影響，我們選項(xiàng)設(shè)立R1和R2為100Ω。圖6MUX36S08仿真電路圖7輸入及輸出波形從仿真的結(jié)果我們可以看出：1）輸出電壓并不是我們輸入電壓乘以放大百分比后的結(jié)果，這是因?yàn)橛袑?dǎo)通電阻的存在。2）輸出電壓隨輸入電壓的并不是線性聯(lián)系，這是因?yàn)镽on隨著Vin在變動(dòng)，會(huì)在輸出端引入非線性誤差。所以，Ron的平坦度越小，輸出的非線性誤差越小。2.漏電流Leakagecurrent(1).概念1)Sourceoff-leakagecurrent:在開(kāi)關(guān)斷開(kāi)時(shí)，從源極注入或流出的電流叫作Is(off)，如圖8。2)Drainoff-leakagecurrent:在開(kāi)關(guān)斷開(kāi)時(shí)，從漏極注入或流出的電流稱(chēng)作Id。南京單片機(jī)八路模擬開(kāi)關(guān)板應(yīng)用